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Cristaux, oscilleurs, résonurs (18804)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Notes Taille / dimension Hauteur - Assis (Max) Type de Montage Package / ÉTUI Fuseau Numéro de Protuit de Base Fréquence Triir Tension - alimentation Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Fonction Courant - alimentation (max) RÉSONATEUR DE BASE Stabilité de la Fréquence Plage de traction absolue (APR) Répartir la Bande Passante du Spectre COURANT - ALIMENTATION (DÉSACTIVER) (MAX)
DSC1001DL1-008.0000 Microchip Technology DSC1001DL1-008.0000 -
RFQ
 ECAD 9919 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 8 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DL2-001.0000 Microchip Technology DSC1001DL2-001.0000 1 0000
RFQ
 ECAD 6836 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 1 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001DL2-033.3333 Microchip Technology DSC1001DL2-033.3333 1 0000
RFQ
 ECAD 6638 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 33 3333 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1004BI2-010.0000 Microchip Technology DSC1004BI2-010.0000 -
RFQ
 ECAD 4371 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1004 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1004 10 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 6,5 Ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1004CI2-010.0000 Microchip Technology DSC1004CI2-010.0000 -
RFQ
 ECAD 4116 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1004 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1004 10 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,5 Ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1030BC1-010.0000 Microchip Technology DSC1030BC1-010.0000 -
RFQ
 ECAD 4240 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1030, PURESILICON ™ Tube Actif 0 ° C ~ 70 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1030 10 MHz CMOS 3V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 3MA Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1030BC1-024.5760 Microchip Technology Dsc1030bc1-024.5760 -
RFQ
 ECAD 9536 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1030, PURESILICON ™ Tube Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) 24 576 MHz CMOS 3V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 3MA Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1030BE1-024.5760 Microchip Technology DSC1030BE1-024.5760 -
RFQ
 ECAD 6843 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1030, PURESILICON ™ Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1030 24 576 MHz CMOS 3V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 10m Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1030BI1-010.0000 Microchip Technology DSC1030BI1-010.0000 -
RFQ
 ECAD 8373 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1030, PURESILICON ™ Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1030 10 MHz CMOS 3V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 3MA Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1030DI2-019.2000 Microchip Technology DSC1030DI2-019.2000 -
RFQ
 ECAD 8048 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1030, PURESILICON ™ Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1030 19,2 MHz CMOS 3V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 10m Mems ± 25 ppm - - 1 µA
DSC1033AI1-050.0000 Microchip Technology Dsc1033ai1-050.0000 -
RFQ
 ECAD 7134 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas de tampon exposé en plomb Xo (standard) Dsc1033 50 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 50 Veille (Puisse) 4MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033CE1-008.0000 Microchip Technology DSC1033CE1-008.0000 -
RFQ
 ECAD 6265 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) Dsc1033 8 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033CI2-008.0000 Microchip Technology DSC1033CI2-008.0000 -
RFQ
 ECAD 9981 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) 8 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 10m Mems ± 25 ppm - - 1 µA
DSC1033CI2-048.0000 Microchip Technology DSC1033CI2-048.0000 -
RFQ
 ECAD 7289 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) 48 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 10m Mems ± 25 ppm - - 1 µA
DSC1033DI1-033.0000 Microchip Technology DSC1033DI1-033.0000 -
RFQ
 ECAD 3330 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) 33 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033DI2-035.0000 Microchip Technology DSC1033DI2-035.0000 -
RFQ
 ECAD 1000 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) Dsc1033 35 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 25 ppm - - 1 µA
DSC1033DI2-050.0000 Microchip Technology DSC1033DI2-050.0000 -
RFQ
 ECAD 2826 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) 50 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 4MA (TYP) Mems ± 25 ppm - - 1 µA
DSC1101BI2-050.0000 Microchip Technology DSC1101BI2-050.0000 -
RFQ
 ECAD 6382 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1101 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 MD, Pas de plomb Xo (standard) DSC1101 50 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 35mA Mems ± 25 ppm - - 95µA
DSC1101DL1-033.3330 Microchip Technology DSC1101DL1-033.3330 -
RFQ
 ECAD 9189 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1101 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6-VDFN Xo (standard) DSC1101 33 333 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 35mA Mems ± 50 ppm - - 95µA
DSC1101DM5-160.0000 Microchip Technology DSC1101DM5-160.0000 -
RFQ
 ECAD 2189 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1101 Tube Obsolète -55 ° C ~ 125 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6-VDFN Xo (standard) 160 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 35mA Mems ± 10 ppm - - 95µA
DSC1103AI2-130.0000 Microchip Technology Dsc1103ai2-130.0000 -
RFQ
 ECAD 2189 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1103 Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 mm, pas de pavé exposé en plomb Xo (standard) 130 MHz LVDS 2,25 V ~ 3,63 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 50 Veille (Puisse) 32MA Mems ± 25 ppm - - 95µA
DSC1103BL1-150.0000 Microchip Technology DSC1103BL1-150.0000 -
RFQ
 ECAD 5987 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1103 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 MD, Pas de plomb Xo (standard) DSC1103 150 MHz LVDS 2,25 V ~ 3,63 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 32MA Mems ± 50 ppm - - 95µA
DSC1121AI2-024.5760 Microchip Technology Dsc1121ai2-024.5760 -
RFQ
 ECAD 9572 0,00000000 Technologie des micropuces Dsc1121 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 mm, pas de pavé exposé en plomb Xo (standard) Dsc1121 24 576 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 35mA Mems ± 25 ppm - - 22m
DSC1121NI1-025.0000 Microchip Technology DSC1121NI1-025.0000 -
RFQ
 ECAD 7939 0,00000000 Technologie des micropuces Dsc1121 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 MD, Pas de plomb Xo (standard) Dsc1121 25 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 35mA Mems ± 50 ppm - - 22m
DSC1122CI2-148.3516 Microchip Technology DSC1122CI2-148.3516 -
RFQ
 ECAD 4356 0,00000000 Technologie des micropuces Dsc1122 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 MD, Pas de plomb Xo (standard) Dsc1122 148.3516 MHz LVPECL 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Acteur / décor 58mA Mems ± 25 ppm - - 22m
DSC1123DE2-054.0000 Microchip Technology DSC1123DE2-054.0000 -
RFQ
 ECAD 1467 0,00000000 Technologie des micropuces Dsc1123 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 MD, Pas de plomb Xo (standard) Dsc1123 54 MHz LVDS 2,25 V ~ 3,63 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Acteur / décor 32MA Mems ± 25 ppm - - 22m
DSC1123DI2-106.2500 Microchip Technology DSC1123DI2-106.2500 -
RFQ
 ECAD 6618 0,00000000 Technologie des micropuces Dsc1123 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 MD, Pas de plomb Xo (standard) Dsc1123 106,25 MHz LVDS 2,25 V ~ 3,63 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Acteur / décor 32MA Mems ± 25 ppm - - 22m
DSC1124BI2-100.0000 Microchip Technology DSC1124BI2-100.0000 2.3900
RFQ
 ECAD 6538 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1124 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6-VDFN Xo (standard) DSC1124 100 MHz Hcsl 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Acteur / décor 42MA Mems ± 25 ppm - - 22m
DSC1124CI5-156.2500 Microchip Technology DSC1124CI5-156.2500 -
RFQ
 ECAD 4980 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1124 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 MD, Pas de plomb Xo (standard) DSC1124 156,25 MHz Hcsl 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Acteur / décor 42MA Mems ± 10 ppm - - 22m
DSC1001CI5-150.0000T Microchip Technology DSC1001CI5-150.0000T -
RFQ
 ECAD 8674 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 150 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 1 000 Veille (Puisse) 12.2MA Mems ± 10 ppm - - 15 µA
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