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Diodes (191)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de Montage | Package / ÉTUI | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Statt de Portée | Noms Autres | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G4S06506AT | - |  | 7515 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G4S06506AT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,8 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 11.6a | 181pf @ 0v, 1mhz | |||
 | G3S17005C | - | | 5575 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | Vendeur indéfini | 4436-G3S17005C | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1700 V | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 27A | 780pf @ 0v, 1mhz | |||
 | G4S12010 | - | | 8391 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G4S12010 | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 0 ns | -55 ° C ~ 175 ° C | 33.2a | - | |||||
 | G3S12002H | - | | 8714 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | Vendeur indéfini | 4436-G3S12002H | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 7.3a | 136pf @ 0v, 1mhz | |||
 | G3S06506D | - | | 8845 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | Vendeur indéfini | 4436-G3S06506D | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 22.5A | 424pf @ 0v, 1MHz | |||
| G3S12015H | - | | 9480 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | Vendeur indéfini | 4436-G3S12015H | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 21A | 1700pf @ 0v, 1mhz | |||
| G5S06505CT | - | | 6152 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | Vendeur indéfini | 4436-G5S06505CT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24a | 395pf @ 0v, 1MHz | |||
| G5S12002H | - | | 8748 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | Vendeur indéfini | 4436-G5S12002H | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 7.5a | 170pf @ 0v, 1mhz | |||
| G5S06510DT | - | | 2481 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | Vendeur indéfini | 4436-G5S06510DT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 38a | 645pf @ 0v, 1mhz | |||
 | G4S06530BT | - | | 8456 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G4S06530BT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 39A (DC) | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
| G3S06503C | - | | 3687 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | Vendeur indéfini | 4436-G3S06503C | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 3 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 11.5a | 181pf @ 0v, 1mhz | |||
| G3S12015A | - | | 9773 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S12015A | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 57A | 1700pf @ 0v, 1mhz | |||
| G3S065100P | - | | 2794 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S065100P | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 40 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 40a | 13500pf @ 0v, 1MHz | |||
| G5S06510AT | - | | 8322 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G5S06510AT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 36A | 645pf @ 0v, 1mhz | |||
| G3S06504D | - | | 5583 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | Vendeur indéfini | 4436-G3S06504D | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 4 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 11.5a | 181pf @ 0v, 1mhz | |||
| G3S06510C | - | | 3213 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | Vendeur indéfini | 4436-G3S06510C | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 34a | 690pf @ 0v, 1MHz | |||
| G3S06530P | - | | 5082 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S06530P | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 30 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 95a | 2150pf @ 0v, 1MHz | |||
| G5S06508AT | - | | 8126 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G5S06508AT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30.5a | 550pf @ 0v, 1MHz | |||
| G4S06510AT | - | | 8951 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G4S06510AT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30.5a | 550pf @ 0v, 1MHz | |||
| G3S12010B | - | | 1370 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G3S12010B | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 39A (DC) | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
| G5S06506DT | - | | 9863 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | Vendeur indéfini | 4436-G5S06506DT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24a | 395pf @ 0v, 1MHz | |||
 | G5S06510QT | - | | 2093 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | 4 Powertsfn | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | 4-DFN (8x8) | Vendeur indéfini | 4436-G5S06510QT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 53a | 645pf @ 0v, 1mhz | |||
| G5S12040PP | - | | 5820 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G5S12040PP | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 1200 V | 115A (DC) | 1,7 V @ 40 A | 0 ns | 100 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
| G3S12010C | - | | 4786 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | Vendeur indéfini | 4436-G3S12010C | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 33.2a | 765pf @ 0v, 1mhz | |||
| G3S06520A | - | | 1139 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S06520A | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 56,5a | 1170pf @ 0v, 1MHz | |||
| G3S12015P | - | | 5432 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S12015P | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 42a | 1379pf @ 0v, 1mhz | |||
| G4S06510PT | - | | 2628 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G4S06510PT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 31.2a | 550pf @ 0v, 1MHz | |||
| G5S06510HT | - | | 1209 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | Vendeur indéfini | 4436-G5S06510HT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 0 ns | -55 ° C ~ 175 ° C | 23.8a | - | |||||
| G3S1201H | - | | 7009 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | Vendeur indéfini | 4436-G3S1201H | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 16.5a | 765pf @ 0v, 1mhz | |||
| G5S12015 | - | | 8703 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G5S12015 | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 55A | 1370pf @ 0v, 1MHz |
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