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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de Montage | Package / ÉTUI | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Statt de Portée | Noms Autres | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | G5S12040B | - | ![]() | 8630 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G5S12040B | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 62A (DC) | 1,7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G4S12020 | - | ![]() | 9894 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G4S12020 | 1 | 1200 V | 1,6 V @ 20 A | 0 ns | 30 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 64,5a | 2600pf @ 0v, 1mhz | ||||
![]() | - | ![]() | 1550 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S06503A | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 3 A | 0 ns | -55 ° C ~ 175 ° C | 11.5a | 181pf @ 0v, 1mhz | |||||
![]() | - | ![]() | 6074 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | Vendeur indéfini | 4436-G5S12002C | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8.8a | 170pf @ 0v, 1mhz | ||||
![]() | G3S12020A | - | ![]() | 8712 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S12020A | 1 | 1200 V | 1,7 V @ 120 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 73a | 2600pf @ 0v, 1mhz | ||||
![]() | G3S06502H | - | ![]() | 7415 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | À 220f | Vendeur indéfini | 4436-G3S06502H | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 9A | 123pf @ 0v, 1mhz | ||||
![]() | G5S12010D | - | ![]() | 2941 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | Vendeur indéfini | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30.9a | 825pf @ 0v, 1MHz | ||||
![]() | G5S12008C | - | ![]() | 2665 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | Vendeur indéfini | 4436-G5S12008C | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 28.9a | 550pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G52YT | - | ![]() | 7769 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | Sma | Vendeur indéfini | 4436-G52YT | 1 | 650 V | 1,7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5.8a | 116.75pf @ 0v, 1MHz | ||||
![]() | G4S12040BM | - | ![]() | 1055 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G4S12040BM | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 64,5a (DC) | 1,6 V @ 20 A | 0 ns | 30 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G4S06516BT | - | ![]() | 5550 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | À 247ab | Vendeur indéfini | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 25,9A (DC) | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||
![]() | G4S06510CT | - | ![]() | 7640 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | À 252 | Vendeur indéfini | 4436-G4S06510CT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 31A | 550pf @ 0v, 1MHz | ||||
![]() | G3S12020P | - | ![]() | 6625 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S12020P | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2600pf @ 0v, 1mhz | ||||
![]() | - | ![]() | 2406 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | Vendeur indéfini | 4436-G4S06508CT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24a | |||||
![]() | G3S17005A | - | ![]() | 9312 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | Vendeur indéfini | 4436-G3S17005A | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1700 V | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 28a | |||||
![]() | G5S06510PT | - | ![]() | 4718 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G5S06510PT | 1 | 650 V | 1,5 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 39a | 645pf @ 0v, 1mhz | |||||
![]() | G5S12005C | - | ![]() | 1555 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | Vendeur indéfini | 4436-G5S12005C | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 20,95a | 424pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | GAS06520P | - | ![]() | 6670 | 0,00000000 | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 66,5a | 1390pf @ 0v, 1MHz | |||||
![]() | G5S12030BM | - | ![]() | 9456 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G5S12030BM | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 55A (DC) | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||
![]() | G5S12015A | - | ![]() | 6081 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G5S12015A | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 53a | 1370pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G3S06508H | - | ![]() | 7687 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | À 220f | Vendeur indéfini | 4436-G3S06508H | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 14A | 550pf @ 0v, 1MHz | ||||
![]() | G4S06515AT | - | ![]() | 9527 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G4S06515AT | 1 | 650 V | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 36A | 645pf @ 0v, 1mhz | ||||
![]() | G5S12020B | - | ![]() | 1876 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G5S12020B | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 33A (DC) | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G5S12010A | - | ![]() | 4157 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G5S12010A | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 37a | ||||
![]() | G5S12008 | - | ![]() | 2245 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G5S12008 | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 27.9A | ||||
![]() | G4S06508AT | - | ![]() | 3775 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G4S06508AT | 1 | 650 V | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | -55 ° C ~ 175 ° C | 24.5a | 395pf @ 0v, 1MHz | ||||||
![]() | G3S12030B | - | ![]() | 4934 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | Vendeur indéfini | 4436-G3S12030B | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||
![]() | G3S12002D | - | ![]() | 1785 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | Vendeur indéfini | 4436-G3S12002D | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 7a | 136pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | - | ![]() | 7402 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G5S12015L | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 55A | 1370pf @ 0v, 1MHz | ||||
![]() | G5S06510HT | - | ![]() | 1209 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | Vendeur indéfini | 4436-G5S06510HT | 1 | 650 V | 0 ns | -55 ° C ~ 175 ° C | 23.8a | - |
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