SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Vitre Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type de diode Tension - Pic inverse (max)
MUR2510 GeneSiC Semiconductor Mur2510 10.1910
RFQ
ECAD 2130 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1099 EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 100 V 1 V @ 25 A 75 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
UFT14020 GeneSiC Semiconductor UFT14020 -
RFQ
ECAD 6916 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 249ab Standard À 249ab - 1 (illimité) UFT14020G EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 200 V 70a 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N4590R GeneSiC Semiconductor 1N4590R 35.5695
RFQ
ECAD 9089 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AA, DO-8, Stud 1N4590R Polateté Standard et inverse DO-205AA (DO-8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1N4590RGN EAR99 8541.10.0080 10 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,5 V @ 150 A 9 Ma @ 400 V -60 ° C ~ 200 ° C 150a -
MBR30080CTR GeneSiC Semiconductor MBR30080CTR 94.5030
RFQ
ECAD 7792 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée MBR30080 Schottky Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBR30080ctrgn EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 80 V 150a 840 MV @ 150 A 8 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURT30010R GeneSiC Semiconductor Murt30010r 118.4160
RFQ
ECAD 4161 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois Murt30010 Standard Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Murt30010rgn EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 100 V 150a 1,3 V @ 150 A 100 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF50040 GeneSiC Semiconductor MBRF50040 -
RFQ
ECAD 9331 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 40 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
FST6315M GeneSiC Semiconductor FST6315M -
RFQ
ECAD 4458 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis D61-3M Schottky D61-3M - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 15 V 30A 700 mV @ 30 A 1 ma @ 15 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT60030L GeneSiC Semiconductor MBRT60030L -
RFQ
ECAD 5731 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Tournée trois Schottky Tournée trois - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 30 V 300A 580 mV @ 300 A 3 Ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
S12G GeneSiC Semiconductor S12g 4.2345
RFQ
ECAD 4684 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S12GGN EAR99 8541.10.0080 250 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 400 V 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 12A -
MSRT150160AD GeneSiC Semiconductor MSRT150160AD 71.6012
RFQ
ECAD 4590 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MSRT150 Standard Tournée trois - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 1600 V 150a 1.1 V @ 150 A 10 µA à 1600 V -55 ° C ~ 150 ° C
W01M GeneSiC Semiconductor W01M -
RFQ
ECAD 7665 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Par le trou 4 circulaires, WOM Standard Femme télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 1 000 1 V @ 1 A 10 µA à 100 V 1,5 A Monophasé 100 V
FR40GR05 GeneSiC Semiconductor FR40GR05 13.8360
RFQ
ECAD 6130 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR40GR05GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 1 V @ 40 A 500 ns 25 µA à 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
MURTA20020R GeneSiC Semiconductor Murta20020r 145.3229
RFQ
ECAD 4700 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois Murta20020 Standard Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 24 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 200 V 100A 1,3 V @ 100 A 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURT10005 GeneSiC Semiconductor Murt10005 -
RFQ
ECAD 8545 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Tournée trois Standard Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Murt10005gn EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 50 V 50A 1,3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURT20005 GeneSiC Semiconductor Murt20005 -
RFQ
ECAD 2304 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Tournée trois Standard Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Murt20005gn EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 50 V 100A 1,3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
150K40A GeneSiC Semiconductor 150k40a 35.5695
RFQ
ECAD 6651 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AA, DO-8, Stud 150k40 Standard DO-205AA (DO-8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 150K40AGN EAR99 8541.10.0080 10 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,33 V @ 150 A 35 ma @ 400 V -40 ° C ~ 200 ° C 150a -
1N4590 GeneSiC Semiconductor 1N4590 35.5695
RFQ
ECAD 3928 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AA, DO-8, Stud 1N4590 Standard DO-205AA (DO-8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1N4590GN EAR99 8541.10.0080 10 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,5 V @ 150 A 9 Ma @ 400 V -60 ° C ~ 200 ° C 150a -
MBRT30045L GeneSiC Semiconductor MBRT30045L -
RFQ
ECAD 9877 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Tournée trois Schottky Tournée trois - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 45 V 150a 600 mV @ 150 A 3 Ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N1189 GeneSiC Semiconductor 1N1189 7.4730
RFQ
ECAD 1109 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud 1N1189 Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1N1189GN EAR99 8541.10.0080 100 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C 35a -
FST7335M GeneSiC Semiconductor FST7335m -
RFQ
ECAD 1899 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis D61-3M Schottky D61-3M - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 35 V 35a 700 mV @ 35 A 1 ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
S70MR GeneSiC Semiconductor S70MR 9.8985
RFQ
ECAD 5098 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud S70m Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S70mrgn EAR99 8541.10.0080 100 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 1000 V 1.1 V @ 70 A 10 µA à 100 V -65 ° C ~ 180 ° C 70a -
GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A 8.4800
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur Génie SIC SCHOTTKY MPS ™ Tube Actif Par le trou À 220-2 Gd20 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220-2 télécharger 1 (illimité) 1242-GD20MPS12A EAR99 8541.10.0080 50 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 20 A 0 ns 10 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 42a 737pf @ 1v, 1MHz
MBR20080CT GeneSiC Semiconductor MBR20080CT 90.1380
RFQ
ECAD 7252 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée MBR20080 Schottky Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBR20080CTGN EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 80 V 200A (DC) 840 MV @ 100 A 5 ma @ 20 V
MURTA50040R GeneSiC Semiconductor Murta50040r 174.1546
RFQ
ECAD 8889 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois Murta50040 Standard Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Murta50040rgn EAR99 8541.10.0080 24 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 400 V 250a 1,5 V @ 250 A 150 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR5020R GeneSiC Semiconductor MUR5020R 17.8380
RFQ
ECAD 2942 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Mur5020 Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Mur5020rgn EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 200 V 1 V @ 50 A 75 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 50A -
S85K GeneSiC Semiconductor S85K 11.8980
RFQ
ECAD 9079 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S85KGN EAR99 8541.10.0080 100 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 800 V 1,1 V @ 85 A 10 µA à 100 V -65 ° C ~ 180 ° C 85a -
MUR30005CTR GeneSiC Semiconductor Mur30005ctr -
RFQ
ECAD 3402 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Jumelle de tournée Standard Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Mur30005ctrgn EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 50 V 150a 1,3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF30080R GeneSiC Semiconductor MBRF30080R -
RFQ
ECAD 6743 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab MBRF3008 Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 80 V 150a 840 MV @ 150 A 1 ma @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR60030CTR GeneSiC Semiconductor MBR60030CTR 129.3585
RFQ
ECAD 3746 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée MBR60030 Schottky Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Mbr60030ctrgn EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 30 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N3766 GeneSiC Semiconductor 1N3766 6.2320
RFQ
ECAD 4148 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud 1N3766 Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1N3766GN EAR99 8541.10.0080 100 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 800 V 1,2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C 35a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock