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Diodes (2089)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Vitre Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type de diode Tension - Pic inverse (max)
S70KR GeneSiC Semiconductor S70kr 9.8985
RFQ
 ECAD 9090 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud S70K Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S70krgn EAR99 8541.10.0080 100 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 800 V 1.1 V @ 70 A 10 µA à 100 V -65 ° C ~ 180 ° C 70a -
MBR12060CTR GeneSiC Semiconductor MBR12060CTR 68.8455
RFQ
 ECAD 4537 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée MBR12060 Schottky Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1083 EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 60 V 120A (DC) 750 MV @ 60 A 3 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURT40005R GeneSiC Semiconductor Murt40005r -
RFQ
 ECAD 3577 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Tournée trois Standard Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Murt40005rgn EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 50 V 200A 1,3 V @ 200 A 125 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH20060R GeneSiC Semiconductor MBRH20060R 70.0545
RFQ
 ECAD 4676 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis D-67 MBRH20060 Schottky, polaté inversée D-67 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBRH20060RGN EAR99 8541.10.0080 36 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 60 V 750 MV @ 200 A 5 ma @ 20 V 200A -
MBRF600200 GeneSiC Semiconductor MBRF600200 -
RFQ
 ECAD 6418 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 200 V 300A 920 MV @ 300 A 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
S16G GeneSiC Semiconductor S16G 4.5900
RFQ
 ECAD 1490 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Standard - télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S16GGN EAR99 8541.10.0080 250 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 400 V 1.1 V @ 16 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 16A -
MUR10010CTR GeneSiC Semiconductor Mur10010ctr 75.1110
RFQ
 ECAD 2570 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée Mur10010 Standard Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Mur10010ctrgn EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 100 V 50A 1,3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR70K05 GeneSiC Semiconductor FR70K05 17.5905
RFQ
 ECAD 2246 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR70K05GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 800 V 1,4 V @ 70 A 500 ns 25 µA à 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 70a -
MBRH12045R GeneSiC Semiconductor MBRH12045R 60.0375
RFQ
 ECAD 6770 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis D-67 Half-Pak MBRH12045 Schottky, polaté inversée D-67 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 36 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 45 V 700 mV @ 120 A 1 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 120a -
MBR2X060A180 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A180 46.9860
RFQ
 ECAD 2433 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc MBR2X060 Schottky SOT-227 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 52 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 180 V 60A 920 MV @ 60 A 3 Ma @ 180 V -40 ° C ~ 150 ° C
FST160200 GeneSiC Semiconductor FST160200 75.1110
RFQ
 ECAD 3080 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis À 249ab Schottky À 249ab télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 200 V 80A 920 MV @ 80 A 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR30J02 GeneSiC Semiconductor FR30J02 13.4000
RFQ
 ECAD 64 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR30J02GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40 ° C ~ 125 ° C 30A -
MBR60030CT GeneSiC Semiconductor MBR60030CT 129.3585
RFQ
 ECAD 8524 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée MBR60030 Schottky Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBR60030CTGN EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 30 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR10060CT GeneSiC Semiconductor MUR10060CT -
RFQ
 ECAD 9422 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Jumelle de tournée Standard Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Mur10060ctgn EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 600 V 50A 1,7 V @ 50 A 110 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR7545R GeneSiC Semiconductor MBR7545R 21.9195
RFQ
 ECAD 1909 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud MBR7545 Schottky, polaté inversée Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBR7545RGN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 45 V 650 mV @ 75 A 1 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 75a -
MBR2X120A080 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A080 51.8535
RFQ
 ECAD 1508 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc MBR2X120 Schottky SOT-227 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 52 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 80 V 120a 840 MV @ 120 A 1 ma @ 80 V -40 ° C ~ 150 ° C
1N3881 GeneSiC Semiconductor 1N3881 7.1300
RFQ
 ECAD 573 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud 1N3881 Standard Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1070 EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 200 V 1,4 V @ 6 A 200 ns 15 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
FR85JR05 GeneSiC Semiconductor FR85JR05 27.9100
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,4 V @ 85 A 500 ns 25 µA à 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 85a -
GBJ30D GeneSiC Semiconductor GBJ30D 1.1205
RFQ
 ECAD 7632 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, GBJ GBJ30 Standard GBJ télécharger Rohs3 conforme 1242-GBJ30D EAR99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 15 A 5 µA @ 200 V 30 A Monophasé 200 V
FR70GR02 GeneSiC Semiconductor FR70GR02 21.3300
RFQ
 ECAD 124 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,4 V @ 70 A 200 ns 25 µA à 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 70a -
BR84 GeneSiC Semiconductor BR84 0,8910
RFQ
 ECAD 1683 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Par le trou 4 Carrés, BR-8 Standard BR-8 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) BR84GN EAR99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 400 V 8 A Monophasé 400 V
FR16JR05 GeneSiC Semiconductor FR16JR05 8.5020
RFQ
 ECAD 3366 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Polateté Standard et inverse Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR16JR05GN EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 1.1 V @ 16 A 500 ns 25 µA à 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
MBRF12020R GeneSiC Semiconductor MBRF12020R -
RFQ
 ECAD 6666 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Schottky À 244ab télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 20 V 60A 700 mV @ 60 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
S300J GeneSiC Semiconductor S300J 63.8625
RFQ
 ECAD 5668 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AB, DO-9, Stud S300 Standard DO-205AB (DO-9) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S300JGN EAR99 8541.10.0080 8 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,2 V @ 300 A 10 µA à 100 V -60 ° C ~ 200 ° C 300A -
MBRT12060 GeneSiC Semiconductor MBRT12060 75.1110
RFQ
 ECAD 2978 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois Schottky Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBRT12060GN EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 60 V 60A 800 mV @ 60 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT30045R GeneSiC Semiconductor MBRT30045R 107.3070
RFQ
 ECAD 5209 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MBRT30045 Schottky Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1073 EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 45 V 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR70G05 GeneSiC Semiconductor FR70G05 17.5905
RFQ
 ECAD 3917 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR70G05GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,4 V @ 70 A 500 ns 25 µA à 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 70a -
FR30KR05 GeneSiC Semiconductor FR30KR05 10.5930
RFQ
 ECAD 4390 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR30KR05GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 800 V 1 V @ 30 A 500 ns 25 µA à 800 V -40 ° C ~ 125 ° C 30A -
1N3297A GeneSiC Semiconductor 1N3297A 33.8130
RFQ
 ECAD 7080 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AA, DO-8, Stud 1N3297 Standard DO-205AA (DO-8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1N3297AGN EAR99 8541.10.0080 10 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1400 V 1,5 V @ 100 A 7 Ma @ 1400 V -40 ° C ~ 200 ° C 100A -
KBL608G GeneSiC Semiconductor KBL608G 0,5805
RFQ
 ECAD 4232 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbl KBL608 Standard Kbl télécharger Rohs conforme 1 (illimité) KBL608GGN EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 800 V 6 A Monophasé 800 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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