SIC
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Diodes (2089)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Vitre Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type de diode Tension - Pic inverse (max)
MBR200150CT GeneSiC Semiconductor MBR200150CT 90.1380
RFQ
 ECAD 1041 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée MBR200150 Schottky Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 150 V 100A 880 MV @ 100 A 3 Ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH24030 GeneSiC Semiconductor MBRH24030 76.4925
RFQ
 ECAD 9685 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis D-67 Schottky D-67 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 36 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 30 V 720 MV @ 240 A 1 ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 240a -
FR40J02 GeneSiC Semiconductor FR40J02 12.8985
RFQ
 ECAD 7869 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR40J02GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 1 V @ 40 A 250 ns 25 µA à 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
1N2133AR GeneSiC Semiconductor 1N2133AR 8.9025
RFQ
 ECAD 9934 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud 1N2133AR Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1N2133argn EAR99 8541.10.0080 100 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 300 V 1.1 V @ 60 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C 60A -
1N8028-GA GeneSiC Semiconductor 1N8028-GA -
RFQ
 ECAD 2634 0,00000000 Semi-conducteur Génie - Tube Obsolète Par le trou À 257-3 1N8028 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 257 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 10 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,6 V @ 10 A 0 ns 20 µA à 1200 V -55 ° C ~ 250 ° C 9.4a 884pf @ 1v, 1MHz
MBRF30030R GeneSiC Semiconductor MBRF30030R -
RFQ
 ECAD 5710 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab MBRF3003 Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 30 V 150a 700 mV @ 150 A 1 ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N3892 GeneSiC Semiconductor 1N3892 9.3000
RFQ
 ECAD 652 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud 1N3892 Standard Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1035 EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,4 V @ 12 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 12A -
MBRT300200R GeneSiC Semiconductor MBRT300200R 107.3070
RFQ
 ECAD 8196 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MBRT300200 Schottky Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 200 V 150a 920 MV @ 150 A 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
S70JR GeneSiC Semiconductor S70jr 9.8985
RFQ
 ECAD 6030 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud S70J Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S70jrgn EAR99 8541.10.0080 100 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 600 V 1.1 V @ 70 A 10 µA à 100 V -65 ° C ~ 180 ° C 70a -
MBRH30035L GeneSiC Semiconductor MBRH30035L -
RFQ
 ECAD 7289 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis D-67 Schottky D-67 - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 35 V 600 mV à 300 A 3 Ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C 300A -
1N3212 GeneSiC Semiconductor 1N3212 7.0650
RFQ
 ECAD 5672 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud 1N3212 Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1N3212GN EAR99 8541.10.0080 100 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 15A -
S6QR GeneSiC Semiconductor S6qr 3.8625
RFQ
 ECAD 1284 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud S6Q Polateté Standard et inverse Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 250 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 1200 V 1.1 V @ 6 A 10 µA à 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
FR40M05 GeneSiC Semiconductor FR40M05 12.8985
RFQ
 ECAD 4560 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1000 V 1 V @ 40 A 500 ns 25 µA à 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
S300D GeneSiC Semiconductor S300D 63.8625
RFQ
 ECAD 2518 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AB, DO-9, Stud S300 Standard DO-205AB (DO-9) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S300DGN EAR99 8541.10.0080 8 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 200 V 1,2 V @ 300 A 10 µA à 100 V -60 ° C ~ 200 ° C 300A -
1N1188 GeneSiC Semiconductor 1N1188 6.2320
RFQ
 ECAD 3913 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud 1N1188 Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1045 EAR99 8541.10.0080 100 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C 35a -
MSRTA30080AD GeneSiC Semiconductor MSRTA30080AD 113.5544
RFQ
 ECAD 3891 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MSRTA300 Standard Tournée trois - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 18 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 800 V 300A 1.1 V @ 300 A 20 µA à 800 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF600150 GeneSiC Semiconductor MBRF600150 -
RFQ
 ECAD 5956 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 150 V 300A 880 MV @ 300 A 1 ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
KBU1004 GeneSiC Semiconductor KBU1004 0,8205
RFQ
 ECAD 9721 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbu Standard Kbu télécharger Rohs conforme 1 (illimité) KBU1004GN EAR99 8541.10.0080 400 1.05 V @ 10 A 10 µA @ 400 V 10 a Monophasé 400 V
MBRT12035R GeneSiC Semiconductor MBRT12035R 75.1110
RFQ
 ECAD 1990 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MBRT12035 Schottky Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBRT12035RGN EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 35 V 60A 750 MV @ 60 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH12045 GeneSiC Semiconductor MBRH12045 60.0375
RFQ
 ECAD 1810 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis D-67 Schottky D-67 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBRH12045GN EAR99 8541.10.0080 36 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 45 V 650 MV @ 120 A 4 ma @ 20 V 120a -
MUR2560R GeneSiC Semiconductor Mur2560r 10.1910
RFQ
 ECAD 2236 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Mur2560 Polateté Standard et inverse Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Mur2560rgn EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,7 V @ 25 A 90 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
MSRTA30060A GeneSiC Semiconductor MSRTA30060A 56.2380
RFQ
 ECAD 7674 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MSRTA300 Standard Tournée trois - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 600 V 300A (DC) 1,2 V @ 300 A 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N1202A GeneSiC Semiconductor 1N1202A 4.2345
RFQ
 ECAD 8639 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud 1N1202 Standard Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1042 EAR99 8541.10.0080 250 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 200 V 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C 12A -
S70VR GeneSiC Semiconductor S70vr 10.1310
RFQ
 ECAD 8410 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud S70V Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S70vrgn EAR99 8541.10.0080 100 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 1400 V 1.1 V @ 70 A 10 µA à 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 70a -
FR6J02 GeneSiC Semiconductor FR6J02 4.9020
RFQ
 ECAD 8607 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR6J02GN EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,4 V @ 6 A 250 ns 25 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
MUR2X060A06 GeneSiC Semiconductor Mur2x060a06 47.1200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Mur2x060 Standard SOT-227 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1311 EAR99 8541.10.0080 52 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 600 V 60A 1,5 V @ 60 A 90 ns 25 µA à 600 V -55 ° C ~ 175 ° C
MSRT25080A GeneSiC Semiconductor MSRT25080A 54.2296
RFQ
 ECAD 1580 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MSRT25080 Standard Tournée trois - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 800 V 250a (DC) 1,2 V @ 250 A 15 µA à 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR16BR02 GeneSiC Semiconductor FR16BR02 8.5020
RFQ
 ECAD 5034 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Polateté Standard et inverse Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR16BR02GN EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 100 V 900 mV @ 16 A 200 ns 25 µA à 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
S12M GeneSiC Semiconductor S12M 4.2345
RFQ
 ECAD 1831 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S12MGN EAR99 8541.10.0080 250 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 1000 V 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 12A -
GKN26/04 GeneSiC Semiconductor GKN26 / 04 -
RFQ
 ECAD 3544 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 5 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,55 V @ 60 A 4 Ma @ 400 V -40 ° C ~ 180 ° C 25A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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