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Diodes (2089)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)
GD30MPS12J	10.9900	RFQ	119	Semi-conducteur Génie	SIC SCHOTTKY MPS ™	Tube	Actif		Support de surface	À 263-8, d²pak (7 leads + tab), à 263ca		Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 263-7	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	1242-GD30MPS12J	EAR99	8541.10.0080	50	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1200 V			0 ns		175 ° C	30A	-
FR6JR05	5.1225	RFQ	4435	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AA, DO-4, Stud		Polateté Standard et inverse	Do-4	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		FR6JR05GN	EAR99	8541.10.0080	250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		600 V		1,4 V @ 6 A	500 ns	25 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	6A	-
S16jr	4.5900	RFQ	6731	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AA, DO-4, Stud	S16J	Polateté Standard et inverse	-	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		S16jrgn	EAR99	8541.10.0080	250	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		600 V		1.1 V @ 16 A		10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	16A	-
GE2X10MPS06D	-	RFQ	8002	Semi-conducteur Génie	SIC SCHOTTKY MPS ™	Tube	Obsolète		Par le trou	À 247-3	GE2X10	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 247-3	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	1242-GE2X10MPS06D	EAR99	8541.10.0080	30	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)	1 paire la commune de cathode	650 V	23A (DC)				-55 ° C ~ 175 ° C
Murf40060	-	RFQ	5200	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	À 244ab		Standard	À 244	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	600 V	200A	1,7 V @ 200 A	240 ns	25 µA à 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Gb10slt12-252	-	RFQ	5900	Semi-conducteur Génie	-	Tube	Obsolète		Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Gb10slt12	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 252	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	2 500	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1200 V		2 V @ 10 A	0 ns	250 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	520pf @ 1v, 1MHz
MSRTA60080A	109.2000	RFQ	1305	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Tournée trois	MSRTA60080	Standard	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	25	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	800 V	600A (DC)	1,2 V @ 600 A		25 µA à 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
FR85BR02	24.1260	RFQ	6816	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AB, DO-5, Stud		Polateté Standard et inverse	Do-5	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		FR85BR02GN	EAR99	8541.10.0080	100	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		100 V		1,4 V @ 85 A	200 ns	25 µA à 100 V	-40 ° C ~ 125 ° C	85a	-
MBRT50060R	-	RFQ	8392	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBRT50060RGN	EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	60 V	250a	800 mV @ 250 A		1 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRT20060R	102.9600	RFQ	152	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Tournée trois	MBRT20060	Schottky	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBRT20060RGN	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	60 V	100A	800 mV à 100 A		1 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRF400150	-	RFQ	8788	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	À 244ab		Schottky	À 244ab	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	150 V	200A	880 MV @ 200 A		1 ma @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
S12BR	4.2345	RFQ	2679	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AA, DO-4, Stud	S12b	Polateté Standard et inverse	Do-4	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		S12brgn	EAR99	8541.10.0080	250	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		100 V		1.1 V @ 12 A		10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	12A	-
GD10MPS17H	8.1700	RFQ	7530	Semi-conducteur Génie	SIC SCHOTTKY MPS ™	Tube	Actif		Par le trou	À 247-2		Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 247-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	1242-GD10MPS17H	EAR99	8541.10.0080	30	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1700 V		1,8 V @ 10 A	0 ns	20 µA à 1700 V	-55 ° C ~ 175 ° C	26a	721pf @ 1v, 1MHz
KBPC1508W	2.1795	RFQ	1295	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, KBPC-W	KBPC1508	Standard	Kbpc-w	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	50					1,1 V @ 7,5 A		5 µA @ 800 V		15 A		Monophasé	800 V
Mbrt30030rl	-	RFQ	7872	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	30 V	150a	580 MV @ 150 A		3 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Mur5005	17.4870	RFQ	1315	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AB, DO-5, Stud		Standard	Do-5	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MUR5005GN	EAR99	8541.10.0080	100	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		50 V		1 V @ 50 A	75 ns	10 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	50A	-
M3P100A-60	-	RFQ	4378	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète	-	Soutenir de châssis	Module		Standard	Module	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	25					1,15 V @ 100 A		10 mA @ 600 V		100 A		Triphasé	600 V
KBPC3508T	2.4720	RFQ	1551	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, KBPC-T	KBPC3508	Standard	Kbpc	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	50					1,1 V @ 17,5 A		5 µA @ 800 V		35 A		Monophasé	800 V
Kbl610g	0,5805	RFQ	7504	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, kbl	Kbl610	Standard	Kbl	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		KBL610GGN	EAR99	8541.10.0080	500					1.1 V @ 6 A		5 µA à 1000 V		6 A		Monophasé	1 kv
KBPC1502T	2.1795	RFQ	5939	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, KBPC-T	KBPC1502	Standard	Kbpc	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	50					1,1 V @ 7,5 A		5 µA @ 200 V		15 A		Monophasé	200 V
KBPC2508T	2.2995	RFQ	2585	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, KBPC-T	KBPC2508	Standard	Kbpc	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	50					1,1 V @ 12,5 A		10 µA @ 800 V		25 A		Monophasé	800 V
KBPC1501T	2.1795	RFQ	2447	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, KBPC-T	KBPC1501	Standard	Kbpc	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	50					1,1 V @ 7,5 A		5 µA à 1000 V		15 A		Monophasé	100 V
KBPC25005T	2.2995	RFQ	9439	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, KBPC-T	KBPC25005	Standard	Kbpc	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	50					1,1 V @ 12,5 A		5 µA @ 50 V		25 A		Monophasé	50 V
DB154G	0,2325	RFQ	4951	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-Edip (0,321 ", 8,15 mm)	DB154	Standard	Db	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		DB154GGN	EAR99	8541.10.0080	2 500					1,1 V @ 1,5 A		5 µA @ 400 V		1,5 A		Monophasé	400 V
KBPC1506T	2.1795	RFQ	4066	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, KBPC-T	KBPC1506	Standard	Kbpc	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	50					1,1 V @ 7,5 A		10 µA @ 600 V		15 A		Monophasé	600 V
KBPM204G	-	RFQ	3278	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, kbpm		Standard	Kbpm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	KBPM204GGN	EAR99	8541.10.0080	1 000					1.1 V @ 2 A		5 µA @ 50 V		2 A		Monophasé	400 V
S40kr	10.3200	RFQ	91	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutien	DO-203AB, DO-5, Stud	S40K	Polateté Standard et inverse	DO-203AB (DO-5)	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	100	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		800 V		1.1 V @ 40 A		10 µA à 100 V	-65 ° C ~ 190 ° C	40a	-
1N6095R	18.2400	RFQ	1818	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AA, DO-4, Stud	1N6095R	Schottky, polaté inversée	Do-4	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		30 V		580 MV @ 25 A		2 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C	25A	-
MBRT200150R	98.8155	RFQ	9696	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Tournée trois	MBRT200150	Schottky	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	150 V	100A	880 MV @ 100 A		1 ma @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
GD02MPS12E	1.5400	RFQ	8853	Semi-conducteur Génie	SIC SCHOTTKY MPS ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 252-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	2 500	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1200 V		1,8 V @ 2 A	0 ns	5 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8a	73pf @ 1v, 1mhz

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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