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Diodes (2089)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)
KBPC15005T	2.1795	RFQ	4373	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, KBPC-T	KBPC15005	Standard	Kbpc	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	50					1,1 V @ 7,5 A		5 µA @ 50 V		15 A		Monophasé	50 V
GBJ10G	0,7470	RFQ	3356	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GBJ	GBJ10	Standard	GBJ	télécharger	Rohs3 conforme			1242-GBJ10G	EAR99	8541.10.0080	200					1.05 V @ 5 A		5 µA @ 400 V		10 a		Monophasé	400 V
W08M	-	RFQ	2194	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète	-65 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	4 circulaires, WOM		Standard	Femme	télécharger		1 (illimité)		W08MGN	EAR99	8541.10.0080	1 000					1 V @ 1 A		5 µA @ 800 V		1,5 A		Monophasé	800 V
S85d	11.8980	RFQ	9788	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AB, DO-5, Stud		Standard	Do-5	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		S85dgn	EAR99	8541.10.0080	100	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		200 V		1,1 V @ 85 A		10 µA à 100 V	-65 ° C ~ 180 ° C	85a	-
KBJ410G	0,5160	RFQ	3704	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, KBJ	KBJ410	Standard	Kbj	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		KBJ410GGN	EAR99	8541.10.0080	250					1.1 V @ 4 A		5 µA à 1000 V		4 A		Monophasé	1 kv
GBJ20B	0,9120	RFQ	1309	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GBJ	GBJ20	Standard	GBJ	télécharger	Rohs3 conforme			1242-GBJ20B	EAR99	8541.10.0080	200					1.05 V @ 10 A		5 µA @ 100 V		20 a		Monophasé	100 V
MBRH20030L	-	RFQ	8114	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	D-67		Schottky	D-67	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		30 V		580 MV @ 200 A		3 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C	200A	-
MBRT12020R	75.1110	RFQ	9313	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Tournée trois	MBRT12020	Schottky	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBRT12020RGN	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	20 V	60A	750 MV @ 60 A		1 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
GBU6B	1.5300	RFQ	382	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GBU	GBU6	Standard	GBU	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	500					1.1 V @ 6 A		5 µA @ 100 V		6 A		Monophasé	100 V
KBPC1510T	2.1825	RFQ	6293	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, KBPC-T	KBPC1510	Standard	Kbpc-t	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	50					1,1 V @ 7,5 A		5 µA @ 800 V		15 A		Monophasé	1 kv
W02M	-	RFQ	7609	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète	-65 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	4 circulaires, WOM		Standard	Femme	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	1 000					1 V @ 1 A		10 µA @ 200 V		1,5 A		Monophasé	200 V
GD2X20MPS12D	15.2500	RFQ	576	Semi-conducteur Génie	SIC SCHOTTKY MPS ™	Tube	Actif		Par le trou	À 247-3	Gd2x	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 247-3	télécharger		1 (illimité)		1242-GD2X20MPS12D	EAR99	8541.10.0080	30	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)	1 paire la commune de cathode	1200 V	39A (DC)	1,8 V @ 20 A	0 ns	10 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
MBRT12030R	62.6320	RFQ	6884	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Tournée trois	MBRT12030	Schottky	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBRT12030RGN	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	30 V	60A	750 MV @ 60 A		1 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Kbu6g	0,7035	RFQ	3168	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, kbu	Kbu6	Standard	Kbu	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		KBU6GGN	EAR99	8541.10.0080	400					1 V @ 6 A		10 µA @ 50 V		6 A		Monophasé	400 V
MBRT20020R	98.8155	RFQ	1324	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Tournée trois	MBRT20020	Schottky	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBRT20020RGN	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	20 V	100A	750 MV @ 100 A		1 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRF120150R	-	RFQ	3804	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	À 244ab		Schottky	À 244ab	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	150 V	60A	880 MV @ 60 A		1 ma @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BR108	2.1100	RFQ	29	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-10		Standard	BR-10	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		BR108GN	EAR99	8541.10.0080	200					1.1 V @ 5 A		10 µA @ 800 V		10 a		Monophasé	800 V
BR34	0,5700	RFQ	6883	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-3		Standard	BR-3	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		BR34GN	EAR99	8541.10.0080	200					1 V @ 1,5 A		10 µA @ 400 V		3 A		Monophasé	400 V
1N5827R	13.3005	RFQ	3746	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AB, DO-5, Stud	1N5827R	Schottky, polaté inversée	Do-5	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		1N5827RGN	EAR99	8541.10.0080	250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		30 V		470 MV @ 15 A		10 ma @ 20 V	-65 ° C ~ 150 ° C	15A	-
1N3212R	7.0650	RFQ	8817	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AB, DO-5, Stud	1N3212R	Polateté Standard et inverse	Do-5	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		1N3212RGN	EAR99	8541.10.0080	100	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		400 V		1,5 V @ 15 A		10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
S16kr	4.5900	RFQ	2238	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AA, DO-4, Stud	S16K	Polateté Standard et inverse	-	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		S16krgn	EAR99	8541.10.0080	250	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		800 V		1.1 V @ 16 A		10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	16A	-
Mbrta80030rl	-	RFQ	4676	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	18	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	30 V	400A	580 MV @ 400 A		3 Ma @ 30 V	-40 ° C ~ 100 ° C
MUR10020CT	75.1110	RFQ	7359	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Jumelle de tournée	MUR10020	Standard	Jumelle de tournée	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		Mur10020ctgn	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	200 V	50A	1,3 V @ 50 A	75 ns	25 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRH12035R	60.0375	RFQ	2167	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	D-67	MBRH12035	Schottky, polaté inversée	D-67	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBRH12035RGN	EAR99	8541.10.0080	36	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		35 V		650 MV @ 120 A		4 ma @ 20 V		120a	-
KBPC3508W	2.4720	RFQ	3114	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, KBPC-W	KBPC3508	Standard	Kbpc-w	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	50					1,1 V @ 17,5 A		5 µA @ 800 V		35 A		Monophasé	800 V
GD30MPS12J	10.9900	RFQ	119	Semi-conducteur Génie	SIC SCHOTTKY MPS ™	Tube	Actif		Support de surface	À 263-8, d²pak (7 leads + tab), à 263ca		Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 263-7	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	1242-GD30MPS12J	EAR99	8541.10.0080	50	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1200 V			0 ns		175 ° C	30A	-
FR6JR05	5.1225	RFQ	4435	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AA, DO-4, Stud		Polateté Standard et inverse	Do-4	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		FR6JR05GN	EAR99	8541.10.0080	250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		600 V		1,4 V @ 6 A	500 ns	25 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	6A	-
S16jr	4.5900	RFQ	6731	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AA, DO-4, Stud	S16J	Polateté Standard et inverse	-	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		S16jrgn	EAR99	8541.10.0080	250	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		600 V		1.1 V @ 16 A		10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	16A	-
Mur40040ctr	132.0780	RFQ	1374	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Jumelle de tournée	Mur40040	Standard	Jumelle de tournée	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		Mur40040ctrgn	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	400 V	200A	1,3 V @ 125 A	150 ns	25 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C
GD30MPS06J	6.4200	RFQ	733	Semi-conducteur Génie	SIC SCHOTTKY MPS ™	Tube	Actif		Support de surface	À 263-8, d²pak (7 leads + tab), à 263ca	GD30MPS06	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 263-7	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	1242-GD30MPS06J	EAR99	8541.10.0080	50	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V					-55 ° C ~ 175 ° C	51a	735pf @ 1v, 1MHz

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Entrepôt en stock

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