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Diodes (2089)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Vitre Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type de diode Tension - Pic inverse (max)
1N3893 GeneSiC Semiconductor 1N3893 5.6380
RFQ
 ECAD 7772 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud 1N3893 Standard Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1N3893GN EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,4 V @ 12 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 12A -
S320QR GeneSiC Semiconductor S320QR 62.2080
RFQ
 ECAD 7564 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AB, DO-9, Stud S320 Polateté Standard et inverse DO-205AB (DO-9) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S320qrgn EAR99 8541.10.0080 8 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1200 V 1,2 V @ 300 A 10 µA @ 600 V -60 ° C ~ 180 ° C 320A -
FST10040 GeneSiC Semiconductor FST10040 65.6445
RFQ
 ECAD 2546 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis À 249ab Schottky À 249ab télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 40 V 100A 650 mV @ 100 A 2 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR20030CTR GeneSiC Semiconductor MBR20030CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 2533 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée MBR20030 Schottky Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1023 EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 30 V 200A (DC) 650 mV @ 100 A 5 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR6A05 GeneSiC Semiconductor FR6A05 8.1330
RFQ
 ECAD 8895 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR6A05GN EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 50 V 1,4 V @ 6 A 500 ns 25 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
MUR7005 GeneSiC Semiconductor Mur7005 17.5905
RFQ
 ECAD 8236 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Mur7005GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 50 V 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 70a -
MBRH24035R GeneSiC Semiconductor MBRH24035R 76.4925
RFQ
 ECAD 4987 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis D-67 MBRH24035 Schottky D-67 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 36 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 35 V 720 MV @ 240 A 1 ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C 240a -
MUR20060CT GeneSiC Semiconductor Mur20060ct 101.6625
RFQ
 ECAD 4761 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée Mur20060 Standard Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Mur20060ctgn EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 600 V 100A 1,7 V @ 50 A 110 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH20080 GeneSiC Semiconductor MBRH20080 70.0545
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 ECAD 9447 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis D-67 Schottky D-67 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBRH20080GN EAR99 8541.10.0080 36 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 80 V 840 MV @ 200 A 5 ma @ 20 V 200A -
MBRH24040 GeneSiC Semiconductor MBRH24040 76.4925
RFQ
 ECAD 9312 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis D-67 Schottky D-67 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 36 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 40 V 720 MV @ 240 A 1 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 240a -
MBRH20020RL GeneSiC Semiconductor MBRH20020RL -
RFQ
 ECAD 9676 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis D-67 Schottky, polaté inversée D-67 - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 20 V 580 MV @ 200 mA 3 Ma @ 20 V 200A -
MBR300100CTR GeneSiC Semiconductor MBR300100CTR 94.5030
RFQ
 ECAD 6689 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée MBR300100 Schottky Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBR300100CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 100 V 150a 840 MV @ 150 A 8 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA40020R GeneSiC Semiconductor MURTA40020R 159.9075
RFQ
 ECAD 2875 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois Murta40020 Standard Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 24 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 200 V 200A 1,3 V @ 200 A 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N2137A GeneSiC Semiconductor 1N2137A 8.9025
RFQ
 ECAD 4089 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud 1N2137 Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1N2137AGN EAR99 8541.10.0080 100 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 500 V 1.1 V @ 60 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C 60A -
MBR40030CTR GeneSiC Semiconductor MBR40030CTR 98.8155
RFQ
 ECAD 2747 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée MBR40030 Schottky Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBR40030ctrgn EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 30 V 200A 650 MV @ 200 A 5 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURH7040R GeneSiC Semiconductor MURH7040R 49.5120
RFQ
 ECAD 1317 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis D-67 MURH7040 Standard D-67 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 36 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,3 V @ 70 A 90 ns 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 155 ° C 70a -
MBRH240150R GeneSiC Semiconductor MBRH240150R 76.4925
RFQ
 ECAD 2288 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis D-67 MBRH240150 Schottky D-67 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 36 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 150 V 880 MV @ 240 A 1 ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 240a -
MURT10060 GeneSiC Semiconductor Murt10060 93.0525
RFQ
 ECAD 9508 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois Standard Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Murt10060gn EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 600 V 50A 1,7 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH20045 GeneSiC Semiconductor MBRH20045 75.0900
RFQ
 ECAD 5656 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis D-67 Schottky D-67 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1006 EAR99 8541.10.0080 36 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 45 V 650 MV @ 200 A 5 ma @ 20 V 200A -
1N4596R GeneSiC Semiconductor 1N4596R 35.8125
RFQ
 ECAD 4089 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AA, DO-8, Stud 1N4596R Polateté Standard et inverse DO-205AA (DO-8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1N4596RGN EAR99 8541.10.0080 10 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1400 V 1,5 V @ 150 A 3,5 Ma @ 1400 V -60 ° C ~ 200 ° C 150a -
MBRT500100 GeneSiC Semiconductor MBRT500100 -
RFQ
 ECAD 1383 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Tournée trois Schottky Tournée trois télécharger 1 (illimité) MBRT500100GN EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 100 V 250a 880 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MSRT150120A GeneSiC Semiconductor MSRT150120A 38.5632
RFQ
 ECAD 3557 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MSRT150 Standard Tournée trois - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 1200 V 150a 1,2 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT30035R GeneSiC Semiconductor MBRT30035R 111.0800
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MBRT30035 Schottky, polaté inversée Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1004 EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 35 V 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA80035L GeneSiC Semiconductor MBRTA80035L -
RFQ
 ECAD 5521 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Tournée trois Schottky Tournée trois - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 18 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 35 V 400A 600 mV @ 400 A 3 Ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR16KR05 GeneSiC Semiconductor FR16KR05 8.5020
RFQ
 ECAD 2467 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Polateté Standard et inverse Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR16KR05GN EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 800 V 1.1 V @ 16 A 500 ns 25 µA à 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
GBPC1504T GeneSiC Semiconductor GBPC1504T 2.4180
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 ECAD 9648 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Carrés, GBPC GBPC1504 Standard GBPC télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 A 5 µA @ 400 V 15 A Monophasé 400 V
FR30K05 GeneSiC Semiconductor FR30K05 10.3155
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 ECAD 5312 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR30K05GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 800 V 1 V @ 30 A 500 ns 25 µA à 800 V -40 ° C ~ 125 ° C 30A -
150K20A GeneSiC Semiconductor 150k20a 35.5695
RFQ
 ECAD 1651 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AA, DO-8, Stud 150k20 Standard DO-205AA (DO-8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 150K20AGN EAR99 8541.10.0080 10 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 200 V 1,33 V @ 150 A 35 Ma @ 200 V -40 ° C ~ 200 ° C 150a -
MBRH20035 GeneSiC Semiconductor MBRH20035 70.0545
RFQ
 ECAD 7861 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis D-67 Schottky D-67 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBRH20035GN EAR99 8541.10.0080 36 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 35 V 650 MV @ 200 A 5 ma @ 20 V 200A -
MBR12035CTR GeneSiC Semiconductor MBR12035CTR 68.8455
RFQ
 ECAD 2768 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée MBR12035 Schottky Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBR12035ctrgn EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 35 V 120A (DC) 650 MV @ 120 A 3 Ma @ 20 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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