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Diodes (2089)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)
GBU10B	1.6300	RFQ	7	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GBU	GBU10	Standard	GBU	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		GBU10BGN	EAR99	8541.10.0080	500					1.1 V @ 10 A		5 µA @ 50 V		10 a		Monophasé	100 V
FST7345m	-	RFQ	9556	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	D61-3M		Schottky	D61-3M	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	45 V	35a	700 mV @ 35 A		1 ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C
FR70DR05	17.7855	RFQ	2925	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AB, DO-5, Stud		Polateté Standard et inverse	Do-5	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		FR70DR05GN	EAR99	8541.10.0080	100	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		200 V		1,4 V @ 70 A	500 ns	25 µA à 100 V	-40 ° C ~ 125 ° C	70a	-
MBR120CT	68.8455	RFQ	2134	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Jumelle de tournée	MBR12020	Schottky	Jumelle de tournée	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		1242-1069	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	20 V	120A (DC)	650 MV @ 120 A		3 Ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
S380Z	83.7480	RFQ	8357	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-205AB, DO-9, Stud	S380	Standard	DO-205AB (DO-9)	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		S380ZGN	EAR99	8541.10.0080	8	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		2000 V		1,2 V @ 380 A		10 µA à 1600 V	-60 ° C ~ 180 ° C	380a	-
FR70DR02	17.7855	RFQ	6713	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AB, DO-5, Stud		Polateté Standard et inverse	Do-5	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		FR70DR02GN	EAR99	8541.10.0080	100	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		200 V		1,4 V @ 70 A	200 ns	25 µA à 100 V	-40 ° C ~ 125 ° C	70a	-
Mbrta80040rl	-	RFQ	1126	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	18	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	40 V	400A	600 mV @ 400 A		5 ma @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA50020R	-	RFQ	2232	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	18	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	150 V	250a	880 MV @ 250 A		4 Ma @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
1N3891	9.3000	RFQ	196	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AA, DO-4, Stud	1N3891	Standard	Do-4	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		200 V		1,4 V @ 12 A	200 ns	25 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	12A	-
1N6097	20.4585	RFQ	4524	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AB, DO-5, Stud	1N6097	Schottky	Do-5	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		1N6097GN	EAR99	8541.10.0080	100	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		30 V		700 mV @ 50 A		5 ma @ 30 V	-65 ° C ~ 150 ° C	50A	-
FR6B02	4.9020	RFQ	2049	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AA, DO-4, Stud		Standard	Do-4	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		FR6B02GN	EAR99	8541.10.0080	250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		100 V		1,4 V @ 6 A	200 ns	25 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	6A	-
MBRF400150	-	RFQ	8788	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	À 244ab		Schottky	À 244ab	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	150 V	200A	880 MV @ 200 A		1 ma @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
FST160100	75.1110	RFQ	6738	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	À 249ab		Schottky	À 249ab	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		FST160100GN	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	100 V	160a (DC)	880 MV @ 160 A		1 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRT12030R	62.6320	RFQ	6884	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Tournée trois	MBRT12030	Schottky	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBRT12030RGN	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	30 V	60A	750 MV @ 60 A		1 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Murta40060	159.9075	RFQ	5153	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Tournée trois		Standard	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	24	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	600 V	200A	1,7 V @ 200 A		25 µA à 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Murta30040	159.9075	RFQ	4954	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Tournée trois		Standard	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	24	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	400 V	150a	1,3 V @ 150 A		25 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C
GD10MPS17H	8.1700	RFQ	7530	Semi-conducteur Génie	SIC SCHOTTKY MPS ™	Tube	Actif		Par le trou	À 247-2		Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 247-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	1242-GD10MPS17H	EAR99	8541.10.0080	30	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1700 V		1,8 V @ 10 A	0 ns	20 µA à 1700 V	-55 ° C ~ 175 ° C	26a	721pf @ 1v, 1MHz
MBRH12060R	60.0375	RFQ	9077	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	D-67	MBRH12060	Schottky, polaté inversée	D-67	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBRH12060RGN	EAR99	8541.10.0080	36	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		60 V		750 MV @ 120 A		4 ma @ 20 V		120a	-
MBRF120100	-	RFQ	4438	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	À 244ab		Schottky	À 244ab	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	100 V	60A	840 MV @ 60 A		1 ma @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C
UFT10060	-	RFQ	6080	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	À 249ab		Standard	À 249ab	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	600 V	50A	1,7 V @ 50 A	90 ns	25 µA à 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR600150CTR	129.3585	RFQ	2637	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Jumelle de tournée	MBR600150	Schottky	Jumelle de tournée	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	150 V	300A	880 MV @ 300 A		3 Ma @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X080A120	48.6255	RFQ	1011	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	MBR2X080	Schottky	SOT-227	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	52	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	2 indépendant	120 V	80A	880 MV @ 80 A		3 Ma @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C
MBRTA600200	-	RFQ	6985	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	18	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	200 V	300A	920 MV @ 300 A		4 Ma @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRH20020R	70.0545	RFQ	4250	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	D-67	MBRH20020	Schottky, polaté inversée	D-67	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBRH20020RGN	EAR99	8541.10.0080	36	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		20 V		650 MV @ 200 A		5 ma @ 20 V		200A	-
MBRT120150	-	RFQ	3624	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	150 V	60A	880 MV @ 60 A		1 ma @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X100A200	50.2485	RFQ	8518	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	MBR2X100	Schottky	SOT-227	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	52	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	2 indépendant	200 V	100A	920 MV @ 100 A		3 Ma @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
Gkr240 / 12	59.1425	RFQ	1015	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-205AB, DO-9, Stud	GKR240	Standard	DO-205AB (DO-9)	-	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	8	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		1200 V		1,4 V @ 60 A		60 mA @ 1200 V	-40 ° C ~ 180 ° C	320A	-
MURH7010R	49.5120	RFQ	4172	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	D-67	MURH7010	Standard	D-67	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	36	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		100 V		1 V @ 70 A	75 ns	25 µA à 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	70a	-
MBRTA50080	-	RFQ	6541	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	18	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	80 V	250a	840 MV @ 250 A		1 ma @ 80 V	-55 ° C ~ 150 ° C
1N8031-GA	-	RFQ	6939	Semi-conducteur Génie	-	Tube	Obsolète		Par le trou	À 276aa	1N8031	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 276	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	10	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,5 V @ 1 A	0 ns	5 µA @ 650 V	-55 ° C ~ 250 ° C	1A	76pf @ 1v, 1mhz

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
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Diodes (2089)

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