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Diodes (2089)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)
Murta40060	159.9075	RFQ	5153	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Tournée trois		Standard	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	24	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	600 V	200A	1,7 V @ 200 A		25 µA à 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X060A150	46.9860	RFQ	3110	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	MBR2X060	Schottky	SOT-227	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	52	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	2 indépendant	150 V	60A	880 MV @ 60 A		3 Ma @ 150 V	-40 ° C ~ 150 ° C
MBR2X080A120	48.6255	RFQ	1011	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	MBR2X080	Schottky	SOT-227	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	52	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	2 indépendant	120 V	80A	880 MV @ 80 A		3 Ma @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C
MBRH20020R	70.0545	RFQ	4250	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	D-67	MBRH20020	Schottky, polaté inversée	D-67	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBRH20020RGN	EAR99	8541.10.0080	36	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		20 V		650 MV @ 200 A		5 ma @ 20 V		200A	-
UFT10060	-	RFQ	6080	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	À 249ab		Standard	À 249ab	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	600 V	50A	1,7 V @ 50 A	90 ns	25 µA à 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR600150CTR	129.3585	RFQ	2637	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Jumelle de tournée	MBR600150	Schottky	Jumelle de tournée	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	150 V	300A	880 MV @ 300 A		3 Ma @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X100A200	50.2485	RFQ	8518	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	MBR2X100	Schottky	SOT-227	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	52	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	2 indépendant	200 V	100A	920 MV @ 100 A		3 Ma @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
Gkr240 / 12	59.1425	RFQ	1015	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-205AB, DO-9, Stud	GKR240	Standard	DO-205AB (DO-9)	-	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	8	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		1200 V		1,4 V @ 60 A		60 mA @ 1200 V	-40 ° C ~ 180 ° C	320A	-
MBRT120150	-	RFQ	3624	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	150 V	60A	880 MV @ 60 A		1 ma @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA600200	-	RFQ	6985	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	18	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	200 V	300A	920 MV @ 300 A		4 Ma @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MURH7010R	49.5120	RFQ	4172	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	D-67	MURH7010	Standard	D-67	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	36	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		100 V		1 V @ 70 A	75 ns	25 µA à 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	70a	-
FST160150	75.1110	RFQ	6755	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	À 249ab		Schottky	À 249ab	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	150 V	80A	880 MV @ 80 A		1 ma @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MSRT250160A	54.2296	RFQ	5113	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Tournée trois	MSRT250160	Standard	Tournée trois	-	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	25	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	1600 V	250a (DC)	1,2 V @ 250 A		15 µA à 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Murt40005	-	RFQ	7628	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Tournée trois		Standard	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		Murt40005gn	EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	50 V	200A	1,3 V @ 200 A	125 ns	25 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C
1N8031-GA	-	RFQ	6939	Semi-conducteur Génie	-	Tube	Obsolète		Par le trou	À 276aa	1N8031	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 276	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	10	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,5 V @ 1 A	0 ns	5 µA @ 650 V	-55 ° C ~ 250 ° C	1A	76pf @ 1v, 1mhz
MBRTA50080	-	RFQ	6541	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	18	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	80 V	250a	840 MV @ 250 A		1 ma @ 80 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRH1503L	-	RFQ	8124	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	D-67		Schottky	D-67	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		30 V		580 MV @ 150 A		3 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C	150a	-
MBRF60035	-	RFQ	7709	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	À 244ab		Schottky	À 244ab	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	35 V	300A (DC)	650 MV @ 300 A		10 ma @ 20 V	-40 ° C ~ 175 ° C
MBR50045CTR	-	RFQ	3546	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Jumelle de tournée		Schottky, polaté inversée	Jumelle de tournée	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBR50045ctrgn	EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	45 V	250a	750 MV @ 250 A		1 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
GD30MPS06J	6.4200	RFQ	733	Semi-conducteur Génie	SIC SCHOTTKY MPS ™	Tube	Actif		Support de surface	À 263-8, d²pak (7 leads + tab), à 263ca	GD30MPS06	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 263-7	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	1242-GD30MPS06J	EAR99	8541.10.0080	50	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V					-55 ° C ~ 175 ° C	51a	735pf @ 1v, 1MHz
MBR2X100A120	50.2485	RFQ	7272	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	MBR2X100	Schottky	SOT-227	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	52	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	2 indépendant	120 V	100A	880 MV @ 100 A		3 Ma @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C
MBR7530	20.8845	RFQ	8336	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AB, DO-5, Stud		Schottky	Do-5	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBR7530GN	EAR99	8541.10.0080	100	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		30 V		650 mV @ 75 A		5 ma @ 20 V	-65 ° C ~ 150 ° C	75a	-
MBRTA60040L	-	RFQ	7753	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	18	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	40 V	300A	600 mV à 300 A		5 ma @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA50030	-	RFQ	7293	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	18	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	30 V	250a	700 mV @ 250 A		1 ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Kbu8b	0,7425	RFQ	7012	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, kbu	Kbu8	Standard	Kbu	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		Kbu8bgn	EAR99	8541.10.0080	400					1 V @ 8 A		10 µA à 100 V		8 A		Monophasé	100 V
Gkr26 / 12	-	RFQ	3728	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Châssis, montage	DO-203AA, DO-4, Stud		Standard	Do-4	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	5	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		1200 V		1,55 V @ 60 A		4 Ma @ 1200 V	-40 ° C ~ 180 ° C	25A	-
MBR3545	17.6600	RFQ	2	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AA, DO-4, Stud		Schottky	Do-4	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBR3545GN	EAR99	8541.10.0080	250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		45 V		680 MV @ 35 A		1,5 Ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C	35a	-
MBRT60060	140.2020	RFQ	9162	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBRT60060GN	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	60 V	300A	800 mV @ 300 A		1 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
GKR130 / 18	35.8210	RFQ	2516	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-205AA, DO-8, Stud	GKR130	Polateté Standard et inverse	DO-205AA (DO-8)	-	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	10	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		1800 V		1,5 V @ 60 A		22 Ma @ 1800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	165a	-
MBR60020CT	129.3585	RFQ	2532	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Jumelle de tournée	MBR60020	Schottky	Jumelle de tournée	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBR60020CTGN	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	20 V	300A	750 MV @ 300 A		1 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Diodes (2089)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²