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Diodes (2089)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)
MBR40030CTL	-	RFQ	4971	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Jumelle de tournée		Schottky	Jumelle de tournée	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	30 V	200A	580 MV @ 200 A		3 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
FR12B02	8.2245	RFQ	9661	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AA, DO-4, Stud		Standard	Do-4	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		FR12B02GN	EAR99	8541.10.0080	250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		100 V		800 mV @ 12 A	200 ns	25 µA à 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	12A	-
Murt20020r	104.4930	RFQ	8451	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Tournée trois	Murt20020	Standard	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		Murt20020rgn	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	200 V	100A	1,3 V @ 100 A	75 ns	25 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA300160D	159.9075	RFQ	7548	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Module	MSRTA300	Standard	-	télécharger	Rohs3 conforme			1242-MSRTA300160D	EAR99	8541.10.0080	24	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	Connexion de la Séririe 1 paire	1600 V	300A	1.1 V @ 300 A		20 µA à 1600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRT30045	107.3070	RFQ	5037	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		1242-1088	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	45 V	150a	750 MV @ 150 A		1 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
S320J	63.8625	RFQ	6900	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-205AB, DO-9, Stud	S320	Standard	DO-205AB (DO-9)	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		S320JGN	EAR99	8541.10.0080	8	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		600 V		1,2 V @ 300 A		10 µA @ 600 V	-60 ° C ~ 180 ° C	320A	-
MBR500200CT	-	RFQ	2566	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Jumelle de tournée		Schottky	Jumelle de tournée	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	200 V	250a	920 MV @ 250 A		3 Ma @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C
S85V	12.1170	RFQ	8070	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AB, DO-5, Stud		Standard	Do-5	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		S85vgn	EAR99	8541.10.0080	100	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		1400 V		1,1 V @ 85 A		10 µA à 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	85a	-
1N6098	24.1300	RFQ	5218	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AB, DO-5, Stud	1N6098	Schottky	Do-5	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		1242-1107	EAR99	8541.10.0080	100	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		40 V		700 mV @ 50 A		5 ma @ 30 V	-65 ° C ~ 150 ° C	50A	-
MBR6060	20.2695	RFQ	8592	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AB, DO-5, Stud	MBR6060	Schottky	Do-5	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBR6060GN	EAR99	8541.10.0080	100	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		60 V		750 MV @ 60 A		5 ma @ 20 V	-65 ° C ~ 150 ° C	60A	-
MBRH120200	60.0375	RFQ	9663	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	D-67		Schottky	D-67	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	36	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		200 V		920 MV @ 120 A		1 ma @ 200 V		120a	-
MBRH12030R	60.0375	RFQ	1216	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	D-67	MBRH12030	Schottky, polaté inversée	D-67	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBRH12030RGN	EAR99	8541.10.0080	36	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		30 V		650 MV @ 120 A		4 ma @ 20 V		120a	-
MBR60020CTRL	-	RFQ	7338	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Jumelle de tournée		Schottky	Jumelle de tournée	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	20 V	300A	580 mV @ 300 A		3 Ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Mur2x120a06	50.2485	RFQ	7993	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Mur2x120	Standard	SOT-227	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	52	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	2 indépendant	600 V	120a	1,3 V @ 120 A		25 µA à 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C
FST6360M	-	RFQ	3705	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	D61-3M		Schottky	D61-3M	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	60 V	30A	750 MV @ 30 A		1 ma @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Db103g	1,3000	RFQ	5	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-Edip (0,321 ", 8,15 mm)	Db103	Standard	Db	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	2 500					1.1 V @ 1 A		10 µA @ 200 V		1 a		Monophasé	200 V
GB05MPS33-263	30.3000	RFQ	162	Semi-conducteur Génie	SIC SCHOTTKY MPS ™	Tube	Actif		Support de surface	À 263-8, d²pak (7 leads + tab), à 263ca	GB05MPS33	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 263-7	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	1242-1351	EAR99	8541.10.0080	50	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		3300 V		3 V @ 5 A	0 ns	10 µA à 3000 V	-55 ° C ~ 175 ° C	14A	288pf @ 1v, 1mhz
Mur2x030a10	-	RFQ	4565	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc		Standard	SOT-227	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		1242-1307	EAR99	8541.10.0080	13	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	2 indépendant	1000 V	30A	2,35 V @ 30 A	85 ns	25 µA à 1000 V	-55 ° C ~ 175 ° C
150kr100a	35.5695	RFQ	4122	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-205AA, DO-8, Stud		Polateté Standard et inverse	DO-205AA (DO-8)	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		150kr100agn	EAR99	8541.10.0080	10	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		1000 V		1,33 V @ 150 A		24 Ma @ 1000 V	-40 ° C ~ 200 ° C	150a	-
MBRF20030R	-	RFQ	2084	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	À 244ab		Schottky	À 244ab	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	30 V	100A	700 mV à 100 A		1 ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
1N5827	12.4155	RFQ	9767	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AB, DO-5, Stud	1N5827	Schottky	Do-5	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		1N5827GN	EAR99	8541.10.0080	250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		30 V		470 MV @ 15 A		10 ma @ 20 V	-65 ° C ~ 150 ° C	15A	-
Mbrt30045rl	-	RFQ	6044	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	45 V	150a	600 mV @ 150 A		3 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C
GD2X25MPS17N	55.7100	RFQ	262	Semi-conducteur Génie	SIC SCHOTTKY MPS ™	Tube	Actif		Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Gd2x	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	SOT-227	télécharger		1 (illimité)		1242-GD2X25MPS17N	EAR99	8541.10.0080	10	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)	2 indépendant	1700 V	50A (DC)	1,8 V @ 25 A	0 ns	20 µA à 1700 V	-55 ° C ~ 175 ° C
FR20D02	9.0510	RFQ	3677	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AB, DO-5, Stud		Standard	Do-5	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		FR20D02GN	EAR99	8541.10.0080	100	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		200 V		1 V @ 20 A	200 ns	25 µA @ 50 V	-40 ° C ~ 125 ° C	20A	-
MBRT200100R	98.8155	RFQ	7603	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Tournée trois	MBRT200100	Schottky, polaté inversée	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBRT200100RGN	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	100 V	100A	880 MV @ 100 A		1 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
2W005M	-	RFQ	2325	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète	-65 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	4 circulaires, WOM		Standard	Femme	télécharger		1 (illimité)		2W005MGN	EAR99	8541.10.0080	1 000					1.1 V @ 2 A		10 µA @ 50 V		2 A		Monophasé	50 V
GKN130 / 14	35.2952	RFQ	8168	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-205AA, DO-8, Stud	GKN130	Standard	DO-205AA (DO-8)	-	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	10	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		1400 V		1,5 V @ 60 A		22 Ma @ 1400 V	-40 ° C ~ 180 ° C	165a	-
Murt30010	118.4160	RFQ	5586	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Tournée trois		Standard	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		Murt30010gn	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	100 V	150a	1,3 V @ 150 A	100 ns	25 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR30045CT	94.5030	RFQ	7555	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Jumelle de tournée	MBR30045	Schottky	Jumelle de tournée	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBR30045CTGN	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	45 V	150a	650 mV @ 150 A		8 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRT50020R	-	RFQ	5942	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBRT50020RGN	EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	20 V	250a	750 MV @ 250 A		1 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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