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Diodes (2089)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)
Mbrt30045rl	-	RFQ	6044	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	-		1 (illimité)		EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	45 V	150a	600 mV @ 150 A		3 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C
GD2X25MPS17N	55.7100	RFQ	262	Semi-conducteur Génie	SIC SCHOTTKY MPS ™	Tube	Actif		Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Gd2x	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	SOT-227	télécharger		1 (illimité)	1242-GD2X25MPS17N	EAR99	8541.10.0080	10	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)	2 indépendant	1700 V	50A (DC)	1,8 V @ 25 A	0 ns	20 µA à 1700 V	-55 ° C ~ 175 ° C
FR20D02	9.0510	RFQ	3677	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AB, DO-5, Stud		Standard	Do-5	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	FR20D02GN	EAR99	8541.10.0080	100	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		200 V		1 V @ 20 A	200 ns	25 µA @ 50 V	-40 ° C ~ 125 ° C	20A	-
MBRT200100R	98.8155	RFQ	7603	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Tournée trois	MBRT200100	Schottky, polaté inversée	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	MBRT200100RGN	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	100 V	100A	880 MV @ 100 A		1 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
2W005M	-	RFQ	2325	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète	-65 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	4 circulaires, WOM		Standard	Femme	télécharger		1 (illimité)	2W005MGN	EAR99	8541.10.0080	1 000					1.1 V @ 2 A		10 µA @ 50 V		2 A		Monophasé	50 V
FST6330M	-	RFQ	7370	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	D61-3M		Schottky	D61-3M	-		1 (illimité)		EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	30 V	30A	700 mV @ 30 A		1 ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
GKN130 / 14	35.2952	RFQ	8168	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-205AA, DO-8, Stud	GKN130	Standard	DO-205AA (DO-8)	-	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.10.0080	10	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		1400 V		1,5 V @ 60 A		22 Ma @ 1400 V	-40 ° C ~ 180 ° C	165a	-
Murt30010	118.4160	RFQ	5586	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Tournée trois		Standard	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	Murt30010gn	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	100 V	150a	1,3 V @ 150 A	100 ns	25 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR30045CT	94.5030	RFQ	7555	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Jumelle de tournée	MBR30045	Schottky	Jumelle de tournée	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	MBR30045CTGN	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	45 V	150a	650 mV @ 150 A		8 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
S25Q	5.2485	RFQ	1118	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AA, DO-4, Stud		Standard	-	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	S25qgn	EAR99	8541.10.0080	250	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		1200 V		1.1 V @ 25 A		10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	25A	-
MBRT50020R	-	RFQ	5942	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	MBRT50020RGN	EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	20 V	250a	750 MV @ 250 A		1 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
FR12K05	6.9975	RFQ	5931	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AA, DO-4, Stud		Standard	Do-4	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	FR12K05GN	EAR99	8541.10.0080	250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		800 V		800 mV @ 12 A	500 ns	25 µA à 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	12A	-
MBR120100CT	68.8455	RFQ	5881	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Jumelle de tournée	MBR120100	Schottky	Jumelle de tournée	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	MBR120100CTGN	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	100 V	120A (DC)	840 MV @ 60 A		3 Ma @ 20 V
S300B	63.8625	RFQ	1212	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-205AB, DO-9, Stud	S300	Standard	DO-205AB (DO-9)	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	S300BGN	EAR99	8541.10.0080	8	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		100 V		1,2 V @ 300 A		10 µA à 100 V	-60 ° C ~ 200 ° C	300A	-
MBR2X050A060	43.6545	RFQ	5087	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	MBR2X050	Schottky	SOT-227	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.10.0080	52	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	2 indépendant	60 V	50A	750 MV @ 50 A		1 ma @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C
MBRF20060R	-	RFQ	3022	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	À 244ab		Schottky	À 244ab	-		1 (illimité)		EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	60 V	100A	750 MV @ 100 A		1 ma @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR20060CTR	90.1380	RFQ	4535	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Jumelle de tournée	MBR20060	Schottky	Jumelle de tournée	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	MBR20060ctrgn	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	60 V	200A (DC)	750 MV @ 100 A		5 ma @ 20 V
MBR12060CT	68.8455	RFQ	9223	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Jumelle de tournée	MBR12060	Schottky	Jumelle de tournée	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	1242-1084	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	60 V	120A (DC)	750 MV @ 60 A		3 Ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRT50035R	-	RFQ	3545	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	MBRT50035RGN	EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	35 V	250a	750 MV @ 250 A		1 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Murt30060r	118.4160	RFQ	8258	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Tournée trois	Murt30060	Standard	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	Murt30060rgn	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	600 V	150a	1,7 V @ 150 A	200 ns	25 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Murt10010r	-	RFQ	9699	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Tournée trois		Standard	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	Murt10010rgn	EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	100 V	50A	1,3 V @ 50 A	75 ns	25 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BR102	0,9555	RFQ	7689	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-10		Standard	BR-10	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	BR102GN	EAR99	8541.10.0080	200					1.1 V @ 5 A		10 µA @ 200 V		10 a		Monophasé	200 V
1N3208	7.0650	RFQ	3482	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AB, DO-5, Stud	1N3208	Standard	Do-5	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	1N3208GN	EAR99	8541.10.0080	100	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		50 V		1,5 V @ 15 A		10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
FR70D02	17.5905	RFQ	3591	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AB, DO-5, Stud		Standard	Do-5	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	FR70D02GN	EAR99	8541.10.0080	100	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		200 V		1,4 V @ 70 A	200 ns	25 µA à 100 V	-40 ° C ~ 125 ° C	70a	-
GB10SLT12-220	-	RFQ	1093	Semi-conducteur Génie	-	Tube	Obsolète		Par le trou	À 220-2	Gb10slt12	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220-2	-		1 (illimité)		EAR99	8541.10.0080	50	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1200 V		1,8 V @ 10 A	0 ns	40 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	520pf @ 1v, 1MHz
Mur20020ctr	101.6625	RFQ	6212	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Jumelle de tournée	Mur20020	Standard	Jumelle de tournée	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	Mur20020ctrgn	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	200 V	100A	1,3 V @ 100 A	75 ns	25 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MSRT15060AD	71.6012	RFQ	2154	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Tournée trois	MSRT150	Standard	Tournée trois	-	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.10.0080	25	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	Connexion de la Séririe 1 paire	600 V	150a	1.1 V @ 150 A		10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
S300G	63.8625	RFQ	2879	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-205AB, DO-9, Stud	S300	Standard	DO-205AB (DO-9)	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	S300GGN	EAR99	8541.10.0080	8	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		400 V		1,2 V @ 300 A		10 µA à 100 V	-60 ° C ~ 200 ° C	300A	-
MBRT40040	118.4160	RFQ	1032	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	MBRT40040GN	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	40 V	200A	750 MV @ 200 A		1 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
FST100200	65.6445	RFQ	6424	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	À 249ab		Schottky	À 249ab	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	200 V	50A	920 MV @ 50 A		1 ma @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Diodes (2089)

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30 000 000

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15 000 m²