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Diodes (2089)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)
MBRH24020	76.4925	RFQ	2417	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	D-67		Schottky	D-67	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	36	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		20 V		720 MV @ 240 A		1 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C	240a	-
Mbrta80045rl	-	RFQ	3112	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	18	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	45 V	400A	600 mV @ 400 A		6 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRT30080	-	RFQ	8591	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBRT30080GN	EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	80 V	150a	880 MV @ 150 A		1 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
GC2X8MPS12-247	8.5400	RFQ	10	Semi-conducteur Génie	SIC SCHOTTKY MPS ™	Tube	Actif		Par le trou	À 247-3	Gc2x8	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 247-3	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	1242-1327	EAR99	8541.10.0080	30	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)	1 paire la commune de cathode	1200 V	40A (DC)	1,8 V @ 8 A	0 ns	7 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
MBR300200CTR	94.5030	RFQ	9237	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Jumelle de tournée	MBR300200	Schottky	Jumelle de tournée	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	200 V	150a	920 MV @ 150 A		3 Ma @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
MBR40060CT	98.8155	RFQ	8701	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Jumelle de tournée	MBR40060	Schottky	Jumelle de tournée	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBR40060CTGN	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	60 V	200A	800 mV @ 200 A		5 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
GKR240 / 18	73.7988	RFQ	1600	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-205AB, DO-9, Stud	GKR240	Polateté Standard et inverse	DO-205AB (DO-9)	-	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	8	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		1800 V		1,5 V @ 60 A		22 Ma @ 1800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	165a	-
MURH10040R	49.5120	RFQ	3404	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	D-67	MURH10040	Polateté Standard et inverse	D-67	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MURH10040RGN	EAR99	8541.10.0080	36	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		400 V		1,3 V @ 100 A	90 ns	25 µA @ 50 V		100A	-
MBR200200CT	90.1380	RFQ	4613	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Jumelle de tournée	MBR200200	Schottky	Jumelle de tournée	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	200 V	100A	920 MV @ 100 A		3 Ma @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C
KBPC1501W	2.1795	RFQ	4456	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, KBPC-W	KBPC1501	Standard	Kbpc-w	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	50					1,1 V @ 7,5 A		5 µA à 1000 V		15 A		Monophasé	100 V
Mbrta60045rl	-	RFQ	9940	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	18	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	45 V	300A	600 mV à 300 A		5 Ma @ 45 V	-40 ° C ~ 100 ° C
GB05SLT12-220	-	RFQ	1262	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Par le trou	À 220-2	GB05SLT12	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220-2	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	50	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1200 V		1,8 V @ 2 A	0 ns	50 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	5A	260pf @ 1v, 1MHz
S320M	63.8625	RFQ	2277	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-205AB, DO-9, Stud	S320	Standard	DO-205AB (DO-9)	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		S320MGN	EAR99	8541.10.0080	8	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		1000 V		1,2 V @ 300 A		10 µA @ 600 V	-60 ° C ~ 180 ° C	320A	-
MSRT10080D	87.1935	RFQ	8568	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Tournée trois	MSRT100	Standard	Tournée trois	télécharger	Rohs3 conforme			1242-MSRT10080D	EAR99	8541.10.0080	40	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	Connexion de la Séririe 1 paire	800 V	100A	1,1 V @ 100 A		10 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BR68	0,7425	RFQ	3583	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-6		Standard	BR-6	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		BR68GN	EAR99	8541.10.0080	200					1 V @ 3 A		10 µA @ 800 V		6 A		Monophasé	800 V
MBRH12060	60.0375	RFQ	2959	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	D-67		Schottky	D-67	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBRH12060GN	EAR99	8541.10.0080	36	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		60 V		750 MV @ 120 A		4 ma @ 20 V		120a	-
FR12DR02	9.2235	RFQ	5915	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AA, DO-4, Stud		Polateté Standard et inverse	Do-4	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		FR12DR02GN	EAR99	8541.10.0080	250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		200 V		800 mV @ 12 A	200 ns	25 µA à 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	12A	-
GD2X30MPS12D	17.3000	RFQ	170	Semi-conducteur Génie	SIC SCHOTTKY MPS ™	Tube	Actif		Par le trou	À 247-3	Gd2x	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 247-3	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	1242-GD2X30MPS12D	EAR99	8541.10.0080	30	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	1200 V	55A (DC)	1,8 V @ 30 A		20 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
MBRH24060	76.4925	RFQ	1741	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	D-67		Schottky	D-67	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	36	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		60 V		780 MV @ 240 A		1 ma @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	240a	-
MBRT60035	140.2020	RFQ	2005	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Tournée trois		Schottky	Tournée trois	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBRT60035GN	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	35 V	300A	750 MV @ 300 A		1 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
1N1188AR	6.3770	RFQ	1366	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AB, DO-5, Stud	1N1188AR	Polateté Standard et inverse	Do-5	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		1N1188Argn	EAR99	8541.10.0080	100	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		400 V		1.1 V @ 40 A		10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 200 ° C	40a	-
S6d	3.8625	RFQ	4075	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AA, DO-4, Stud		Standard	Do-4	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		S6dgn	EAR99	8541.10.0080	250	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		200 V		1.1 V @ 6 A		10 µA à 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	6A	-
GD50MPS12H	15.7700	RFQ	398	Semi-conducteur Génie	SIC SCHOTTKY MPS ™	Tube	Actif		Par le trou	À 247-2		Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 247-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	1242-GD50MPS12H	EAR99	8541.10.0080	30	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1200 V		1,8 V @ 50 A	0 ns	15 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	92a	1835pf @ 1v, 1MHz
MBR120200CTR	-	RFQ	6534	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Jumelle de tournée		Schottky	Jumelle de tournée	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	200 V	60A	920 MV @ 60 A		1 ma @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRF400100R	-	RFQ	5366	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	À 244ab		Schottky	À 244ab	-		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	25	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire Commune d'anode	100 V	200A	840 MV @ 200 A		1 ma @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C
S12Q	4.2345	RFQ	6984	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AA, DO-4, Stud		Standard	Do-4	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	250	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		1200 V		1.1 V @ 12 A		10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	12A	-
MBR20020CT	90.1380	RFQ	8286	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Jumelle de tournée	MBR20020	Schottky	Jumelle de tournée	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		MBR20020CTGN	EAR99	8541.10.0080	40	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	20 V	200A (DC)	650 mV @ 100 A		5 ma @ 20 V
S300Z	85.1955	RFQ	9287	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-205AB, DO-9, Stud	S300	Standard	DO-205AB (DO-9)	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		S300ZGN	EAR99	8541.10.0080	8	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		2000 V		1,2 V @ 300 A		10 µA à 1600 V	-60 ° C ~ 180 ° C	300A	-
MBRH200200	70.0545	RFQ	1699	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	D-67		Schottky	D-67	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	36	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		200 V		920 MV @ 200 A		1 ma @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	200A	-
S40V	6.9421	RFQ	3919	Semi-conducteur Génie	-	En gros	Actif		Châssis, montage	DO-203AB, DO-5, Stud		Standard	Do-5	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		S40vgn	EAR99	8541.10.0080	100	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		1400 V		1.1 V @ 40 A		10 µA à 100 V	-65 ° C ~ 160 ° C	40a	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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