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Diodes (1803)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Courant - Max	Dissipation de Puisse (max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Résistance @ si, f
D740N36TXPSA1	-	RFQ	6829	Infineon Technologies	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	DO-200AB, B-PUK	D740N36	Standard	-	télécharger		Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)				3600 V		1 45 V @ 700 A		70 mA @ 3600 V	-40 ° C ~ 160 ° C	750a	-
DZ600N16KHPSA1	267.4700	RFQ	2	Infineon Technologies	-	Plateau	Actif		Soutenir de châssis	Module	DZ600N16	Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	3	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)				1600 V		1,4 V @ 2200 A		40 mA @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	735a	-
DD540N22KHPSA2	308.5000	RFQ	2768	Infineon Technologies	-	Plateau	Actif		Soutenir de châssis	Module	DD540N22	Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	2	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)			Connexion de la Séririe 1 paire	2200 V	540a	1,48 V @ 1700 A		40 mA @ 2200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
Bar8802lrhe6327xtsa1	-	RFQ	5130	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)		SOD-882	Bar88		PG-TSLP-2-7	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	15 000		100 mA	250 MW									0,4pf @ 1v, 1MHz	Broche - simple	80V	600 mohm @ 10mA, 100mhz
DZ600N16KB01HPSA1	-	RFQ	5310	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète		Soutenir de châssis	Module	DZ600N16	Standard	BG-PB501-1	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP000091795	EAR99	8541.10.0080	3	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)				1800 V				40 Ma @ 1800 V	150 ° C (max)	735a	-
BAT1805E6327NTSA1	-	RFQ	2079	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BAT1805	Standard	PG-Sot23	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	6 000	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse			1 paire la commune de cathode	35 V	100mA (DC)	1,2 V @ 100 mA	120 ns	20 na @ 20 V	150 ° C (max)
D1481N65TXPSA1	-	RFQ	9177	Infineon Technologies	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	DO-200AC, K-PUK	D1481N65	Standard	-	télécharger		Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)				6500 V		1,8 V @ 2500 A		50 ma @ 6500 V	-40 ° C ~ 160 ° C	2200A	-
Dz1100n22ktimhpsa1	673.1900	RFQ	8430	Infineon Technologies	-	Plateau	Actif		Soutenir de châssis	Module	DZ1100	Standard	BG-PB70AT-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)				2200 V		1.11 V @ 3000 A		80 mA @ 2200 V	150 ° C (max)	1100a	-
BAT165E6874HTMA1	0,5400	RFQ	8	Infineon Technologies	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	SC-76, SOD-323		Schottky	PG-SOD323-2	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	10 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)				40 V		740 MV @ 750 Ma		50 µA @ 40 V	150 ° C	750mA	8.4pf @ 10v, 1MHz
IDW20G65C5BXKSA1	-	RFQ	5554	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Tube	Abandonné à sic		Par le trou	À 247-3		Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG à247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001224934	EAR99	8541.10.0080	240	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)			1 paire la commune de cathode	650 V	10A (DC)	1,7 V @ 10 A		180 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C
DDB6U215N16LHOSA1	229.2700	RFQ	2	Infineon Technologies	-	Plateau	Actif		Soutenir de châssis	Module	DDB6U215	Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	3	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)			3 indépendant	1600 V	-	1,61 V @ 300 A		10 ma @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C
IDC08S120EX7SA1	-	RFQ	5005	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	En gros	Obsolète		Support de surface	Mourir	IDC08S120	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	Scion sur le papier d'Aluminium	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001155260	EAR99	8541.10.0080	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				1200 V		1,8 V @ 7,5 A	0 ns	180 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	7.5a	380pf @ 1v, 1MHz
Bav99wb6327xt	-	RFQ	5917	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic		Support de surface	SC-70, SOT-323	Bav99	Standard	PG-Sot323	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	60 000	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse			Connexion de la Séririe 1 paire	80 V	200mA (DC)	1,25 V @ 150 Ma	4 ns	150 na @ 70 V	150 ° C (max)
D475N32BS20XPSA1	-	RFQ	5670	Infineon Technologies	*	Plateau	Obsolète				D475N3			-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
BAT165	-	RFQ	1062	Infineon Technologies	-	En gros	Actif		Support de surface	SC-76, SOD-323		Schottky	PG-SOD323-2	-						0000.00.0000	1	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)				40 V		740 MV @ 750 Ma			150 ° C (max)	750mA	12pf @ 10v, 1MHz
IDW16G65C5XKSA1	8.1600	RFQ	460	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Tube	Actif		Par le trou	À 247-3	IDW16G65	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG à247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	30	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				650 V		1,7 V @ 16 A	0 ns	200 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	16A	470pf @ 1v, 1MHz
ND104N18KHPSA1	-	RFQ	3822	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète		Soutenir de châssis	Module	ND104N18	Standard	BG-PB20-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	15	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)				1800 V				20 mA @ 1800 V	-40 ° C ~ 135 ° C	104A	-
BAR 63-02W E6327	-	RFQ	7453	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)		SC-80	Bar 63		SCD-80	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 000		100 mA	250 MW									0,3pf @ 5v, 1MHz	Broche - simple	50v	1OHM @ 10mA, 100MHz
D56u45cxpsa1	-	RFQ	5794	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète		Soutien	-	D56u45c	Standard	BG-DSW272-1	télécharger		Non applicable	Atteindre non affecté	SP000097382	EAR99	8541.10.0080	1	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)				4500 V		4,5 V @ 320 A	3,3 µs	5 ma @ 4500 V	125 ° C (max)	102a	-
Idv03s60c	1.1100	RFQ	1	Infineon Technologies	Thinq! ™	En gros	Actif		Par le trou	À 220-2 EXCHET		Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG à 220-2-22	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				600 V		1,9 V @ 3 A	0 ns	30 µA à 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A (DC)	90pf @ 1v, 1MHz
IDM02G120C5XTMA1	3.0900	RFQ	16	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IDM02G120	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG à 252-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	2 500	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				1200 V		1,65 V @ 2 A	0 ns	18 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	182pf @ 1v, 1MHz
IDL06G65C5XUMA2	2.9300	RFQ	2	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	4 Powertsfn	Idl06g65	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG-VSON-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	3 000	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				650 V		1,7 V @ 6 A	0 ns	110 µA à 650 V	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	190pf @ 1v, 1MHz
BAT60BE6327HTSA1	0,5000	RFQ	26	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	SC-76, SOD-323	Bat60	Schottky	PG-SOD323-3D	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	3 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)				10 V		600 mV @ 1 a		25 µA @ 8 V	150 ° C (max)	3A	30pf @ 5v, 1MHz
DD180N18SHPSA1	-	RFQ	7317	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète		Soutenir de châssis	Module		Standard	BG-PB34SB-1	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	8	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)			Connexion de la Séririe 1 paire	1800 V	226a			1 ma @ 1800 V	-40 ° C ~ 135 ° C
SIDC105D120H8X1SA1	-	RFQ	6907	Infineon Technologies	-	En gros	Abandonné à sic		Support de surface	Mourir	Sidc105d	Standard	Scion sur le papier d'Aluminium	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP000978580	EAR99	8541.10.0080	1	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)				1200 V		1,41 V @ 45 A		27 µA à 1200 V	-40 ° C ~ 175 ° C	200A	-
D4201N20TXPSA1	-	RFQ	5058	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète		Soutenir de châssis	Do00ae	D4201n20	Standard	-	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)				2000 V		1 V @ 4000 A		200 Ma @ 2000 V	-40 ° C ~ 160 ° C	6010A	-
IDP45E60XKSA1	1.5687	RFQ	1720	Infineon Technologies	-	Tube	Acheter la Dernière		Par le trou	À 220-2	Ipd45	Standard	PG à 220-2-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)				600 V		2 V @ 45 A	140 ns	50 µA à 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	71a	-
AIDW16S65C5XKSA1	4.5924	RFQ	9632	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q100 / 101, CoolSic ™	Tube	Acheter la Dernière		Par le trou	À 247-3	AIDW16	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG à247-3-41	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	240	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				650 V		1,7 V @ 16 A	0 ns	90 µA à 650 V	-40 ° C ~ 175 ° C	16A	471pf @ 1v, 1MHz
DD242S10KKHPSA1	-	RFQ	8410	Infineon Technologies	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Module		Standard	Module	télécharger		Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	3	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)			Connexion de la Séririe 1 paire	1000 V	261A	1,55 V @ 800 A		200 Ma @ 1000 V	150 ° C
IDP30E65D2XKSA1	2.1100	RFQ	433	Infineon Technologies	-	Tube	Actif		Par le trou	À 220-2	IDP30E65	Standard	PG à 220-2-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)				650 V		2.2 V @ 30 A	42 ns	40 µA à 650 V	-40 ° C ~ 175 ° C	60A	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Diodes (1803)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²