SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Vitre Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f
D452N16EXPSA1 Infineon Technologies D452N16Expsa1 -
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ECAD 7775 0,00000000 Infineon Technologies - En gros Obsolète Monte à vis Non standard D452n Standard FL54 télécharger Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 1600 V 50 ma @ 1600 V -40 ° C ~ 180 ° C 450a -
D650N08TXPSA1 Infineon Technologies D650N08TXPSA1 -
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ECAD 8204 0,00000000 Infineon Technologies - En gros Obsolète De serrer DO-200AA, A-PUK D650N08 Standard - télécharger Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 800 V 950 MV @ 450 A 20 mA @ 800 V -40 ° C ~ 180 ° C 650a -
BAT5404WH6327XTSA1 Infineon Technologies BAT5404WH6327XTSA1 0,5000
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ECAD 88 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 BAT5404 Schottky PG-Sot323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 3 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse Connexion de la Séririe 1 paire 30 V 200mA (DC) 800 mV à 100 mA 5 ns 2 µA @ 25 V 150 ° C (max)
BAS1602LE6327XTMA1 Infineon Technologies BAS1602LE6327XTMA1 0,0558
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ECAD 5229 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Acheter la Dernière Support de surface SOD-882 BAS1602 Standard PG-TSLP-2-1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 15 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 80 V 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 1 µA @ 75 V 150 ° C (max) 200m 2pf @ 0v, 1mhz
DD600S65K3NOSA1 Infineon Technologies DD600S65K3NOSA1 1 0000
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ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies - Plateau Actif Soutenir de châssis Module DD600S65 Standard A-IHV130-6 télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 2 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 6500 V - 3,5 V @ 600 A 900 A @ 3600 V -50 ° C ~ 125 ° C
IDH10G65C5ZXKSA1 Infineon Technologies IDH10G65C5ZXKSA1 -
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ECAD 8806 0,00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ + Tube Abandonné à sic Par le trou À 220-2 IDH10G65 Sic (Carbure de Silicium) Schottky PG à 220-2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 500 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 10 A 0 ns 180 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 300pf @ 1v, 1MHz
SIDC07D60F6X7SA1 Infineon Technologies SIDC07D60F6X7SA1 -
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ECAD 4786 0,00000000 Infineon Technologies - En gros Obsolète Support de surface Mourir Sidc07d60 Standard Mourir - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,6 V @ 22,5 A 27 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C 22.5A -
D251N20BXPSA1 Infineon Technologies D251N20BXPSA1 -
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ECAD 4772 0,00000000 Infineon Technologies - En gros Obsolète Soutien DO-205AA, DO-8, Stud D251n Standard - télécharger Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 2000 V 30 Ma @ 2000 V -40 ° C ~ 180 ° C 255a -
SIGC121T120R2CSYX1SA1 Infineon Technologies SIGC121T120R2CSYX1SA1 -
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ECAD 1659 0,00000000 Infineon Technologies - En gros Obsolète SIGC121T120 - 1 (illimité) Atteindre non affecté OBSOLÈTE 1
SIDC53D120H6X1SA3 Infineon Technologies SIDC53D120H6X1SA3 -
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ECAD 5456 0,00000000 Infineon Technologies - En gros Abandonné à sic Support de surface Mourir Sidc53d Standard Scion sur le papier d'Aluminium télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 1200 V 1,6 V @ 100 A 27 µA à 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C 100A -
IDH04SG60CXKSA2 Infineon Technologies IDH04SG60CXKSA2 2.9100
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ECAD 486 0,00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ + Tube Actif Par le trou À 220-2 IDH04SG60 Sic (Carbure de Silicium) Schottky PG à 220-2-1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 500 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 600 V 2.3 V @ 4 A 0 ns 25 µA à 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 80pf @ 1v, 1mhz
SIDC08D60C8X1SA1 Infineon Technologies SIDC08D60C8X1SA1 -
RFQ
ECAD 2200 0,00000000 Infineon Technologies - En gros Actif Support de surface Mourir Sidc08 Standard Mourir télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,95 V @ 30 A 27 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C 30A -
BAT6405WH6327XTSA1 Infineon Technologies BAT6405WH6327XTSA1 0 4700
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ECAD 2174 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, BAT64 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 BAT6405 Schottky PG-Sot323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 3 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 1 paire la commune de cathode 40 V 250mA 750 mV @ 100 mA 5 ns 2 µA @ 30 V 150 ° C (max)
IDW40E65D2FKSA1 Infineon Technologies IDW40E65D2FKSA1 3.2100
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ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies - Tube Actif Par le trou À 247-3 IDW40E65 Standard PG à247-3-1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 30 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 650 V 2,3 V @ 40 A 75 ns 40 µA à 650 V -40 ° C ~ 175 ° C 80A -
DD600N16KXPSA1 Infineon Technologies DD600N16KXPSA1 310.0250
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ECAD 2478 0,00000000 Infineon Technologies - Plateau Actif Soutenir de châssis Module Standard BG-PB60E2A-1 télécharger Rohs3 conforme 448-DD600N16KXPSA1 EAR99 8541.30.0080 2 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 1600 V 600A 1,32 V @ 1,8 KA 40 mA @ 1,6 kV 150 ° C
DD171N14KHPSA1 Infineon Technologies DD171N14KHPSA1 -
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ECAD 2552 0,00000000 Infineon Technologies DD171N En gros Obsolète Soutenir de châssis Module DD171N14 Standard Module télécharger Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 8 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 1400 V 171a 1,26 V @ 500 A 20 mA @ 1400 V -40 ° C ~ 150 ° C
SIDC07D60F6X1SA5 Infineon Technologies SIDC07D60F6X1SA5 -
RFQ
ECAD 2821 0,00000000 Infineon Technologies - En gros Obsolète Support de surface Mourir Sidc07d60 Standard Mourir télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,6 V @ 22,5 A 27 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C 22.5A -
DD435N28KSVHPSA1 Infineon Technologies Dd435n28ksvhpsa1 -
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ECAD 2215 0,00000000 Infineon Technologies - En gros Obsolète DD435N28 - OBSOLÈTE 1
IDC51D120T6MX1SA3 Infineon Technologies IDC51D120T6MX1SA3 -
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ECAD 7807 0,00000000 Infineon Technologies - En gros Actif Support de surface Mourir Idc51d120 Standard Scion sur le papier d'Aluminium télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté SP000375000 EAR99 8541.10.0080 1 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 1200 V 2.05 V @ 100 A 18 µA à 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C 100A -
SIDC08D120H6X1SA1 Infineon Technologies SIDC08D120H6X1SA1 -
RFQ
ECAD 9701 0,00000000 Infineon Technologies - En gros Abandonné à sic Support de surface Mourir Sidc08 Standard Scion sur le papier d'Aluminium télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 1200 V 1,6 V @ 10 A 27 µA à 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
D1251S45TXPSA1 Infineon Technologies D1251S45TXPSA1 2 0000
RFQ
ECAD 8488 0,00000000 Infineon Technologies - Plateau Actif Soutenir de châssis DO-200AC, K-PUK D1251S45 Standard - télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 6 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 4500 V 2,5 V @ 2500 A 80 mA @ 4500 V -40 ° C ~ 140 ° C 1530a -
D740N44TXPSA1 Infineon Technologies D740N44TXPSA1 439.5300
RFQ
ECAD 8984 0,00000000 Infineon Technologies - Plateau Actif De serrer DO-200AB, B-PUK D740N44 Standard - télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 6 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 4400 V 1 45 V @ 700 A 70 mA @ 4400 V -40 ° C ~ 160 ° C 750a -
BAS 3005B-02V E6327 Infineon Technologies BAS 3005B-02V E6327 -
RFQ
ECAD 5717 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SC-79, SOD-523 BAS 3005 Schottky PG-SC79-2 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 30 V 620 MV à 500 mA 25 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 500mA 10pf @ 5v, 1MHz
BAV74E6327 Infineon Technologies Bav74e6327 0,0200
RFQ
ECAD 4900 0,00000000 Infineon Technologies - En gros Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV74 Standard À 236ab télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.10.0070 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 50 V 215mA (DC) 1 V @ 100 mA 4 ns 100 na @ 50 V 150 ° C (max)
BAT54-06E6327 Infineon Technologies BAT54-06E6327 0,0500
RFQ
ECAD 163 0,00000000 Infineon Technologies - En gros Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky PG-Sot23-3-3 télécharger Non applicable 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 3 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 1 paire Commune d'anode 30 V 200mA (DC) 800 mV à 100 mA 5 ns 2 µA @ 25 V 150 ° C
IDW40G65C5XKSA1 Infineon Technologies IDW40G65C5XKSA1 15.8800
RFQ
ECAD 462 0,00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ + Tube Actif Par le trou À 247-3 IDW40G65 Sic (Carbure de Silicium) Schottky PG à247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté SP001632890 EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 40 A 0 ns 220 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 40a 1140pf @ 1v, 1MHz
BAW56UE6433HTMA1 Infineon Technologies Baw56ue6433htma1 0.1204
RFQ
ECAD 3649 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux Support de surface SC-74, SOT-457 BAW56 Standard PG-SC74-6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 10 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse Anode commun de 2 paires 80 V 200mA (DC) 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 150 na @ 70 V 150 ° C (max)
DD435N40KHPSA1 Infineon Technologies DD435N40KHPSA1 563.8400
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies - Plateau Actif Soutenir de châssis Module DD435N40 Standard Module télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 2 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 4000 V 573A 1,71 V @ 1200 A 50 mA @ 4000 V -40 ° C ~ 150 ° C
PX8746JDNG029XTMA1 Infineon Technologies Px8746jdng029xtma1 -
RFQ
ECAD 8384 0,00000000 Infineon Technologies - Plateau Obsolète PX8746JD télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté OBSOLÈTE 0000.00.0000 1
AIDW10S65C5XKSA1 Infineon Technologies AIDW10S65C5XKSA1 3.0995
RFQ
ECAD 7332 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q100 / 101, CoolSic ™ Tube Acheter la Dernière Par le trou À 247-3 AIDW10 Sic (Carbure de Silicium) Schottky PG à247-3-41 télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 240 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 10 A 0 ns 60 µA à 650 V -40 ° C ~ 175 ° C 10A 303pf @ 1v, 1mhz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock