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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Courant - Max | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Résistance @ si, f | Rapport de capacité | Condition de rapport de capacité | Q @ VR, F |
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![]() | Dd800s17ha_b2 | 493.0700 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Infineon Technologies | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Idt06s60c | - | ![]() | 2374 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Thinq! ™ | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à 220-2-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 6 A | 0 ns | 80 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A (DC) | 280pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | BAW56E6433 | 0,0200 | ![]() | 110 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAW56 | Standard | PG-Sot23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire Commune d'anode | 80 V | 200mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
![]() | BAS116E6327 | - | ![]() | 1619 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Standard | PG-Sot23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 80 V | 1,25 V @ 150 Ma | 1,5 µs | 5 na @ 75 V | 150 ° C (max) | 250mA | 2pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||
![]() | BAS40-05WH6327 | 0,0900 | ![]() | 169 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BAS40 | Schottky | PG-Sot323-3 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire la commune de cathode | 40 V | 120mA (DC) | 1 V @ 40 Ma | 1 µA @ 30 V | 150 ° C | ||||||||||||||
![]() | BAV70Wh6433 | 0,0500 | ![]() | 659 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BAV70 | Standard | SOT-323 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0070 | 7,194 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire la commune de cathode | 80 V | 200mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
![]() | Bav70ue6327 | 0,0900 | ![]() | 62 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-74, SOT-457 | BAV70 | Standard | PG-SC74-6 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 260 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 2 paires Cathode Commune | 80 V | 200mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
![]() | BAT64-05B5000 | - | ![]() | 3305 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT64 | Schottky | PG-Sot23-3-3 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire la commune de cathode | 40 V | 120mA | 750 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150 ° C | |||||||||||||
![]() | IDFW80C65D1XKSA1 | 7.3700 | ![]() | 74 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q100 / 101, CoolSic ™ | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | Idfw80 | Standard | Pg à247-3-ai | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 40 A | 73 ns | 40 µA à 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 74A | - | |||||||||||||
![]() | BAS40E6433 | 0,0700 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | SOT-23-3 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 40 V | 1 V @ 40 Ma | 100 PS | 1 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 120mA | 5pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||
![]() | DD750S65K3NOSA2 | - | ![]() | 2350 | 0,00000000 | Infineon Technologies | * | En gros | Actif | - | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAR63-05E6327 | - | ![]() | 1808 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | PG-Sot23 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 mA | 250 MW | 0,3pf @ 5v, 1MHz | Broche - 1 paire Cathode Commune | 50v | - | ||||||||||||||||||||
![]() | IDW15E65D2 | 1.2000 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Standard | PG à247-3-1 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 650 V | 2.3 V @ 15 A | 47 ns | 40 µA à 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | |||||||||||||||||
![]() | BAT165 | - | ![]() | 1062 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-76, SOD-323 | Schottky | PG-SOD323-2 | - | 0000.00.0000 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 740 MV @ 750 Ma | 150 ° C (max) | 750mA | 12pf @ 10v, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BAS70-07E6327 | - | ![]() | 1363 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Support de surface | À 253-4, à 253aa | BAS70 | Schottky | PG-Sot143-4 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 2 indépendant | 70 V | 70mA (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 PS | 100 na @ 50 V | 150 ° C | ||||||||||||||||
![]() | IDW40E65D1 | 1 0000 | ![]() | 2240 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Standard | PG à247-3-1 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 40 A | 129 ns | 40 µA à 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 80A | - | ||||||||||||||||||
![]() | BAW101E6433 | 0,1100 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Support de surface | À 253-4, à 253aa | BAW101 | Standard | SOT143 (SC-61) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 2 623 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 300 V | 250mA (DC) | 1,3 V @ 100 mA | 1 µs | 150 na @ 250 V | 150 ° C | ||||||||||||||||
![]() | BA892E6770 | 0,0400 | ![]() | 5195 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | SC-80 | PG-SCD80-2 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 0000.00.0000 | 6 000 | 100 mA | 1,1pf @ 3v, 1MHz | Norme - Célibataire | 35V | 500 MOHM @ 10MA, 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 | 132.7200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | Standard | Ag-Easy1b-1 | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 1,85 V @ 60 A | 174 µA à 1200 V | 60 A | Monophasé | 1,2 kV | ||||||||||||||||
![]() | 38dn06b02elemxpsa1 | 232.6400 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | Soutenir de châssis | DO-200AC, K-PUK | 38dn06 | Standard | Bg-d-elem-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 960 MV @ 4500 A | 50 ma @ 600 V | 180 ° C (max) | 5140A | - | ||||||||||||||
![]() | DD171N16KKHPSA1 | 160.0375 | ![]() | 6321 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | DD171N16 | - | Rohs3 conforme | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIDC08D60C8X1SA1 | - | ![]() | 2200 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Support de surface | Mourir | Sidc08 | Standard | Mourir | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,95 V @ 30 A | 27 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | ||||||||||||||
![]() | Bby6605wh6327xtsa1 | - | ![]() | 7001 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BBY66 | PG-Sot323 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 13,5pf à 4,5 V, 1 MHz | 1 paire la commune de cathode | 12 V | 5.41 | C1 / C4.5 | - | ||||||||||||||||
![]() | DD100N16SHPSA1 | 29.6800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | Soutenir de châssis | Module | DD100N16 | Standard | Module | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | Connexion de la Séririe 1 paire | 1600 V | 130a | ||||||||||||||||||
![]() | BAT165E6874HTMA1 | 0,5400 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-76, SOD-323 | Schottky | PG-SOD323-2 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 740 MV @ 750 Ma | 50 µA @ 40 V | 150 ° C | 750mA | 8.4pf @ 10v, 1MHz | |||||||||||||||
![]() | BAT54WE6327 | 0,0200 | ![]() | 21 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-70, SOT-323 | Bat54 | Schottky | PG-Sot323-3 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0070 | 15 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 30 V | 800 mV à 100 mA | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150 ° C | 200m | 10pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||
![]() | Dd435n28ksvhpsa1 | - | ![]() | 2215 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | DD435N28 | - | OBSOLÈTE | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT6307WH6327XTSA1 | - | ![]() | 9299 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | SC-82A, SOT-343 | Bat63 | PG-Sot343-3d | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 100 mA | 100 MW | 0,85pf à 0,2 V, 1 MHz | Schottky - 2 Independent | 3V | - | |||||||||||||||||
![]() | BAR6405E6327HTSA1 | 0,3600 | ![]() | 4739 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAR6405 | PG-Sot23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 100 mA | 250 MW | 0,35pf @ 20v, 1 MHz | Broche - 1 paire Cathode Commune | 150V | 1,35 ohm @ 100mA, 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | Df75r12w1h4fb11boma1 | - | ![]() | 6611 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | DF75R12 | Standard | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001080544 | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 800 mV @ 50 A | 100 µA @ 1,2 V | 50 a | Monophasé | 1,2 V |
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