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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | D711N68TXPSA1 | - | ![]() | 3738 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | Soutenir de châssis | DO-200AB, B-PUK | D711N68 | Standard | - | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 6800 V | 1,9 V @ 1200 A | 50 ma @ 6800 V | -40 ° C ~ 160 ° C | 1070A | - | ||||
![]() | SIDC42D120F6X1SA3 | - | ![]() | 8529 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Abandonné à sic | Support de surface | Mourir | Sidc42d | Standard | Scion sur le papier d'Aluminium | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 2.1 V @ 50 A | 27 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 50A | - | ||||
![]() | Idd08sg60cxtma2 | 5.4400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Idd08sg60 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à 252-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 600 V | 2.1 V @ 8 A | 0 ns | 70 µA à 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8a | 240pf @ 1v, 1MHz | |||
![]() | IDDD16G65C6XTMA1 | 7.2400 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Module à 10 powersop | Iddd16 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG-HDSOP-10-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 700 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 0 ns | 53 µA @ 420 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 43a | 783pf @ 1v, 1MHz | ||||
![]() | BAV170E6359HTMA1 | - | ![]() | 2104 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV170 | Standard | PG-Sot23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire la commune de cathode | 80 V | 100mA (DC) | 1,1 V @ 50 Ma | 1,5 µs | 5 na @ 75 V | 150 ° C (max) | |||
IDW80C65D2XKSA1 | 3.7400 | ![]() | 55 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Rapid 2 | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | IDW80C65 | Standard | PG à247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 40a | 2.2 V @ 40 A | 36 ns | 40 µA à 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||
![]() | DD600N18KHPSA2 | 377.3500 | ![]() | 4729 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | Soutenir de châssis | Module | DD600N18 | Standard | Module | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 1800 V | 600A | 1,32 V @ 1800 A | 40 Ma @ 1800 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||
![]() | D121N12BXPSA1 | - | ![]() | 2246 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Soutien | DO-205AA, DO-8, Stud | D121n | Standard | - | télécharger | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 20 mA @ 1200 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 230A | - | ||||||
![]() | D1050N18TXPSA1 | 141.7400 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | Soutenir de châssis | DO-200AB, B-PUK | D1050N | Standard | - | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1800 V | 1 V @ 1000 A | 60 Ma @ 1800 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 1050a | - | ||||
![]() | D740N42TXPSA1 | - | ![]() | 5913 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | DO-200AB, B-PUK | D740N42 | Standard | - | télécharger | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 4200 V | 1 45 V @ 700 A | 70 mA @ 4200 V | -40 ° C ~ 160 ° C | 750a | - | |||||
![]() | Bas7005we6327htsa1 | - | ![]() | 6687 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BAS7005 | Schottky | PG-Sot323 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire la commune de cathode | 70 V | 70mA (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 PS | 100 na @ 50 V | 150 ° C (max) | ||||
![]() | BAV 99 E6433 | - | ![]() | 1408 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV 99 | Standard | PG-Sot23 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | Connexion de la Séririe 1 paire | 80 V | 200mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150 ° C (max) | ||||
![]() | Bat6404we6327htsa1 | - | ![]() | 3772 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, BAT64 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BAT6404 | Schottky | PG-Sot323 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | Connexion de la Séririe 1 paire | 40 V | 250mA | 750 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150 ° C (max) | ||||
![]() | D850N28TXPSA1 | - | ![]() | 7234 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | DO-200AB, B-PUK | D850N | Standard | - | télécharger | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 2800 V | 1,28 V @ 850 A | 50 mA @ 2800 V | -40 ° C ~ 160 ° C | 850A | - | |||||
![]() | BAT64E6327HTSA1 | 0 4500 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, BAT64 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT64 | Schottky | PG-Sot23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 40 V | 750 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150 ° C (max) | 120mA | 6pf @ 1v, 1mhz | |||
![]() | DD175N32KHPSA1 | 292.7233 | ![]() | 4595 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | Soutenir de châssis | Module | DD175N32 | Standard | Module | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 3200 V | 223a | 2.05 V @ 600 A | 20 mA @ 3200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||
![]() | IDK10G120C5XTMA1 | 7.1600 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IDK10G120 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à 263-2-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 10 A | 18 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 31.9a | 525pf @ 1v, 1MHz | ||||
![]() | IDH03SG60CXKSA2 | 1.4544 | ![]() | 2680 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Tube | Acheter la Dernière | Par le trou | À 220-2 | IDH03SG60 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à 220-2-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 600 V | 2.3 V @ 3 A | 0 ns | 15 µA à 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 60pf @ 1v, 1MHz | |||
![]() | DD104N12KKHPSA1 | - | ![]() | 5563 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Module Pow-R-Blok ™ | Standard | Module Pow-R-Blok ™ | télécharger | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 1200 V | 104A | 1,4 V @ 300 A | 20 mA @ 1200 V | 150 ° C | ||||||
![]() | D56S45CXPSA1 | - | ![]() | 5345 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Soutien | DO-205AA, DO-8, Stud | D56S45C | Standard | - | télécharger | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 4500 V | 4,5 V @ 320 A | 3,3 µs | 5 ma @ 4500 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 102a | - | ||||
![]() | Hfa08tb60pbf | - | ![]() | 9438 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hexfred® | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-2 | HFA08 | Standard | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 8 A | 55 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | |||
![]() | DD500S33HE3B60BPSA1 | - | ![]() | 9745 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Abandonné à sic | Soutenir de châssis | Module | Standard | AG-IHVB130-3 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 3300 V | 500A (DC) | 3,85 V @ 500 A | 500 A @ 1800 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | D2200N24TVFPRXPSA1 | - | ![]() | 5867 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Abandonné à sic | De serrer | DO-200AC, K-PUK | D2200N24 | Standard | - | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 2400 V | 1,2 V @ 2000 A | 150 mA @ 2400 V | -40 ° C ~ 160 ° C | 2200A | - | ||||
![]() | Sidc23d120e6x1sa1 | - | ![]() | 3681 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Abandonné à sic | Support de surface | Mourir | Sidc23d | Standard | Scion sur le papier d'Aluminium | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 1,9 V @ 25 A | 27 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 25A | - | ||||
![]() | DD340N20SHPSA1 | - | ![]() | 1165 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | Soutenir de châssis | Module | Standard | BG-PB50SB-1 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 2000 V | 330A | 1 ma @ 2000 V | -40 ° C ~ 135 ° C | |||||||
![]() | Baw56we6327 | - | ![]() | 4805 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BAW56 | Standard | SOT-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire Commune d'anode | 80 V | 200mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150 ° C (max) | |||
![]() | SIDC09D60E6X1SA1 | - | ![]() | 4701 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Support de surface | Mourir | Sidc09d60 | Standard | Scion sur le papier d'Aluminium | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 20 A | 150 ns | 27 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||
![]() | Idw100e60fksa1 | 4.2200 | ![]() | 562 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | Idw100 | Standard | PG à247-3-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 2 V @ 100 A | 120 ns | 40 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 150a | - | |||
![]() | IDK05G65C5XTMA2 | 1.5789 | ![]() | 3805 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IDK05G65 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à 263-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,8 V @ 5 A | 0 ns | 830 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | 160pf @ 1v, 1MHz | |||
![]() | D452N18Expsa1 | - | ![]() | 2141 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Soutien | Goujon | D452n | Standard | - | télécharger | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1800 V | 50 ma @ 1800 V | 180 ° C | 450a | - |
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