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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Courant - Max | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Résistance @ si, f | Rapport de capacité | Condition de rapport de capacité | Q @ VR, F |
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![]() | Bby5806we6327btsa1 | - | ![]() | 2174 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BBY58 | PG-Sot323 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 5.5pf @ 6v, 1MHz | 1 paire Commune d'anode | 10 V | 3.5 | C1 / C4 | - | ||||||||||||||||
![]() | BB639CE7908HTSA1 | - | ![]() | 3671 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-76, SOD-323 | BB639 | PG-SOD323-2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 2,75pf @ 28v, 1MHz | Célibataire | 30 V | 15.3 | C1 / C28 | - | ||||||||||||||||
![]() | BBY 51-02W E6327 | - | ![]() | 9875 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | SC-80 | BBY 51 | SCD-80 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 3,7pf @ 4v, 1 MHz | Célibataire | 7 V | 2.2 | C1 / C4 | - | ||||||||||||||||
![]() | Bby5302le6327xtma1 | - | ![]() | 3399 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-882 | BBY53 | PG-TSLP-2-1 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 15 000 | 3,1pf @ 3v, 1MHz | Célibataire | 6 V | 2.6 | C1 / C3 | - | ||||||||||||||||
![]() | DD600N16KAHPSA1 | 462.8750 | ![]() | 6927 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Acheter la Dernière | Soutenir de châssis | Module | DD600N16 | Standard | BG-PB60-1 | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 1600 V | 600A | 1,32 V @ 1800 A | 40 mA @ 1600 V | 150 ° C | ||||||||||||||
![]() | BAR64-03W | - | ![]() | 2905 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT15-099R | 1 0000 | ![]() | 9866 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | À 253-4, à 253aa | PG-Sot143 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 110 mA | 100 MW | 0,5pf @ 0v, 1MHz | Schottky - 2 paires Cathode Commune | 4V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | BAR64-03WE6327 | 1 0000 | ![]() | 4531 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | SC-76, SOD-323 | PG-SOD323-2-1 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 mA | 250 MW | 0,35pf @ 20v, 1 MHz | Broche - simple | 150V | 1,35 ohm @ 100mA, 100MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BAR63-03WE6327 | 0,0500 | ![]() | 3192 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | SC-76, SOD-323 | PG-SOD323-2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 5 176 | 100 mA | 250 MW | 0,3pf @ 5v, 1MHz | Broche - simple | 50v | - | ||||||||||||||||||||
![]() | BBY 65-02V E6327 | - | ![]() | 9454 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | BBY 65 | PG-SC79-2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 2,8pf à 4,7 V, 1 MHz | Célibataire | 15 V | 10.9 | C0.3 / C4.7 | - | ||||||||||||||||
![]() | DD89N16KKHPSA1 | - | ![]() | 3132 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | Soutenir de châssis | Module Pow-R-Blok ™ | DD89N16 | Standard | Module Pow-R-Blok ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 1600 V | 89a | 1,5 V @ 300 A | 20 mA @ 1600 V | 150 ° C | ||||||||||||||
![]() | BAR6302WH6327 | - | ![]() | 9185 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | SC-80 | SCD-80 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 mA | 250 MW | 0,3pf @ 5v, 1MHz | Broche - simple | 50v | 1OHM @ 10mA, 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | SIDC02D60C8X7SA2 | - | ![]() | 7180 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Support de surface | Mourir | Sidc02 | Standard | Mourir | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,95 V @ 6 A | 27 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | ||||||||||||||
![]() | D1461S45TXPSA2 | - | ![]() | 6166 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Abandonné à sic | Soutenir de châssis | DO00, Variante | D1461S45 | Standard | BG-D10026K-1 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000096651 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 Ma @ 4500 V | -40 ° C ~ 140 ° C | 1720a | - | |||||||||||||||
![]() | IDB18E120ATMA1 | - | ![]() | 7113 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Idb18 | Standard | PG à263-3-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 2.15 V @ 18 A | 195 ns | 100 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 31A | - | |||||||||||||
![]() | BAV 70 B5003 | - | ![]() | 1927 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV 70 | Standard | PG-Sot23 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire la commune de cathode | 80 V | 200mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||
![]() | D5810N04TVFXPSA1 | 410.4450 | ![]() | 1284 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Acheter la Dernière | De serrer | DO-200AC, K-PUK | D5810n04 | Standard | - | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 100 mA @ 400 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 5800A | - | |||||||||||||||
![]() | D850N40TXPSA1 | - | ![]() | 3433 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | De serrer | DO-200AB, B-PUK | D850N | Standard | - | télécharger | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 4000 V | 1,28 V @ 850 A | 50 mA @ 4000 V | -40 ° C ~ 160 ° C | 850A | - | |||||||||||||||
![]() | BBY 56-02W E6127 | - | ![]() | 8952 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-80 | Bby 56 | SCD-80 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 8 000 | 12.1pf @ 4v, 1MHz | Célibataire | 10 V | 3.3 | C1 / C3 | - | |||||||||||||||
![]() | BBY 51 E6433 | - | ![]() | 7504 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BBY 51 | PG-Sot23 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | 3,7pf @ 4v, 1 MHz | 1 paire la commune de cathode | 7 V | 2.2 | C1 / C4 | - | ||||||||||||||||
![]() | BBY51-03W | 1 0000 | ![]() | 4860 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | SC-76, SOD-323 | PG-SOD323-2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 3,7pf @ 4v, 1 MHz | Célibataire | 7 V | 2.2 | C1 / C4 | - | |||||||||||||||||||
![]() | Bby5603we6327htsa1 | - | ![]() | 5757 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-76, SOD-323 | BBY56 | PG-SOD323-2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 12.1pf @ 4v, 1MHz | Célibataire | 10 V | 3.3 | C1 / C3 | - | ||||||||||||||||
![]() | BBY 57-02W E6127 | - | ![]() | 8923 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | SC-80 | BBY 57 | SCD-80 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 8 000 | 5.5pf @ 4v, 1MHz | Célibataire | 10 V | 4.5 | C1 / C4 | - | ||||||||||||||||
![]() | Idd03sg60cxtma2 | 2.0500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Idd03sg60 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à 252-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 600 V | 2.3 V @ 3 A | 0 ns | 15 µA à 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 60pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||
![]() | BB640 | 1 0000 | ![]() | 8265 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDK06G65C5XTMA1 | - | ![]() | 5484 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IDK06G65 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à 263-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000930848 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,8 V @ 6 A | 0 ns | 1.1 Ma @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 190pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BAS1602LE6327XTMA1 | 0,0558 | ![]() | 5229 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | Support de surface | SOD-882 | BAS1602 | Standard | PG-TSLP-2-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 15 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 80 V | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150 ° C (max) | 200m | 2pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||
![]() | BAS 16-02W E6327 | - | ![]() | 1848 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SC-80 | BAS16 | Standard | SCD-80 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 80 V | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150 ° C (max) | 200m | 2pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||
![]() | DD800S45KL3B5NPSA1 | 1 0000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | Soutenir de châssis | Module | DD800S45 | Standard | Module | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | - | 2 indépendant | 4500 V | 800A (DC) | 3,1 V @ 800 A | 1000 A @ 2800 V | -50 ° C ~ 125 ° C | ||||||||||||||
![]() | BAW156E6327HTSA1 | 0,4200 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAW156 | Standard | PG-Sot23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire Commune d'anode | 80 V | 200mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 1,5 µs | 5 na @ 75 V | 150 ° C (max) |
Volume de RFQ moyen quotidien
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