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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de Montage | Package / ÉTUI | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | G3S06504A | 3.0800 | ![]() | 2311 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 4 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 11.5a | 181pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G5S06505AT | 4.6400 | ![]() | 7102 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24.5a | 395pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G3S065100P | 59.4300 | ![]() | 6372 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 40 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 20A | 13500pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G3S12002H | 3.8200 | ![]() | 8263 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 7.3a | 136pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G4S06506CT | 3,9000 | ![]() | 2101 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,8 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 13.8a | 181pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G3S06520P | 11.9400 | ![]() | 5761 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 60A | 1170pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G3S06512B | 6.6700 | ![]() | 9433 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 27a (DC) | 1,7 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G3S17005C | 25.7200 | ![]() | 2406 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1700 V | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 27A | 780pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G3S17020B | 48.6200 | ![]() | 1387 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1700 V | 24a (DC) | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 100 µA à 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G5S12002H | 3 0000 | ![]() | 6277 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 7.5a | 170pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G5S06504AT | 3.6600 | ![]() | 4724 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,6 V @ 4 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 11.6a | 181pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G3S12004B | 6.7200 | ![]() | 3127 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 8.5A (DC) | 1,7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G4S12020 | 30.5100 | ![]() | 4007 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,6 V @ 20 A | 0 ns | 30 µA à 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 64,5a | 2600pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G3S06503A | 2.7300 | ![]() | 400 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 3 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 11.5a | 181pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G3S06510P | 8.2400 | ![]() | 9429 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 32.8a | 690pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G4S12020P | 33.5600 | ![]() | 3260 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | - | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 64,5a | 2600pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G5S12015 | 16.5000 | ![]() | 6923 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | télécharger | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 55A | 1370pf @ 0v, 1MHz | ||||
![]() | G4S06515CT | 8.3300 | ![]() | 4595 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 35.8a | 645pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G5S12002A | 2.8400 | ![]() | 9027 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 170pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G5S06510HT | 5.7300 | ![]() | 7291 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 23.8a | - | ||||
![]() | G3S12015A | 20.6800 | ![]() | 4387 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 57A | 1700pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G5S12008D | 8.0700 | ![]() | 8712 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 26.1A | 550pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G5S6504Z | 3.1900 | ![]() | 1707 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Support de surface | 8-PowerTDFN | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | 8-DFN (4,9x5,75) | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,6 V @ 4 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 15.45a | 181pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G3S12002D | 3.8200 | ![]() | 2563 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 7a | 136pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G5S6506Z | 5.5400 | ![]() | 8309 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Support de surface | 8-PowerTDFN | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | 8-DFN (4,9x5,75) | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30.5a | 395pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G4S06510PT | 4.8600 | ![]() | 7075 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 31.2a | 550pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G3S12020P | 25.0100 | ![]() | 4068 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 64,5a | 2600pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G3S17010B | 33.3200 | ![]() | 2827 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1700 V | 29.5a (DC) | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G4S06515HT | 8.3300 | ![]() | 1776 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 23.8a | 645pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G3S06508D | 4.8000 | ![]() | 9492 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 25.5a | 550pf @ 0v, 1MHz |
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