SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Type de Montage Package / ÉTUI Technologie Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Vitre Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f
G3S06504A Global Power Technology-GPT G3S06504A 3.0800
RFQ
ECAD 2311 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Tape & Box (TB) Actif Par le trou À 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220AC télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 4 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 11.5a 181pf @ 0v, 1mhz
G5S06505AT Global Power Technology-GPT G5S06505AT 4.6400
RFQ
ECAD 7102 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220AC télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,5 V @ 5 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 24.5a 395pf @ 0v, 1MHz
G3S065100P Global Power Technology-GPT G3S065100P 59.4300
RFQ
ECAD 6372 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 247-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247AC télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 40 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 20A 13500pf @ 0v, 1MHz
G3S12002H Global Power Technology-GPT G3S12002H 3.8200
RFQ
ECAD 8263 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 220-2 EXCHET Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220f télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 2 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 7.3a 136pf @ 0v, 1mhz
G4S06506CT Global Power Technology-GPT G4S06506CT 3,9000
RFQ
ECAD 2101 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 252 télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,8 V @ 6 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 13.8a 181pf @ 0v, 1mhz
G3S06520P Global Power Technology-GPT G3S06520P 11.9400
RFQ
ECAD 5761 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 247-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247AC télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 20 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 60A 1170pf @ 0v, 1MHz
G3S06512B Global Power Technology-GPT G3S06512B 6.6700
RFQ
ECAD 9433 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 247-3 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247ab télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire la commune de cathode 650 V 27a (DC) 1,7 V @ 6 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
G3S17005C Global Power Technology-GPT G3S17005C 25.7200
RFQ
ECAD 2406 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 252 télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1700 V 1,7 V @ 5 A 0 ns 50 µA à 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C 27A 780pf @ 0v, 1mhz
G3S17020B Global Power Technology-GPT G3S17020B 48.6200
RFQ
ECAD 1387 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 247-3 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247ab télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire la commune de cathode 1700 V 24a (DC) 1,7 V @ 10 A 0 ns 100 µA à 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C
G5S12002H Global Power Technology-GPT G5S12002H 3 0000
RFQ
ECAD 6277 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 220-2 EXCHET Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220f télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 2 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 7.5a 170pf @ 0v, 1mhz
G5S06504AT Global Power Technology-GPT G5S06504AT 3.6600
RFQ
ECAD 4724 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220AC télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,6 V @ 4 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 11.6a 181pf @ 0v, 1mhz
G3S12004B Global Power Technology-GPT G3S12004B 6.7200
RFQ
ECAD 3127 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 247-3 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247ab télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire la commune de cathode 1200 V 8.5A (DC) 1,7 V @ 2 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
G4S12020PM Global Power Technology-GPT G4S12020 30.5100
RFQ
ECAD 4007 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 247-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247AC télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,6 V @ 20 A 0 ns 30 µA à 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C 64,5a 2600pf @ 0v, 1mhz
G3S06503A Global Power Technology-GPT G3S06503A 2.7300
RFQ
ECAD 400 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Tube Actif Par le trou À 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220AC télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 3 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 11.5a 181pf @ 0v, 1mhz
G3S06510P Global Power Technology-GPT G3S06510P 8.2400
RFQ
ECAD 9429 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 247-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247AC télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 32.8a 690pf @ 0v, 1MHz
G4S12020P Global Power Technology-GPT G4S12020P 33.5600
RFQ
ECAD 3260 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 247-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247AC - 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 20 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 64,5a 2600pf @ 0v, 1mhz
G5S12015PM Global Power Technology-GPT G5S12015 16.5000
RFQ
ECAD 6923 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 247-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247AC télécharger Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 15 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 55A 1370pf @ 0v, 1MHz
G4S06515CT Global Power Technology-GPT G4S06515CT 8.3300
RFQ
ECAD 4595 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 252 télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 15 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 35.8a 645pf @ 0v, 1mhz
G5S12002A Global Power Technology-GPT G5S12002A 2.8400
RFQ
ECAD 9027 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220AC télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 2 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 170pf @ 0v, 1mhz
G5S06510HT Global Power Technology-GPT G5S06510HT 5.7300
RFQ
ECAD 7291 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 220-2 EXCHET Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220f télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 23.8a -
G3S12015A Global Power Technology-GPT G3S12015A 20.6800
RFQ
ECAD 4387 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220AC télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 15 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 57A 1700pf @ 0v, 1mhz
G5S12008D Global Power Technology-GPT G5S12008D 8.0700
RFQ
ECAD 8712 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 263 télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 8 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 26.1A 550pf @ 0v, 1MHz
G5S6504Z Global Power Technology-GPT G5S6504Z 3.1900
RFQ
ECAD 1707 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Support de surface 8-PowerTDFN Sic (Carbure de Silicium) Schottky 8-DFN (4,9x5,75) télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,6 V @ 4 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 15.45a 181pf @ 0v, 1mhz
G3S12002D Global Power Technology-GPT G3S12002D 3.8200
RFQ
ECAD 2563 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 263 télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 2 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 7a 136pf @ 0v, 1mhz
G5S6506Z Global Power Technology-GPT G5S6506Z 5.5400
RFQ
ECAD 8309 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Support de surface 8-PowerTDFN Sic (Carbure de Silicium) Schottky 8-DFN (4,9x5,75) télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,5 V @ 6 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 30.5a 395pf @ 0v, 1MHz
G4S06510PT Global Power Technology-GPT G4S06510PT 4.8600
RFQ
ECAD 7075 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 247-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247AC télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 31.2a 550pf @ 0v, 1MHz
G3S12020P Global Power Technology-GPT G3S12020P 25.0100
RFQ
ECAD 4068 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 247-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247AC télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 20 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 64,5a 2600pf @ 0v, 1mhz
G3S17010B Global Power Technology-GPT G3S17010B 33.3200
RFQ
ECAD 2827 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 247-3 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247ab télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire la commune de cathode 1700 V 29.5a (DC) 1,7 V @ 5 A 0 ns 50 µA à 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C
G4S06515HT Global Power Technology-GPT G4S06515HT 8.3300
RFQ
ECAD 1776 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 220-2 EXCHET Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220f télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 15 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 23.8a 645pf @ 0v, 1mhz
G3S06508D Global Power Technology-GPT G3S06508D 4.8000
RFQ
ECAD 9492 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 263 télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 8 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 25.5a 550pf @ 0v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock