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Image | Numéro de produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Emballer | État du produit | Type de montage | Package / étui | Technologie | Package de périphérique fournisseur | Statut ROHS | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | Autres noms | ECCN | HTSUS | Package standard | Vitesse | Tension - DC Inverse (VR) (max) | Tension - en avant (vf) (max) @ si | Temps de récupération inversé (TRR) | Courant - fuite inversée @ VR | Température de fonctionnement - jonction | Current - Rectifié moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
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![]() | SDS065J006C3 | 2.4200 | ![]() | 6272 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Sanan | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (carbure de silicium) Schottky | À 220-2L | ROHS3 conforme | Non applicable | 5023-SDS065J006C3 | EAR99 | 8541.10.0000 | 1 000 | Pas de temps de récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 6 A | 0 ns | 20 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 20A | 310pf @ 0v, 1MHz | |
![]() | SDS065J008S3 | 2.8300 | ![]() | 8248 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Sanan | - | Ruban adhésif (TR) | Actif | ROHS3 conforme | 3 (168 heures) | EAR99 | 8541.10.0000 | 3 000 |
Volume de RFQ moyen quotidien
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