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Diodes (1956)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4735A, 113 | 0,0400 |  | 90 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | 1N47 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | ||||||||||||||||||||
 | PZU4.3B2,115 | - | | 5512 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PZU4.3 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
 | PZU3.3BL315 | - | | 1428 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 8 370 | |||||||||||||||||||||||
 | PMEG060V050EPD139 | - | | 2450 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | PMEG6010esByl | 0,0400 | | 20 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | 2-xdfn | PMEG6010 | Schottky | DSN1006-2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 126 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 730 mV @ 1 a | 2.4 ns | 30 µA @ 60 V | 150 ° C (max) | 1A | 20pf @ 10v, 1MHz | ||||||||||
 | BZX585-B9V1,115 | - | | 9966 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX585 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
| Nzx3v6a, 133 | 0,0200 | | 151 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Nzx3 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||
 | PDZ27BGW115 | 1 0000 | | 2903 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | PZU11B3A115 | 0,0300 | | 30 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| PZU22B3,115 | - | | 2182 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PZU22 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
 | BAS16VY125 | - | | 1429 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BAS16 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| BZX585-B36,115 | - | | 8651 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX585 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX84-B5V6,215 | - | | 9945 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
| BZX84-C20,215 | 0,0200 | | 350 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
| BZT52H-C24,115 | 0,0200 | | 25 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzt52 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
| BZX84-C20,235 | 0,0200 | | 165 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||
 | BZV85-C11,113 | 0,0300 | | 67 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1,3 W | DO-41 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 200 na @ 7,7 V | 11 V | 10 ohms | |||||||||||||
 | BYR29-600,127 | 0 4800 | | 4 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Standard | À 220AC | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 628 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,5 V @ 8 A | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (max) | 8a | - | |||||||||||
| BZX84-A3V6,215 | 0,1100 | | 304 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX79-C3V6,143 | 0,0200 | | 335 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 V | 90 ohms | |||||||||||||
| BZX384-C11 | - | | 1234 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX384 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| BZX84-C27,235 | 0,0200 | | 55 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||
| BZB784-C4V3,115 | 0,0300 | | 113 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZB784 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX384-B51,115 | - | | 3114 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX384 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
 | NXPS20H110C, 127 | 0,2800 | | 3 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-3 | Schottky | À 220ab | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 110 V | 10A | 770 MV @ 10 A | 6 µA @ 110 V | 175 ° C (max) | ||||||||||||
| BZV85-C8V2,113 | 0,0400 | | 115 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzv85 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX84-C7V5,235 | 0,0200 | | 100 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 1 µA @ 5 V | 7,5 V | 15 ohms | |||||||||||||
| 1N4745A, 133 | 0,0400 | | 28 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 12,2 V | 16 V | 16 ohms | |||||||||||||
 | BZX585-C4V3,115 | 1 0000 | | 4422 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohms | |||||||||||||
 | PDZ12BGW115 | 0,0200 | | 8884 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 |
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