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Diodes (1956)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZT52H-B75,115 | 0,0200 |  | 40 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Support de surface | Sod-123f | Bzt52 | 375 MW | Sod-123f | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 52,5 V | 75 V | 175 ohms | ||||||||||||
 | BZX79-B16,133 | 0,0200 | | 2344 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx79 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX79-B24,113 | 0,0200 | | 111 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 16,8 V | 24 V | 70 ohms | |||||||||||||
 | BZX84-C68,235 | - | | 8597 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 47,6 V | 68 V | 240 ohms | |||||||||||||
 | PZU11B3A115 | 0,0300 | | 30 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | PZU22B3,115 | - | | 2182 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PZU22 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
| BZX79-C7V5,133 | 0,0200 | | 589 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx79 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||
 | BAS16VY125 | - | | 1429 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BAS16 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | BZV85-C68133 | 0,0400 | | 15 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| BZX585-B36,115 | - | | 8651 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX585 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX84-B5V6,215 | - | | 9945 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
| BZX84-C20,215 | 0,0200 | | 350 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
| BZT52H-C24,115 | 0,0200 | | 25 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzt52 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
| BZX84-C20,235 | 0,0200 | | 165 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX884-C3V0,315 | 0,0300 | | 33 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 606 | 900 mV @ 10 mA | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohms | |||||||||||||
 | BZV85-C11,113 | 0,0300 | | 67 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1,3 W | DO-41 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 200 na @ 7,7 V | 11 V | 10 ohms | |||||||||||||
 | 1N4748A, 113 | 0,0400 | | 138 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | 1N47 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | ||||||||||||||||||||
 | BYR29-600,127 | 0,4800 | | 4 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Standard | À 220AC | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 628 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,5 V @ 8 A | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (max) | 8a | - | |||||||||||
| BZX384-B3V3135 | 1 0000 | | 4563 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX384 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| BZX84-A3V6,215 | 0,1100 | | 304 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
| BZX84-B27,235 | 0,0200 | | 80 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX79-C3V6,143 | 0,0200 | | 335 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 V | 90 ohms | |||||||||||||
| BZX384-C11 | - | | 1234 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX384 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | BYV25FD-600,118 | 0,3200 | | 1 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Standard | Dpak | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 944 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,9 V @ 5 A | 35 ns | 50 µA à 600 V | 150 ° C (max) | 5A | - | |||||||||||
| BZX84-C27,235 | 0,0200 | | 55 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||
| BZB784-C4V3,115 | 0,0300 | | 113 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZB784 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX384-B51,115 | - | | 3114 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX384 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
| BZX84J-C5V1115 | - | | 1072 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | NXPS20H110C, 127 | 0,2800 | | 3 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-3 | Schottky | À 220ab | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 110 V | 10A | 770 MV @ 10 A | 6 µA @ 110 V | 175 ° C (max) | ||||||||||||
| BZV85-C8V2,113 | 0,0400 | | 115 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzv85 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 |
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