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Diodes (1956)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZV55-B51,115 | - |  | 2890 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzv55 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | ||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C33 / DG / B3215 | 0,0700 | | 8047 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 800 | |||||||||||||||||||||||||
| NZX33A, 133 | 0,0200 | | 60 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Nzx3 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-C36,115 | - | | 6221 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||
 | BZT52H-C2V7,115 | 0,0200 | | 150 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzt52 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||
 | BZX585-B30,115 | - | | 7758 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX585 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||
 | BZX84-B16,215 | 0,0200 | | 78 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||
| BZX79-C4V3,133 | 0,0200 | | 54 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx79 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||
| PZU8.2B1,115 | - | | 9675 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pzu8.2 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||
| BZV55-C2V7,115 | - | | 9353 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzv55 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | ||||||||||||||||||||||
 | BZB84-C20,215 | 0,0200 | | 29 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 paire Commune d'anode | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 14 V | 20 V | 55 ohms | ||||||||||||||
| BZV90-C51115 | - | | 7283 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| BZV55-B22,115 | - | | 1708 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Minime | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 15,4 V | 22 V | 55 ohms | |||||||||||||||
| PMBD354,215 | 0,0800 | | 37 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PMBD3 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||
| BZX84J-C5V6,115 | - | | 3433 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||
 | BZV90-C24,115 | 0 1700 | | 18 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 261-4, à 261aa | 1,5 w | SOT-223 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 745 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 16,8 V | 24 V | 70 ohms | |||||||||||||||
| BZX79-C3V9,133 | 0,0200 | | 195 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx79 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||
 | BYV32E-150,127 | - | | 4003 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-3 | BYV32 | Standard | À 220ab | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 20A | 1,15 V @ 20 A | 25 ns | 30 µA à 150 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||
 | BZX384-C22,115 | - | | 7085 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX384 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||
 | BZX585-B2V4135 | 1 0000 | | 4054 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 50 µA @ 1 V | 2,4 V | 100 ohms | ||||||||||||
 | 1PS70SB45,115 | 0,0300 | | 366 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | 1PS70 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||
| BZB984-C4V3,115 | 0,0400 | | 36 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZB984 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 4 000 | ||||||||||||||||||||||
 | BZX585-C4V7,135 | 0,0300 | | 2042 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX585 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||
| BZX884-C4V3315 | - | | 6967 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG6020ETP, 115 | 0,1000 | | 3 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | SOD-128 | PMEG6020 | Schottky | SOD-128 / CFP5 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 530 MV @ 2 A | 8.6 ns | 150 µA à 60 V | 175 ° C (max) | 2A | 240pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||
| BZB84-B47,215 | 0,0300 | | 21 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 11 823 | 1 paire Commune d'anode | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 32,9 V | 47 V | 170 ohms | ||||||||||||||
 | BZX79-C2V7,133 | 0,0200 | | 209 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx79 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||
| BAW56W, 115 | 0,0200 | | 800 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Baw56w | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||
 | PZU24B3A, 115 | 0,0300 | | 49 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 11 010 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 19 V | 24 V | 30 ohms | |||||||||||||||
| NZX15C, 133 | 0,0200 | | 55 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Nzx1 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 |
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