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Diodes (421)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Courant - Max | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Résistance @ si, f | Rapport de capacité | Condition de rapport de capacité | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Cry91 (TE85L, Q, M) | - |  | 2201 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | Sod-123f | Cry91 | 700 MW | S-Flat (1.6x3.5) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 V @ 200 mA | 10 µA @ 5,5 V | 9.1 V | 30 ohms | |||||||||||||||||||
 | CBS05F30, L3F | 0,3900 | | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2-md, pas d'Avance | CBS05F30 | Schottky | CST2B | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 50 µA @ 30 V | 125 ° C (max) | 500mA | 118pf @ 0v, 1MHz | ||||||||||||||||||
| CMG03 (TE12L, Q, M) | - | | 2511 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SOD-128 | CMG03 | Standard | M-flat (2.4x3.8) | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | CMG03 (TE12LQM) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1.1 V @ 2 A | 10 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||||||||
| CMS09 (TE12L, Q, M) | 0,5300 | | 4497 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-128 | CMS09 | Schottky | M-flat (2.4x3.8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 450 mV @ 1 a | 500 µA @ 30 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1A | 70pf @ 10v, 1MHz | |||||||||||||||||
| CMZ16 (TE12L, Q, M) | 0,5400 | | 4384 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-128 | CMZ16 | 2 W | M-flat (2.4x3.8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA @ 11 V | 16 V | 30 ohms | ||||||||||||||||||
| CRZ39 (TE85L, Q, M) | 0.4900 | | 7342 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Sod-123f | CRZ39 | 700 MW | S-Flat (1.6x3.5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 V @ 200 mA | 10 µA @ 31,2 V | 39 V | 35 ohms | ||||||||||||||||||
 | CRZ47 (TE85L, Q, M) | 0.4900 | | 4033 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Sod-123f | CRZ47 | 700 MW | S-Flat (1.6x3.5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 V @ 200 mA | 10 µA @ 37,6 V | 47 V | 65 ohms | ||||||||||||||||||
| CUS10I30A (TE85L, QM | - | | 5115 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SC-76, SOD-323 | CUS10I30 | Schottky | US-Flat (1.25x2.5) | télécharger | Rohs conforme | CUS10I (TE85LQM | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 390 mV @ 700 mA | 60 µA @ 30 V | 150 ° C (max) | 1A | 50pf @ 10v, 1MHz | |||||||||||||||||
| BAS316, H3F | 0,1800 | | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-76, SOD-323 | BAS316 | Standard | USC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,25 V @ 150 Ma | 3 ns | 200 na @ 80 V | 150 ° C (max) | 250mA | 0,35pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||
 | DSF01S30SC, L3F | - | | 4466 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | 0201 (0603 MÉTrique) | DSF01S30 | Schottky | SC2 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | DSF01S30SCL3F | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 30 V | 500 mV à 100 mA | 50 µA @ 30 V | 125 ° C (max) | 100 mA | 9.3pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||
 | TRS12A65F, S1Q | 5.4900 | | 28 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | TRS12A65 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f-2l | - | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,6 V @ 12 A | 0 ns | 60 µA à 650 V | 175 ° C (max) | 12A | 44pf @ 650V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
| TRS8A65F, S1Q | 3.6600 | | 139 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | TRS8A65 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f-2l | - | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,6 V @ 8 A | 0 ns | 40 µA à 650 V | 175 ° C (max) | 8a | 28pf @ 650V, 1MHz | ||||||||||||||||||
 | 1SS372 (TE85L, F) | 0,3700 | | 13 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-70, SOT-323 | 1SS372 | Schottky | USM | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 10 V | 500 mV à 100 mA | 20 µA @ 10 V | 125 ° C (max) | 100 mA | 20pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||
| 1SS385, LF (CT | 0,3500 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-75, SOT-416 | 1SS385 | Schottky | SSM | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 10 V | 500 mV à 100 mA | 20 µA @ 10 V | 125 ° C (max) | 100 mA | 20pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||
 | 1SS422 (TE85L, F) | 0,4000 | | 29 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-75, SOT-416 | 1SS422 | Schottky | SSM | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | Connexion de la Séririe 1 paire | 30 V | 100 mA | 500 mV à 100 mA | 50 µA @ 30 V | 125 ° C (max) | |||||||||||||||||
 | HN4D02JU (TE85L, F) | 0,0721 | | 5848 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | HN4D02 | Standard | USV | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire la commune de cathode | 80 V | 100 mA | 1,2 V @ 100 mA | 1,6 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||
 | CUHS15S40, H3F | 0,4800 | | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2 mm, plomb plat | CUHS15 | Schottky | US2H | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 510 MV @ 1,5 A | 200 µA @ 40 V | 150 ° C (max) | 1.5a | 170pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||
 | TRS16N65FB, S1Q | 6.0900 | | 238 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | TRS16N65 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247 | - | 1 (illimité) | 264-TRS16N65FBS1Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 8A (DC) | 1,6 V @ 8 A | 0 ns | 40 µA à 650 V | 175 ° C | ||||||||||||||||
| TRS20N65FB, S1Q | 6.4400 | | 9973 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | TRS20N65 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247 | - | 1 (illimité) | 264-TRS20N65FBS1Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 10A (DC) | 1,6 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | 175 ° C | ||||||||||||||||
![1SS315[U/D] Toshiba Semiconductor and Storage](https://datasheet.sic-components.com/SOD-323%2CSC-76.jpg "1SS315[U/D] Toshiba Semiconductor and Storage") | 1SS315 [U / D] | - | | 3369 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 125 ° C (TJ) | SC-76, SOD-323 | USC | télécharger | 1 (illimité) | 264-1SS315 [U / D] TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 30 mA | 0,06pf à 200 mV, 1 MHz | Schottky - Célibataire | 5V | - | |||||||||||||||||||||
| CUHS20S60, H3F | 0,3600 | | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2 mm, plomb plat | Schottky | US2H | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 530 MV @ 2 A | 650 µA @ 60 V | 150 ° C | 2A | 290pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||||
| CUHS20F60, H3F | 0,3600 | | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2 mm, plomb plat | Schottky | US2H | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 590 MV @ 2 A | 70 µA @ 60 V | 150 ° C | 2A | 300pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||||
| CRS10I30A (TE85L, QM | 0,3800 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Sod-123f | CRS10I30 | Schottky | S-Flat (1.6x3.5) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 390 mV @ 700 mA | 60 µA @ 30 V | 150 ° C | 1A | 50pf @ 10v, 1MHz | |||||||||||||||||
 | TRS8E65F, S1Q | 3.7200 | | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | TRS8E65 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220-2L | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,6 V @ 8 A | 0 ns | 40 µA à 650 V | 175 ° C (max) | 8a | 28pf @ 650V, 1MHz | ||||||||||||||||
 | JDP4P02AT (TE85L) | - | | 5762 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | 4-md, pas d'Avance | JDP4P02 | CST4 (1.2x0.8) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 4 000 | 50 mA | 0,4pf @ 1v, 1MHz | Pin - 2 indépendants | 30V | 1,5 ohm @ 10mA, 100mhz | |||||||||||||||||||||
| CMH04 (TE12L, Q, M) | 0 4500 | | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-128 | CMH04 | Standard | M-flat (2.4x3.8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 980 mV @ 1 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||
 | 1SS417, L3M | 0,2700 | | 9195 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2 mm, plomb plat | 1SS417 | Schottky | FSC | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 40 V | 620 mV @ 50 mA | 5 µA @ 40 V | 125 ° C (max) | 100 mA | 15pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||
 | 1SS403E, L3F | 0,3200 | | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-79, SOD-523 | 1SS403 | Standard | Échap | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 8 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 200 V | 1,2 V @ 100 mA | 60 ns | 1 µA @ 200 V | 150 ° C (max) | 100 mA | 3pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||
| JDV2S09FSTPL3 | 0,0766 | | 7473 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 2 mm, plomb plat | JDV2S09 | FSC | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | 11.1pf @ 1v, 1MHz | Célibataire | 10 V | 2.1 | C1 / C4 | - | ||||||||||||||||||
| CRZ27 (TE85L, Q, M) | 0.4900 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Sod-123f | CRZ27 | 700 MW | S-Flat (1.6x3.5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 V @ 200 mA | 10 µA @ 19 V | 27 V | 30 ohms |
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