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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GBPC4006 | 4.0753 | ![]() | 4177 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | GBPC40 | Plateau | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 4 Carrés, GBPC | GBPC4006 | Standard | GBPC | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-GBPC4006 | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 600 V | 40 A | Monophasé | 600 V | ||||||||||||
![]() | UR3KB100 | 0,5154 | ![]() | 4967 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-ISIP | UR3KB | Standard | D3k | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-ur3kb100 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | 1 V @ 1,5 A | 10 µA à 1000 V | 3 A | Monophasé | 1 kv | ||||||||||||
Bzy55c15 | 0,0350 | ![]() | 1393 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 0805 (Métrique 2012) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZY55C15TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,5 V @ 10 mA | 100 na @ 11 V | 15 V | 30 ohms | |||||||||||||
![]() | Mtzj47 | 0,0305 | ![]() | 8540 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj47 | 500 MW | Do-34 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MTZJ47STR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 200 na @ 36 V | 46,5 V | 90 ohms | |||||||||||||
Bzt52b39-g | 0,0461 | ![]() | 1071 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZT52B39-GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 27,3 V | 39 V | 130 ohms | |||||||||||||
![]() | T25JA07G-K | 1 5258 | ![]() | 2164 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, TS-6P | T25ja | Standard | TS-6P | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-T25JA07G-K | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | 1,15 V @ 25 A | 5 µA à 1000 V | 25 A | Monophasé | 1 kv | ||||||||||||
![]() | D2SB60H | 0,3918 | ![]() | 4728 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, gbl | Standard | Gbl | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-D2SB60H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 200 | 1.1 V @ 2 A | 10 µA @ 600 V | 2 A | Monophasé | 600 V | |||||||||||||
![]() | MBR20100CT-Y | 0,4888 | ![]() | 7892 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | MBR20100 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MBR20100CT-Y | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 20A | 700 mV @ 20 A | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | Mtzj30sc | 0,0305 | ![]() | 7173 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj30 | 500 MW | Do-34 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MTZJ30SCTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 200 na @ 23 V | 29.09 V | 55 ohms | |||||||||||||
![]() | MBRS16150H | 0,6851 | ![]() | 8274 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRS16150 | Schottky | À-263ab (d2pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MBRS16150HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 600 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 950 MV @ 16 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | |||||||||||
![]() | HDBLS103GH | 0,4257 | ![]() | 9723 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4 sous-marins | Standard | Dbls | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-HDBLS103GHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 200 V | 1 a | Monophasé | 200 V | |||||||||||||
![]() | Ss1h6lwh | 0,1122 | ![]() | 5755 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-123W | SS1H6 | Schottky | SOD-123W | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-SS1H6LWHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 700 mV @ 1 a | 500 na @ 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||
![]() | T25JA05G-K | 1.3248 | ![]() | 2974 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, TS-6P | T25ja | Standard | TS-6P | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-T25JA05G-K | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | 1,15 V @ 25 A | 5 µA @ 600 V | 25 A | Monophasé | 600 V | ||||||||||||
Bzt52b9v1-g | 0,0461 | ![]() | 3853 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZT52B9V1-GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 900 mV @ 10 mA | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 15 ohms | |||||||||||||
![]() | 1SS400 | 0,0371 | ![]() | 4803 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-79, SOD-523 | 1SS4 | Standard | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-1SS400TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 100 V | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200m | 4pf à 500 mV, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N4746G | 0,0633 | ![]() | 8492 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4746 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-1n4746gtr | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 13,7 V | 18 V | 20 ohms | ||||||||||||
![]() | 1N4732G | 0,0627 | ![]() | 4012 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4732 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-1n4732gtr | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 4.7 V | 8 ohms | ||||||||||||
![]() | Bzd27c110p | 0,2888 | ![]() | 8283 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5 45% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzd27c110ptr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 82 V | 110 V | 250 ohms | ||||||||||||
![]() | SF2006GH | 0,7689 | ![]() | 5905 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | SF2006 | Standard | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-SF2006GH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 400 V | 20A | 1,3 V @ 10 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | GBPC1508 | 3.1618 | ![]() | 9262 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | GBPC15 | Plateau | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 4 Carrés, GBPC | GBPC1508 | Standard | GBPC | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-GBPC1508 | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V @ 7,5 A | 5 µA @ 800 V | 15 A | Monophasé | 800 V | ||||||||||||
![]() | GBPC1504W | 3.1618 | ![]() | 2475 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | GBPC15 | Plateau | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, GBPC-W | GBPC1504 | Standard | GBPC-W | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-GBPC1504W | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V @ 7,5 A | 5 µA @ 400 V | 15 A | Monophasé | 400 V | ||||||||||||
![]() | HER107GH | 0.1044 | ![]() | 8832 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-HER107HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | MBRS15100CT-Y | 0,4632 | ![]() | 4016 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRS15100 | Schottky | À-263ab (d2pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MBRS15100CT-YTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 600 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 15A | 920 MV @ 7,5 A | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | Bzx79b18 | 0,0305 | ![]() | 9233 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx79 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzx79b18tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 100 mA | 12,6 Ma @ 50 mV | 18 V | 45 ohms | ||||||||||||
![]() | GBPC2508M | 3.1618 | ![]() | 8035 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | GBPC25 | Plateau | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 4 Carrés, GBPC-M | GBPC2508 | Standard | Gbpc-m | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801 GBPC2508M | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V @ 12,5 A | 5 µA @ 800 V | 25 A | Monophasé | 800 V | ||||||||||||
![]() | Tuar4kh | 0,2121 | ![]() | 8173 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | Tuar4 | Standard | SMPC4.6U | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-tuar4khtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,4 V @ 4 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 24pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
![]() | MBR30L120CTH | 1.4400 | ![]() | 9794 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | MBR30 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MBR30L120CTH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 120 V | 30A | 950 MV @ 30 A | 20 µA à 120 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | M3Z47VC | 0,0294 | ![]() | 6269 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | M3Z47 | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-M3Z47VCTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 100 na @ 35 V | 47 V | 110 ohms | |||||||||||||
![]() | GBU1004H | 0,8559 | ![]() | 6246 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-ISIP, GBU | GBU1004 | Standard | GBU | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-GBU1004H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | 1.1 V @ 10 A | 5 µA @ 400 V | 10 a | Monophasé | 400 V | ||||||||||||
![]() | Gbl08h | 0,6044 | ![]() | 2880 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, gbl | Gbl08 | Standard | Gbl | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-GBL08H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 200 | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 800 V | 3 A | Monophasé | 800 V |
Volume de RFQ moyen quotidien
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