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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SF11GHB0G | - | ![]() | 4645 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | SF11 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
![]() | MBRS10150H | 0,5590 | ![]() | 2793 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRS10150 | Schottky | À-263ab (d2pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MBRS10150HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 600 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 1.05 V @ 10 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | |||||||||||
![]() | Bzx585b6v8 rkg | - | ![]() | 1617 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | Bzx585b6 | 200 MW | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,8 µA @ 4 V | 6,8 V | 15 ohms | |||||||||||||
![]() | Hs1jl | 0 2228 | ![]() | 1688 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-123 | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-hs1jltr | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | BZT55B33 | 0,0385 | ![]() | 9893 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | Variante SOD-80 | 500 MW | QMMELF | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzt55b33tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 24 V | 33 V | 80 ohms | |||||||||||||
BZD17C47P RTG | - | ![]() | 8131 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,38% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 36 V | 47 V | 45 ohms | |||||||||||||
![]() | Bzx584b39 | 0,0379 | ![]() | 1168 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzx584b39tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 8 000 | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 27,3 V | 39 V | 130 ohms | ||||||||||||
![]() | SS34 V7G | 1 0000 | ![]() | 564 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban de Coupé (CT) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | SS34 | Schottky | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 500 mV @ 3 a | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | |||||||||||
![]() | RFG AZ23C12 | 0,0786 | ![]() | 7971 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 paire Commune d'anode | 100 na @ 9 V | 12 V | 20 ohms | ||||||||||||
Bzd27c33p rqg | - | ![]() | 9627 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,06% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 24 V | 33 V | 15 ohms | |||||||||||||
![]() | SSL33 R7G | - | ![]() | 6405 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | SSL33 | Schottky | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 410 MV @ 3 A | 200 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | |||||||||||
![]() | Ugs30jh | 3.0300 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Standard | À 263ab (d²pak) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-UGS30JHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 2 V @ 30 A | 50 ns | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 30A | 128pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | Bzt52c9v1 | 0,0412 | ![]() | 6290 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Sod-123f | BZT52C | 500 MW | Sod-123f | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzt52c9v1tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1 V @ 10 mA | 450 na @ 6 V | 9.1 V | 15 ohms | ||||||||||||
![]() | Héra806g | - | ![]() | 4362 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | Standard | À 220AC | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-HERA806G | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 8 A | 80 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 55pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
![]() | TSP15U50S | 0,6966 | ![]() | 3076 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | TSP15 | Schottky | À 277a (SMPC) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSP15U50STR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 560 MV @ 15 A | 2 ma @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | |||||||||||
![]() | 2A01G B0G | - | ![]() | 1507 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 2A01 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1.1 V @ 2 A | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | 1pgsmb5928h | 0.1798 | ![]() | 3302 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101, 1PGSMB59 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AA, SMB | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 µA @ 9,9 V | 13 V | 7 ohms | ||||||||||||||
![]() | Puup3bh | 0,7400 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | Standard | À 277a (SMPC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 930 MV @ 3 A | 25 ns | 2 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 47pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | SK59CH6G | - | ![]() | 5051 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | SK59 | Schottky | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 90 V | 850 mV @ 5 a | 300 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | |||||||||||
![]() | MBR10100CT-Y | 0,3912 | ![]() | 6782 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | MBR10100 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MBR10100CT-Y | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 10A | 700 mV @ 10 a | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | SRAS2060H | 0,7983 | ![]() | 2255 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SRAS2060 | Schottky | À-263ab (d2pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-SRAS2060HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 600 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 700 mV @ 20 A | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||||
BZD17C43P RQG | - | ![]() | 3954 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,97% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 33 V | 43 V | 45 ohms | |||||||||||||
![]() | BZT55C22 | 0,0494 | ![]() | 5254 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | Variante SOD-80 | 500 MW | QMMELF | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZT55C22TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 16 V | 22 V | 55 ohms | |||||||||||||
![]() | Tpau3g | 0 2937 | ![]() | 2304 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | Tpau3 | Avalanche | À 277a (SMPC) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-tpau3gtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,88 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
Bzy55c3v0 | 0,0350 | ![]() | 9144 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 0805 (Métrique 2012) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzy55c3v0tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,5 V @ 10 mA | 4 µA @ 1 V | 3 V | 85 ohms | |||||||||||||
![]() | TSSD20L60SW | 0,8805 | ![]() | 5573 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TSSD20 | Schottky | À 252, (d-pak) | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSSD20L60SWTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 660 MV @ 20 A | 100 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 2500pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | HS5B | 0,6870 | ![]() | 1606 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-HS5BTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 80pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
![]() | 1N4740G B0G | - | ![]() | 8391 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4740 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 9,1 V | 10 V | 9 ohms | ||||||||||||
![]() | BZT52C13K | 0,0478 | ![]() | 3578 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | BZT52C | 200 MW | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZT52C13KTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 100 na @ 10 V | 13 V | 30 ohms | |||||||||||||
![]() | Ss320fsh | 0.1338 | ![]() | 7794 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-128 | Ss320 | Schottky | SOD-128 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-SS320FSHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 14 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 950 MV @ 3 A | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 54pf @ 4v, 1mhz |
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