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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1pgsmc5365 | 0,3249 | ![]() | 1800 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AB, SMC | 1pgsmc | 5 W | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-1pgsmc5365tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 500 na @ 27,4 V | 36 V | 11 ohms | ||||||||||||||
1PGSMA4745 R3G | 0 4500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1pgsma4745 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 12,2 V | 16 V | 16 ohms | ||||||||||||||
![]() | ESH3D R7 | - | ![]() | 9493 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-ESH3DR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 900 mV @ 3 a | 20 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 45pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | SK39B M4G | - | ![]() | 5450 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | SK39 | Schottky | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 90 V | 850 mV @ 3 a | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||
Rs1klsh | 0,0666 | ![]() | 1519 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-123H | Rs1k | Standard | SOD-123HE | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-RS1KLSHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,3 V @ 1,2 A | 300 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.2A | - | ||||||||||||
![]() | ES3JH | 0,2361 | ![]() | 3892 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||
![]() | Tuas8gh | 0 2466 | ![]() | 2648 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | Tuas8 | Standard | SMPC4.6U | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-tuas8ghtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 8 A | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 62pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||
![]() | Bzt52c3v0k | 0,0474 | ![]() | 9337 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | BZT52C | 200 MW | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzt52c3v0ktr | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 50 µA @ 1 V | 3 V | 100 ohms | ||||||||||||||
![]() | Bzd27c220ph | 0,3353 | ![]() | 5493 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,67% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzd27c220phtr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA à 160 V | 220,5 V | 900 ohms | |||||||||||||
![]() | HER204G B0G | - | ![]() | 5100 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | HER204 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 1 V @ 2 A | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 35pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | KBU603G | 1.7406 | ![]() | 7415 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Plateau | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbu | Standard | Kbu | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-KBU603G | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 200 V | 6 A | Monophasé | 200 V | |||||||||||||
BZD27C39P RFG | - | ![]() | 7923 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,12% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 30 V | 39 V | 40 ohms | ||||||||||||||
![]() | BZS55C24 | 0,0340 | ![]() | 9818 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 1206 (3216 MÉTrique) | BZS55 | 500 MW | 1206 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZS55C24TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 10 mA | 100 na @ 18 V | 24 V | 80 ohms | |||||||||||||
![]() | S12JC M6 | - | ![]() | 6800 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-s12jcm6tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1.1 V @ 12 A | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 12A | 78pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||
Ss12lhrtg | - | ![]() | 1020 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS12 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 450 mV @ 1 a | 400 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||||
![]() | Bzv55b4v3 | 0,0504 | ![]() | 8020 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzv55b | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzv55b4v3tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1 V @ 100 mA | 1 µA @ 1 V | 4.3 V | 75 ohms | |||||||||||||
![]() | Bzv55b3v0 | 0,0357 | ![]() | 2903 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzv55b | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzv55b3v0tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 100 mA | 4 µA @ 1 V | 3 V | 85 ohms | |||||||||||||
![]() | SR520 A0G | 0,6500 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | SR520 | Schottky | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1.05 V @ 5 A | 100 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||||||
![]() | SF1607GHC0G | - | ![]() | 5218 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | SF1607 | Standard | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 500 V | 1,7 V @ 8 A | 35 ns | 10 µA à 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | S3A M6 | - | ![]() | 2260 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-S3AM6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1,15 V @ 3 A | 1,5 µs | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | Bzv55c51 | 0,0499 | ![]() | 8900 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzv55c | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzv55c51tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 38 V | 51 V | 125 ohms | |||||||||||||
![]() | HS5K M6G | - | ![]() | 7531 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | HS5K | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,7 V @ 5 A | 75 ns | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 50pf @ 4v, 1MHz | |||||||||||
![]() | Puad8dch | 0,9500 | ![]() | 6420 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Puad8 | Standard | Thindpak | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 8a | 920 MV @ 4 A | 25 ns | 2 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||
![]() | Mtzj27sa | 0,0305 | ![]() | 3250 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj27 | 500 MW | Do-34 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MTZJ27SATr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 200 na @ 21 V | 24,89 V | 45 ohms | ||||||||||||||
![]() | SRAF8150H | - | ![]() | 7839 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Schottky | ITO-220AC | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-SRAF8150H | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 550 MV @ 8 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||||||
![]() | SFAF2008G | - | ![]() | 4651 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Standard | ITO-220AC | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-SFAF2008G | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 150pf @ 4v, 1MHz | |||||||||||
Bzd27c9v1phrhg | - | ![]() | 7511 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,07% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA @ 5 V | 9.05 V | 4 ohms | ||||||||||||||
BZD17C33P MTG | - | ![]() | 1587 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,06% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 24 V | 33 V | 15 ohms | ||||||||||||||
Bzt52b18-g | 0,0461 | ![]() | 5840 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZT52B18-GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 12,6 V | 18 V | 45 ohms | ||||||||||||||
![]() | Mur820 C0G | - | ![]() | 2047 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 | Mur820 | Standard | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 975 MV @ 8 A | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8a | - |
Volume de RFQ moyen quotidien
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