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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SRAF550 C0G | - | ![]() | 6732 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 EXCHET | SRAF550 | Schottky | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 700 mV @ 5 a | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||||||
![]() | TSP3H150S S1G | 0,9400 | ![]() | 767 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | TSP3H150 | Schottky | À 277a (SMPC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 860 mV @ 3 a | 20 ns | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 150pf @ 4v, 1MHz | |||||||||||
![]() | BZV55B7V5 L1G | - | ![]() | 5073 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzv55b | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 5 V | 7,5 V | 7 ohms | |||||||||||||
![]() | Héraf804G | - | ![]() | 5518 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Standard | ITO-220AC | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-HERAF804G | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 1 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 80pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | Bzd27c220ph | 0,3353 | ![]() | 5493 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,67% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzd27c220phtr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA à 160 V | 220,5 V | 900 ohms | |||||||||||||
BZD27C62P RTG | - | ![]() | 6871 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6 45% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 47 V | 62 V | 80 ohms | ||||||||||||||
![]() | BAV19 A0G | - | ![]() | 6635 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | BAV19 | Standard | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 5 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 100 V | 1,25 V @ 200 mA | 100 na @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 200m | 5pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||
ES1CL MQG | - | ![]() | 4530 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | ES1C | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BZT55C5V1 L1G | - | ![]() | 8619 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzt55 | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 1 V | 5.1 V | 35 ohms | |||||||||||||
BZD27C75P RQG | - | ![]() | 9017 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,04% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 56 V | 74,5 V | 100 ohms | ||||||||||||||
HS1BL M2G | - | ![]() | 7994 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | HS1B | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||
![]() | HER204G B0G | - | ![]() | 5100 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | HER204 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 1 V @ 2 A | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 35pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | S3dbhr5g | - | ![]() | 7819 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | S3d | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,15 V @ 3 A | 1,5 µs | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 40pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | KBU603G | 1.7406 | ![]() | 7415 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Plateau | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbu | Standard | Kbu | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-KBU603G | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 200 V | 6 A | Monophasé | 200 V | |||||||||||||
![]() | MBR3050CTHC0G | - | ![]() | 7648 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | MBR3050 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 50 V | 30A | 770 MV @ 15 A | 200 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | FR154GH | 0,0848 | ![]() | 1760 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | FR154 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1,5 A | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 20pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | S8gchr7g | - | ![]() | 8906 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | S8gc | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 985 MV @ 8 A | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 48pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||
![]() | 1N4745G R0G | 0,0627 | ![]() | 3252 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4745 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 12,2 V | 16 V | 16 ohms | |||||||||||||
BZD27C39P RFG | - | ![]() | 7923 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,12% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 30 V | 39 V | 40 ohms | ||||||||||||||
Bzd27c39phrtg | - | ![]() | 5167 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,12% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 30 V | 39 V | 40 ohms | ||||||||||||||
![]() | Rs1mf-t | 0.1037 | ![]() | 4211 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-221AC, SMA PLATS À PLAT | Standard | Coquine | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-RS1MF-TTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 8pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||
![]() | Bzx85c9v1 | 0,0645 | ![]() | 1489 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Bzx85 | 1,3 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzx85c9v1tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,2 V @ 10 mA | 1 µA @ 6,9 V | 9.1 V | 5 ohms | |||||||||||||
![]() | BZS55C24 | 0,0340 | ![]() | 9818 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 1206 (3216 MÉTrique) | BZS55 | 500 MW | 1206 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZS55C24TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 10 mA | 100 na @ 18 V | 24 V | 80 ohms | |||||||||||||
![]() | Bzd27c39p | 0.1101 | ![]() | 1379 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,13% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzd27c39ptr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 30 V | 39 V | 40 ohms | |||||||||||||
![]() | HER201G R0G | - | ![]() | 1992 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | HER201 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1 V @ 2 A | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 35pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | MBR3090CT C0G | - | ![]() | 1425 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | MBR3090 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 90 V | 30A | 940 MV @ 30 A | 200 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | S12JC M6 | - | ![]() | 6800 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-s12jcm6tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1.1 V @ 12 A | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 12A | 78pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||
![]() | SR315 | 0.1676 | ![]() | 1777 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | SR315 | Schottky | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 850 mV @ 3 a | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||
Bzt52b7v5-g rhg | 0,0461 | ![]() | 2809 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 1 µA @ 5 V | 7,5 V | 15 ohms | ||||||||||||||
![]() | MBRS2050CT MNG | - | ![]() | 1437 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRS2050 | Schottky | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 50 V | 20A | 950 MV @ 20 A | 100 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C |
Volume de RFQ moyen quotidien
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