SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Vitre Tension - DC inverse (VR) (max) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Tension - Zener (NOM) (VZ) Impédance (max) (ZZT)
1N5225B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5225B A0G -
RFQ
ECAD 5533 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% 100 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 1N5225 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,1 V @ 200 mA 50 µA @ 1 V 3 V 29 ohms
1N5235B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5235B A0G -
RFQ
ECAD 4930 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% 100 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 1N5235 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,1 V @ 200 mA 3 µA @ 5 V 6,8 V 5 ohms
1N5237B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5237B A0G -
RFQ
ECAD 4239 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% 100 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 1N5237 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,1 V @ 200 mA 3 µA @ 6,5 V 8.2 V 8 ohms
1N5244B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5244B A0G -
RFQ
ECAD 8297 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% 100 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 1N5244 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,1 V @ 200 mA 100 na @ 10 V 14 V 15 ohms
1N5249B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5249B A0G -
RFQ
ECAD 2576 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% 100 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 1N5249 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,1 V @ 200 mA 100 na @ 14 V 19 V 23 ohms
1N5252B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5252B A0G 0,3200
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban de Coupé (CT) Actif ± 5% 100 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 1N5252 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,1 V @ 200 mA 100 na @ 18 V 24 V 33 ohms
1N5257B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5257B A0G -
RFQ
ECAD 3584 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% 100 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 1N5257 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,1 V @ 200 mA 100 na @ 25 V 33 V 58 ohms
1N5259B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5259B A0G -
RFQ
ECAD 7147 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% 100 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 1N5259 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,1 V @ 200 mA 100 na @ 30 V 39 V 80 ohms
BZX79B3V3 A0G Taiwan Semiconductor Corporation Bzx79b3v3 a0g -
RFQ
ECAD 8794 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Bzx79 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,5 V @ 100 mA 1 ma @ 25 V 3,3 V 95 ohms
BZX79B4V3 A0G Taiwan Semiconductor Corporation Bzx79b4v3 a0g -
RFQ
ECAD 9617 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Bzx79 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,5 V @ 100 mA 1 ma @ 5 V 4.3 V 90 ohms
BZX79B6V2 A0G Taiwan Semiconductor Corporation Bzx79b6v2 a0g -
RFQ
ECAD 8413 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Bzx79 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,5 V @ 100 mA 4 Ma @ 3 V 6.2 V 10 ohms
BZX79B75 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B75 A0G -
RFQ
ECAD 9943 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Bzx79 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,5 V @ 100 mA 52,5 ma @ 50 mV 75 V 255 ohms
BZX79C16 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C16 A0G -
RFQ
ECAD 6129 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Bzx79 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,5 V @ 100 mA 50 na @ 11,2 V 16 V 40 ohms
BZX79C20 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C20 A0G -
RFQ
ECAD 2058 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Bzx79 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,5 V @ 100 mA 50 na @ 14 V 20 V 55 ohms
BZX79C2V7 A0G Taiwan Semiconductor Corporation Bzx79c2v7 a0g -
RFQ
ECAD 6353 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Bzx79 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,5 V @ 100 mA 75 µA @ 1 V 2,7 V 100 ohms
BZX79C33 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C33 A0G -
RFQ
ECAD 9785 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Bzx79 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,5 V @ 100 mA 50 na @ 23,1 V 33 V 80 ohms
BZX79C6V2 A0G Taiwan Semiconductor Corporation Bzx79c6v2 a0g -
RFQ
ECAD 7269 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Bzx79 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,5 V @ 100 mA 3 µA @ 4 V 6.2 V 10 ohms
BZX85C36 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C36 A0G -
RFQ
ECAD 5276 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial Bzx85 1,3 W DO-204AL (DO-41) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 1,2 V @ 10 mA 500 na @ 25 V 36 V 40 ohms
BZX85C39 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C39 A0G -
RFQ
ECAD 7582 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial Bzx85 1,3 W DO-204AL (DO-41) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 1,2 V @ 10 mA 500 na @ 27 V 39 V 45 ohms
BZX85C3V3 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C3V3 A0G -
RFQ
ECAD 1303 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial Bzx85 1,3 W DO-204AL (DO-41) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 1,2 V @ 10 mA 40 µA @ 1 V 3,3 V 20 ohms
BZX85C6V2 A0G Taiwan Semiconductor Corporation Bzx85c6v2 a0g -
RFQ
ECAD 7573 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial Bzx85 1,3 W DO-204AL (DO-41) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 1,2 V @ 10 mA 1 µA @ 3 V 6.2 V 4 ohms
MMSZ5230B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5230B RHG 0,0433
RFQ
ECAD 9854 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Sod-123f MMSZ5230 500 MW Sod-123f télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 5 µA @ 2 V 4.7 V 19 ohms
MMSZ5239B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5239B RHG 0,0433
RFQ
ECAD 1927 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Sod-123f MMSZ5239 500 MW Sod-123f télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 3 µA @ 7 V 9.1 V 10 ohms
MMSZ5243B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5243B RHG 0,0433
RFQ
ECAD 1978 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Sod-123f MMSZ5243 500 MW Sod-123f télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 500 na @ 9,9 V 13 V 13 ohms
MMSZ5256B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5256B RHG 0,2800
RFQ
ECAD 9322 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Sod-123f MMSZ5256 500 MW Sod-123f télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 100 na @ 23 V 30 V 49 ohms
MMSZ5261B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5261B RHG 0,0433
RFQ
ECAD 8585 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Sod-123f MMSZ5261 500 MW Sod-123f télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 100 na @ 36 V 47 V 105 ohms
MMSZ5262B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5262B RHG 0,0433
RFQ
ECAD 7467 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Sod-123f MMSZ5262 500 MW Sod-123f télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 100 na @ 39 V 51 V 125 ohms
RB551V-40 RRG Taiwan Semiconductor Corporation RB551V-40 RRG -
RFQ
ECAD 5080 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-76, SOD-323 RB551 Schottky SOD-323 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 40 V 470 MV @ 500 mA 100 µA @ 40 V 125 ° C (max) 500mA -
BZX55B10 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B10 A0G -
RFQ
ECAD 6218 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Bzx55 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1 V @ 100 mA 100 na @ 7,5 V 10 V 15 ohms
BZX55B3V9 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B3V9 A0G -
RFQ
ECAD 6855 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Bzx55 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1 V @ 100 mA 2 µA @ 1 V 3,9 V 85 ohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock