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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BZY55B18 | 0,0491 | ![]() | 7658 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 0805 (Métrique 2012) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzy55b18tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,5 V @ 10 mA | 100 na @ 13 V | 18 V | 50 ohms | |||||||||||||
![]() | BZT55B47 L0G | 0,0385 | ![]() | 4292 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzt55 | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 35 V | 47 V | 110 ohms | ||||||||||||
![]() | SFAF1006GH | - | ![]() | 8985 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Standard | ITO-220AC | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-SFAF1006GH | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 10 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 140pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||
![]() | HS1MALH | 0,0741 | ![]() | 7745 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-221AC, SMA PLATS À PLAT | Standard | Sma hachce | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-HS1MALHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 28 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 1 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 8pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | RS3J R7 | - | ![]() | 1334 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-RS3JR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,3 V @ 3 A | 250 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | Mur420s r6g | - | ![]() | 8965 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-MUR420SR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 875 MV @ 4 A | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | 65pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||
![]() | HER1604GH | 0,6155 | ![]() | 5728 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | Standard | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-HER1604GH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 300 V | 16A | 1 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
Bzt52c15-g rhg | 0,0445 | ![]() | 8602 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 10,5 V | 15 V | 30 ohms | |||||||||||||
BZD17C36P MTG | - | ![]() | 3438 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,55% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 27 V | 36 V | 40 ohms | |||||||||||||
![]() | Bzv55b36 | 0,0357 | ![]() | 4880 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzv55b | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZV55B36TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 27 V | 36 V | 80 ohms | ||||||||||||
SS220LW | 0,0862 | ![]() | 2875 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-123W | Ss220 | Schottky | SOD-123W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 950 MV @ 2 A | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||||
Bzy55b6v2 | 0,0413 | ![]() | 3501 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 0805 (Métrique 2012) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzy55b6v2tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 10 mA | 100 na @ 2 V | 6.2 V | 10 ohms | |||||||||||||
![]() | SRS20150H | 0,7935 | ![]() | 2629 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SRS20150 | Schottky | À-263ab (d2pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-SRS20150HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 600 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 20A | 1.02 V @ 10 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | Bzx585b3v6 rkg | - | ![]() | 3714 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | Bzx585b3 | 200 MW | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 4,5 µA @ 1 V | 3,6 V | 90 ohms | |||||||||||||
![]() | 2A01GHR0G | - | ![]() | 5751 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 2A01 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1.1 V @ 2 A | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | MBR1035 C0G | - | ![]() | 7269 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | MBR1035 | Standard | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 35 V | 700 mV @ 10 a | 100 µA @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||
![]() | ZM4750A | 0,0830 | ![]() | 4660 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AB, MELF | ZM4750 | 1 W | Melf | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-zm4750atr | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 5 µA @ 20,6 V | 27 V | 35 ohms | |||||||||||||
Bzd27c6v8phrug | - | ![]() | 2024 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 6,8 V | 3 ohms | |||||||||||||
![]() | MBRF20100CTH | - | ![]() | 5157 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | MBRF20100 | Schottky | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 20A | 950 MV @ 20 A | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | SFF10L04GAH | 0,4385 | ![]() | 5205 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | SFF10L04 | Standard | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-SFF10L04GAH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 200 V | 10A | 980 MV @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
Es1clhmhg | - | ![]() | 7164 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | ES1C | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | GPAS1007 | 0,5148 | ![]() | 4445 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Standard | À-263ab (d2pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-GPAS1007TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 600 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1.1 V @ 10 A | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 50pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||
![]() | Rs3jh | 0.1756 | ![]() | 5678 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,3 V @ 3 A | 250 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||
![]() | Héra807G C0G | - | ![]() | 6752 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 | Héra807 | Standard | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,7 V @ 8 A | 80 ns | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 55pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
![]() | Udzs33b | 0,0354 | ![]() | 2404 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | Udzs33 | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-udzs33btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 45 na @ 25 V | 33 V | 100 ohms | |||||||||||||
BZD17C180P RVG | - | ![]() | 4431 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,38% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA à 130 V | 180 V | 450 ohms | |||||||||||||
![]() | MMSZ5261B RHG | 0,0433 | ![]() | 8585 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Sod-123f | MMSZ5261 | 500 MW | Sod-123f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 100 na @ 36 V | 47 V | 105 ohms | |||||||||||||
![]() | AZ23C18 | 0,0786 | ![]() | 1193 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-AZ23C18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 paire Commune d'anode | 100 na @ 14 V | 18 V | 50 ohms | ||||||||||||
![]() | Az23c9v1 | 0,0786 | ![]() | 2010 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-az23c9v1tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 paire Commune d'anode | 100 na @ 7 V | 9.1 V | 10 ohms | ||||||||||||
![]() | TSPB15U50S | 0,6906 | ![]() | 3979 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | Tspb15 | Schottky | SMPC4.0 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 560 MV @ 15 A | 2 ma @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | - |
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