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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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BZD17C68P MQG | - | ![]() | 4961 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 51 V | 68 V | 80 ohms | ||||||||||||||
![]() | Bzx55c6v8 | 0,0282 | ![]() | 2662 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx55 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZX55C6V8TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 3 V | 6,8 V | 8 ohms | |||||||||||||
![]() | Mur360s r7g | - | ![]() | 1048 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Mur360 | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,25 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||
BZD27C62P R3G | - | ![]() | 6108 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6 45% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 47 V | 62 V | 80 ohms | ||||||||||||||
![]() | UDZS33B R9G | 0,0354 | ![]() | 8129 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | Udzs33 | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 45 na @ 25 V | 33 V | 100 ohms | ||||||||||||||
![]() | TSPB20U80S S2G | - | ![]() | 6475 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | Tspb20 | Schottky | SMPC4.0 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 80 V | 640 MV @ 20 A | 300 µA @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||||||
![]() | SR20100 | - | ![]() | 4514 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-3 | SR20100 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 20A | 900 mV @ 10 a | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | SF41GH | - | ![]() | 2641 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | SF41 | Standard | Do-201Dad | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-sf41ghtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 1250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1 V @ 4 A | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 100pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
US1KH | 0,0827 | ![]() | 9352 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | US1K | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||
SS29L RHG | - | ![]() | 6727 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS29 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 90 V | 850 MV @ 2 A | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||||
![]() | SFF2008GH | - | ![]() | 7352 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | SFF2008 | Standard | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 10 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 90pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | SRAF520 C0G | - | ![]() | 4450 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 EXCHET | SRAF520 | Schottky | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 550 mV @ 5 a | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 5A | - | ||||||||||||
S1kl M2G | - | ![]() | 3911 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | S1k | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1.1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||
1SMA160Z | 0.1229 | ![]() | 4286 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1SMA160 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1 µA @ 121,6 V | 160 V | 1100 ohms | |||||||||||||||
![]() | S1gm RSG | 0.1404 | ![]() | 5562 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2 mm, plomb plat | S1G | Standard | Micro SMA | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 1 A | 780 ns | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 5pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | Bzd27c30ph | 0 2933 | ![]() | 8118 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,67% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzd27c30phtr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 22 V | 30 V | 15 ohms | |||||||||||||
![]() | SF46GH | 0,2862 | ![]() | 6953 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | SF46 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 4 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 80pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | ABS6 REG | 0,9200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4 sous-marins | ABS6 | Standard | Abs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | 950 mV @ 400 mA | 10 µA @ 600 V | 1 a | Monophasé | 600 V | |||||||||||||
![]() | 1N4739G | 0,0627 | ![]() | 6786 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4739 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-1n4739gtr | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA @ 7 V | 9.1 V | 5 ohms | |||||||||||||
![]() | SK86C M6G | - | ![]() | 6462 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | SK86 | Schottky | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 750 MV @ 8 A | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||||||
![]() | BZT55C8V2 L1G | - | ![]() | 2504 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzt55 | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 6,2 V | 8.2 V | 7 ohms | |||||||||||||
![]() | TS35P05GH | 1.5366 | ![]() | 8347 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, TS-6P | Ts35p05 | Standard | TS-6P | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 17,5 A | 10 µA @ 600 V | 35 A | Monophasé | 600 V | |||||||||||||
1SMA4738 M2G | - | ![]() | 2296 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1SMA4738 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 5 µA @ 6 V | 8.2 V | 4,5 ohms | |||||||||||||||
![]() | Rs3bhm6g | - | ![]() | 3411 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Rs3b | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||
![]() | SFF2003GHC0G | - | ![]() | 3519 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | SFF2003 | Standard | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 975 MV @ 10 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 90pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | Pu6jc | 0 2433 | ![]() | 4177 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | PU6J | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-pu6jctr | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 6 A | 26 ns | 2 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | 48pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
SSL14 R3G | - | ![]() | 1796 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AC, SMA | SSL14 | Schottky | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 390 MV @ 1 A | 200 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||||
![]() | Sr509hr0g | - | ![]() | 5015 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Par le trou | DO-201D, axial | SR509 | Schottky | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 90 V | 850 mV @ 5 a | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||||||
![]() | GBPC2508W | 3.1618 | ![]() | 9061 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | GBPC25 | Plateau | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, GBPC-W | GBPC2508 | Standard | GBPC-W | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-GBPC2508W | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V @ 12,5 A | 5 µA @ 800 V | 25 A | Monophasé | 800 V | |||||||||||||
![]() | 1pgsmb5931hr5g | - | ![]() | 4620 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AA, SMB | 1pgsmb5931 | 3 W | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 13,7 V | 18 V | 12 ohms |
Volume de RFQ moyen quotidien
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