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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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![]() | VS-150U120DM12 | 36.8068 | ![]() | 3670 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | Châssis, montage | DO-205AA, DO-8, Stud | 150U120 | Standard | DO-205AA (DO-8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VS150U120DM12 | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 1 47 V @ 600 A | -40 ° C ~ 180 ° C | 150a | - | |||||||||||||
G2SB60-E3 / 51 | - | ![]() | 7521 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, gbl | G2SB60 | Standard | Gbl | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 750 Ma | 5 µA @ 200 V | 1,5 A | Monophasé | 600 V | |||||||||||||||
DZ23C9V1-E3-18 | 0,0415 | ![]() | 2037 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | DZ23 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 paire la commune de cathode | 100 na @ 7 V | 9.1 V | 10 ohms | |||||||||||||||
![]() | 3KBP06M-E4 / 45 | - | ![]() | 7615 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbpm | 3KBP06 | Standard | Kbpm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 1.05 V @ 3 A | 5 µA @ 600 V | 3 A | Monophasé | 600 V | ||||||||||||||
![]() | GDZ15B-G3-18 | 0,0445 | ![]() | 2872 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Gdz-g | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-76, SOD-323 | GDZ15 | 200 MW | SOD-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 100 na @ 11 V | 15 V | 42 ohms | |||||||||||||||
AZ23B5V6-G3-08 | 0,0594 | ![]() | 2499 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Az23-g | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Az23b5v6 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 1 paire Commune d'anode | 100 na @ 1 V | 5.6 V | 40 ohms | |||||||||||||||
![]() | VS-42HFR40 | 6.2830 | ![]() | 8404 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | 42hfr40 | Polateté Standard et inverse | DO-203AB (DO-5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VS42HFR40 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 125 A | -65 ° C ~ 190 ° C | 40a | - | |||||||||||||
![]() | 1N4448WS-HE3-18 | 0,0360 | ![]() | 2678 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-76, SOD-323 | 1N4448 | Standard | SOD-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 75 V | 720 mV @ 5 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 150m | - | ||||||||||||
![]() | RGP15A-E3 / 54 | 0,2320 | ![]() | 7885 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | RGP15 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1,3 V @ 1,5 A | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | - | ||||||||||||
![]() | ESH1PB-E3 / 85A | - | ![]() | 1685 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-220AA | ESH1 | Standard | DO-220AA (SMP) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 900 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||
![]() | IRKD71 / 10A | - | ![]() | 4223 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Add-a-pak (3) | IRKD71 | Standard | Add-a-pak® | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 1000 V | 80A | 10 mA @ 1000 V | |||||||||||||||
![]() | Esh3che3_a / h | 0,3208 | ![]() | 9084 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | ESH3 | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 900 mV @ 3 a | 40 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 70pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||
![]() | BZM55C3V6-TR3 | 0,2800 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZM55 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | 2-md, pas d'Avance | BZM55C3V6 | 500 MW | Micro-paramétre | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 3,6 V | 600 ohms | ||||||||||||||
![]() | SE20PABHM3 / I | 0,1122 | ![]() | 4160 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-220AA | SE20 | Standard | DO-220AA (SMP) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 14 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 900 mV @ 1 a | 1,2 µs | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.6a | 13pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||
![]() | BYM13-50-E3 / 97 | 0,2617 | ![]() | 7621 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-213AB, MELF | BYM13 | Schottky | GL41 (DO-213AB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 700 mV @ 1 a | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 80pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||
![]() | VBT2080S-M3 / 8W | 0,6768 | ![]() | 4365 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | VBT2080 | Schottky | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 80 V | 920 MV @ 20 A | 700 µA @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||||||
![]() | SS8P3CL-M3 / 86A | 0,6400 | ![]() | 217 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | SS8P3 | Schottky | À 277a (SMPC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 30 V | 4A | 540 MV @ 4 A | 300 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
![]() | VS-E5PH6012L-N3 | 4.9800 | ![]() | 363 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Fred PT® | Tube | Actif | Par le trou | À 247-2 | E5PH6012 | Standard | À 247ad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 2,3 V @ 60 A | 130 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 60A | - | ||||||||||||
![]() | GBPC104L-6740E4 / 51 | - | ![]() | 4569 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | - | - | - | GBPC104 | - | - | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||
![]() | SML4756-E3 / 5A | 0.1733 | ![]() | 1929 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 10% | 150 ° C | Support de surface | DO-214AC, SMA | SML4756 | 1 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 5 µA à 35,8 V | 47 V | 80 ohms | |||||||||||||||
![]() | Bzx55c4v7-tr | 0 2400 | ![]() | 81 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx55c4v7 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 200 mA | 500 na @ 1 V | 4.7 V | 60 ohms | ||||||||||||||
BYW29-100-E3 / 45 | 1.1400 | ![]() | 605 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | BYW29 | Standard | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,3 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA à 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 8a | 45pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||
![]() | Gp10j-4005he3 / 54 | - | ![]() | 8224 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | GP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | - | 1A | - | |||||||||||||||
![]() | GP10-4006-E3 / 73 | - | ![]() | 9089 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | GP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | - | 1A | - | |||||||||||||||
![]() | Fep16ft-e3 / 45 | 1.5700 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | Fep16 | Standard | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 300 V | 16A | 1,3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | VSKJ250-16 | - | ![]() | 6861 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | 3-magn-a-pak ™ | VSKJ250 | Standard | Magn-a-pak® | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 1600 V | 250a | 50 ma @ 1600 V | |||||||||||||||
![]() | Gp15ahe3 / 54 | - | ![]() | 1509 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | GP15 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1,1 V @ 1,5 A | 3,5 µs | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | - | ||||||||||||
![]() | EDF1BS-E3 / 45 | 0,5991 | ![]() | 5165 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4 sous-marins | EDF1 | Standard | DFS | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1 05 V @ 1 A | 5 µA @ 100 V | 1 a | Monophasé | 100 V | ||||||||||||||
![]() | V12pm15-m3 / h | 0,8000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP®, TMBS® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | V12pm15 | Schottky | À 277a (SMPC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 1.08 V @ 12 A | 250 µA à 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 12A | 860pf @ 4v, 1MHz | |||||||||||||
![]() | B340LB-M3 / 5BT | 0,5300 | ![]() | 4097 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | B340 | Schottky | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 200 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 450 MV @ 3 A | 400 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | - |
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