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Diodes (29505)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)
BU20105S-E3 / 45	-	RFQ	5987	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, bu-5s	BU20105	Standard		isocink + ™ bu-5s	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	800					1.05 V @ 10 A		5 µA à 1000 V		3,5 A		Monophasé	1 kv
BU2506-E3 / 45	2.9900	RFQ	780	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, bu	BU2506	Standard		isocink + ™ bu	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	20					1,05 V @ 12,5 A		5 µA @ 600 V		3,5 A		Monophasé	600 V
BU25105S-E3 / 45	-	RFQ	5776	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, bu-5s	BU25105	Standard		isocink + ™ bu-5s	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	800					1,05 V @ 12,5 A		5 µA à 1000 V		3,5 A		Monophasé	1 kv
BU2510-E3 / 51	1.7540	RFQ	5199	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, bu	BU2510	Standard		isocink + ™ bu	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	250					1,05 V @ 12,5 A		5 µA à 1000 V		3,5 A		Monophasé	1 kv
VI30120SG-E3 / 4W	0,9392	RFQ	2322	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	TMBS®	Tube	Actif			Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	VI30120	Schottky		À 262aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	1 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		120 V		1,28 V @ 30 A		500 µA à 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C	30A	-
GBPC1204-E4 / 51	5.3000	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, GBPC	GBPC1204	Standard		GBPC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	8541.10.0080	100					1.1 V @ 6 A		5 µA @ 400 V		12 A		Monophasé	400 V
VS-100MT160PAPBF	40.3100	RFQ	73	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	7-MTPB	100mt160	Standard		7-MTPB	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	15					1,51 V @ 100 A				100 A		Triphasé	1,6 kV
MB4S-E3 / 45	0,5100	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 269aa, 4-besop	MB4	Standard		À 269aa (MBS)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0070	100					1 V @ 400 mA		5 µA @ 400 V		500 mA		Monophasé	400 V
VS-8EWH06FN-M3	1.0600	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Fred PT®	En gros	Actif			Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	8ewh06	Standard		D-pak (à 252aa)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	75	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		600 V		2,4 V @ 8 A	25 ns	50 µA à 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	8a	-
VS-5EWX06FN-M3	0,8800	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Fred PT®	En gros	Actif			Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	5ewx06	Standard		D-pak (à 252aa)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	75	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		600 V		2,9 V @ 5 A	21 ns	20 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	5A	-
VS-30WQ03FNPBF	-	RFQ	1220	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Obsolète			Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	30wq03	Schottky		D-pak (à 252aa)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	75	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		30 V		450 MV @ 3 A		2 ma @ 30 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3.5a	290pf @ 5v, 1MHz
Vs-mub1620cttrrp	-	RFQ	5517	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Fred PT®	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic			Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	MURB1620	Standard		À 263ab (d²pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	800	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	200 V	8a	975 MV @ 8 A	35 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-40MT160PBPBF	33.6100	RFQ	94	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	7-MTPB	40mt160	Standard		7-MTPB	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	15					1,51 V @ 100 A				45 A		Triphasé	1,6 kV
Vs-kbpc610pbf	3 5600	RFQ	259	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Vs-kbpc6	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, D-72	KBPC610	Standard		D-72	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	100					1,2 V @ 3 A		10 µA à 1000 V		6 A		Monophasé	1 kv
Vs-kbpc8005pbf	2.9700	RFQ	100	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Vs-kbpc8	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, D-72	KBPC8005	Standard		D-72	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	100					1 V @ 3 A		10 µA @ 50 V		8 A		Monophasé	50 V
Vs-kbpc801pbf	3.1900	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Vs-kbpc8	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, D-72	KBPC801	Standard		D-72	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	100					1 V @ 3 A		10 µA à 100 V		8 A		Monophasé	100 V
G3SBA20L-M3 / 51	-	RFQ	6359	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Plateau	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GBU	G3SBA20	Standard		GBU	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	250					1 V @ 2 A		5 µA @ 200 V		2.3 A		Monophasé	200 V
G3SBA60-M3 / 45	0,8910	RFQ	5644	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GBU	G3SBA60	Standard		GBU	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	800					1 V @ 2 A		5 µA @ 600 V		2.3 A		Monophasé	600 V
G5SBA80-M3 / 51	1.0096	RFQ	4161	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GBU	G5SBA80	Standard		GBU	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	250					1.05 V @ 3 A		5 µA @ 800 V		2.8 A		Monophasé	800 V
GBU6A-M3 / 45	1.2844	RFQ	7028	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GBU	GBU6	Standard		GBU	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	800					1 V @ 6 A		5 µA @ 50 V		3.8 A		Monophasé	50 V
GBU8A-M3 / 51	1.1425	RFQ	5888	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GBU	GBU8	Standard		GBU	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	250					1 V @ 8 A		5 µA @ 50 V		3.9 A		Monophasé	50 V
GBU8M-M3 / 45	2.2100	RFQ	4411	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GBU	GBU8	Standard		GBU	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	20					1 V @ 8 A		5 µA à 1000 V		8 A		Monophasé	1 kv
GSIB1540N-M3 / 45	1.8371	RFQ	5936	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GSIB-5S	GSIB1540	Standard		GSIB-5S	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	1 200					950 MV à 7,5 A		10 µA @ 400 V		15 A		Monophasé	400 V
GSIB2520N-M3 / 45	2.2333	RFQ	9498	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GSIB-5S	GSIB2520	Standard		GSIB-5S	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	1 200					1 V @ 12,5 A		10 µA @ 200 V		25 A		Monophasé	200 V
GSIB620N-M3 / 45	1.5423	RFQ	2226	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GSIB-5S	GSIB620	Standard		GSIB-5S	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	1 200					950 MV @ 3 A		10 µA @ 200 V		6 A		Monophasé	200 V
GSIB640N-M3 / 45	1.5423	RFQ	3629	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GSIB-5S	GSIB640	Standard		GSIB-5S	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	1 200					950 MV @ 3 A		10 µA @ 400 V		6 A		Monophasé	400 V
GSIB660N-M3 / 45	1.5423	RFQ	4526	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GSIB-5S	GSIB660	Standard		GSIB-5S	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	1 200					950 MV @ 3 A		10 µA @ 600 V		6 A		Monophasé	600 V
LVB1560-M3 / 45	6.9300	RFQ	889	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GSIB-5S	LVB1560	Standard		GSIB-5S	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	20					900 mV à 7,5 a		10 µA @ 600 V		15 A		Monophasé	600 V
Bzx85c47-tap	0,3800	RFQ	26	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Automotive, AEC-Q101, BZX85	Ruban de Coupé (CT)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	BZX85C47		1,3 W	DO-204AL (DO-41)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000							500 na @ 36 V						47 V	90 ohms
MMSZ5254C-HE3-08	0,0454	RFQ	5707	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SOD-123	MMSZ5254		500 MW	SOD-123	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	15 000							100 na @ 21 V						27 V	41 ohms

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