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Diodes (29505)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)
Gdz5v1b-g3-08	0,3300	RFQ	48	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Gdz-g	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SC-76, SOD-323	Gdz5v1		200 MW	SOD-323	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	3 000								2 µA @ 1 V						5.1 V	80 ohms
TZMC56-M-08	0,0324	RFQ	5821	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Automotive, AEC-Q101, TZM-M	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Support de surface	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80	Tzmc56		500 MW	SOD-80 MINMEL	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	12 500						1,5 V @ 200 mA		100 na @ 43 V						56 V	135 ohms
Bzx55b2v7-tap	0 2200	RFQ	30	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Automotive, AEC-Q101, BZX55	Ruban de Coupé (CT)	Actif	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Bzx55b2v7		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	10 000						1,5 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						2,7 V	85 ohms
GBL01-E3 / 45	1.5800	RFQ	832	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, gbl	Gbl01	Standard		Gbl	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Gbl01e345	EAR99	8541.10.0080	20						1.1 V @ 4 A		5 µA @ 100 V		3 A		Monophasé	100 V
3N256-E4 / 51	-	RFQ	1032	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Plateau	Obsolète		-55 ° C ~ 165 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, kbpm	3N256	Standard		Kbpm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	600						1,1 V @ 3,14 A		5 µA @ 400 V		2 A		Monophasé	400 V
MBRB1635-E3 / 81	0,8473	RFQ	3140	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	MBRB1635	Schottky		À 263ab (d²pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	800		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		35 V		630 MV @ 16 A		200 µA à 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
EDF1CS-E3 / 45	0,5991	RFQ	3810	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins	EDF1	Standard		DFS	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50						1 05 V @ 1 A		5 µA @ 150 V		1 a		Monophasé	150 V
VLZ3V0A-GS08	-	RFQ	2942	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Support de surface	Variante SOD-80	Vlz3v0		500 MW	SOD-80 Quadromelf	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	2 500						1,5 V @ 200 mA		50 µA @ 1 V						2,96 V	70 ohms
Bzg05b43-he3-tr3	-	RFQ	3939	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Automotive, AEC-Q101, BZG05B	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	± 2%	150 ° C (TJ)	Support de surface	DO-214AC, SMA	Bzg05		1,25 W	DO-214AC	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0050	6 000						1,2 V @ 200 mA		500 na @ 33 V						43 V	50 ohms
AZ23C51-E3-18	0,0415	RFQ	7071	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	AZ23	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C51		300 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	10 000	1 paire Commune d'anode							100 na @ 38 V						51 V	100 ohms
EDF1BS-E3 / 45	0,5991	RFQ	5165	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins	EDF1	Standard		DFS	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50						1 05 V @ 1 A		5 µA @ 100 V		1 a		Monophasé	100 V
Byt28b-400he3_a / i	-	RFQ	8353	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	BYT28	Standard		À 263ab (d²pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	800		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	400 V	5A	1,3 V @ 5 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-2ENH02-M3 / 84A	0,3800	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Fred PT®	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	DO-220AA	2enh02	Standard		DO-220AA (SMP)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	3 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		200 V		1 V @ 2 A	28 ns	2 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	-
VS-80-7880	-	RFQ	6194	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Acheter la Dernière					80-7880				-				112-VS-80-7880			1
91mt160kb	-	RFQ	4754	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	MTK	91mt160	Standard		MTK	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	3										90 A		Triphasé	1,6 kV
Bzx384c9v1-he3-08	0,2600	RFQ	8415	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Automotive, AEC-Q101, BZX384	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SC-76, SOD-323	Bzx384c9v1		200 MW	SOD-323	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	3 000								500 na @ 6 V						9.1 V	15 ohms
DFL1514S-E3 / 77	-	RFQ	4106	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins	DFL1514	Standard		DFS	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1 500						1,1 V @ 1,5 A		5 µA @ 1400 V		1,5 A		Monophasé	1,4 kV
Vs-113mt160kpbf	109.5933	RFQ	5124	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Plateau	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module mt-k	113MT160	Standard		Mt-k	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Vs113mt160kpbf	EAR99	8541.10.0080	15										110 A		Triphasé	1,6 kV
BZG05C22-M3-18	0.1089	RFQ	5707	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Bzg05c-m	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5,68%	150 ° C (TJ)	Support de surface	DO-214AC, SMA	BZG05C22		1,25 W	DO-214AC (SMA)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	6 000						1,2 V @ 200 mA		500 na @ 16 V						22 V	25 ohms
VS-GBPC3502A	7.4200	RFQ	8286	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Vs-gbpc	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, GBPC-A	GBPC3502	Standard		GBPC-A	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	100								2 Ma @ 200 V		35 A		Monophasé	200 V
VS-19TQ015S-M3	1.6100	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Actif			Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	19TQ015	Schottky		À 263ab (d²pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		15 V		360 MV @ 19 A		10,5 Ma @ 15 V	-55 ° C ~ 125 ° C	19A	2000pf @ 5v, 1mhz
BZM55B68-TR	0,0433	RFQ	4024	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Automotive, AEC-Q101, BZM55	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Support de surface	2-md, pas d'Avance	BZM55B68		500 MW	Micro-paramétre	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	12 500						1,5 V @ 200 mA		100 na @ 51 V						68 V	1000 ohms
SMZJ3794A-E3 / 5B	-	RFQ	1506	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	DO-214AA, SMB	SMZJ37		1,5 w	DO-214AA (SMBJ)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	3 200								5 µA @ 12,2 V						16 V	10 ohms
GBU6JL-5303E3 / 45	-	RFQ	6488	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GBU	GBU6	Standard		GBU	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	1						1 V @ 6 A		5 µA @ 600 V		3.8 A		Monophasé	600 V
VS-92MT140KPBF	96.1787	RFQ	4058	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Plateau	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module mt-k	92mt140	Standard		Mt-k	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VS92MT140KPBF	EAR99	8541.10.0080	15										90 A		Triphasé	1,4 kV
Df02m-e3 / 45	0,7800	RFQ	468	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-Edip (0,300 ", 7,62 mm)	Df02	Standard		DFM	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50						1.1 V @ 1 A		5 µA @ 200 V		1 a		Monophasé	200 V
B380C1500G-E4 / 51	0,8200	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	4 circulaires, wog	B380	Standard		Bordere	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	3 000						1 V @ 1,5 A		10 µA @ 600 V		1,5 A		Monophasé	600 V
KBP06M-M4 / 51	-	RFQ	4051	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Plateau	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, kbpm	Kbp06	Standard		Kbpm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	600						1,1 V @ 3,14 A		5 µA @ 600 V		1,5 A		Monophasé	600 V
G2SBA20-M3 / 51	-	RFQ	2798	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Plateau	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, gbl	G2SBA20	Standard		Gbl	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	400						1 V @ 750 Ma		5 µA @ 200 V		1,5 A		Monophasé	200 V
GBU4JL-6088E3 / 45	-	RFQ	4767	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GBU	GBU4	Standard		GBU	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	1						1 V @ 4 A		5 µA @ 600 V		3 A		Monophasé	600 V

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