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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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BY398P-E3 / 54 | - | ![]() | 8582 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Par le trou | DO-201D, axial | BY398 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1400 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,25 V @ 3 A | 500 ns | 10 µA @ 400 V | -50 ° C ~ 125 ° C | 3A | 28pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||
![]() | EGP50G-E3 / 73 | - | ![]() | 4963 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | DO-201AAAA, DO-27, Axial | EGP50 | Standard | GP20 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,25 V @ 5 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 5A | 75pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | BZT52C4V7-G3-18 | 0,0409 | ![]() | 2645 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt52-g | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-123 | Bzt52c4v7 | 410 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 4.7 V | 70 ohms | |||||||||||||||
![]() | Ss3h9he3_b / h | 0,6500 | ![]() | 4122 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | SS3H9 | Schottky | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 90 V | 800 mV @ 3 a | 20 µA @ 90 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||
Rmpg06bhe3_a / 54 | 0.1327 | ![]() | 3060 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | MPG06, axial | Rmpg06 | Standard | Mpg06 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6.6pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | Fepe16jt-e3 / 45 | - | ![]() | 8194 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Par le trou | À 220-3 | Fepe16 | Standard | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 600 V | 8a | 1,5 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
MMBZ4695-G3-08 | - | ![]() | 9491 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4695 | 350 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 1 µA @ 6,6 V | 8.7 V | ||||||||||||||||
![]() | TLZ3V6B-GS08 | 0,2500 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Tlz | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Tlz3v6 | 500 MW | SOD-80 MINMEL | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1,5 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 V | 60 ohms | |||||||||||||
![]() | BZT55C24-GS18 | 0,0283 | ![]() | 3071 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | Variante SOD-80 | BZT55C24 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 200 mA | 100 na @ 18 V | 24 V | 80 ohms | |||||||||||||
![]() | VSSAF5N50-M3 / 6A | 0,4800 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | TMBS®, SLIMSMA ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-221AC, SMA PLATS À PLAT | SAF5N50 | Schottky | DO-221AC (SLIMSMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 410 MV @ 2,5 A | 1,4 ma @ 50 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 3A | 850pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||
![]() | Vs-vske196 / 08pbf | 54.3527 | ![]() | 4811 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Int-a-pak (3) | VSKE196 | Standard | Int-a-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VSVSKE19608PBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 20 mA @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 195a | - | ||||||||||||
![]() | V35pw15hm3 / i | 1.3900 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | V35pw15 | Schottky | Slimdpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 1,4 V @ 35 A | 250 µA à 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 35a | 1620pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BZG05B6V2-M3-08 | 0.1980 | ![]() | 1349 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzg05b-m | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 1,94% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | Bzg05b6v2 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 3 V | 6.2 V | 4 ohms | |||||||||||||
![]() | BY520-16E-E3 / 54 | 0,4300 | ![]() | 6734 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | BY520 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 5 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | - | ||||||||||||||
![]() | MBR20H35CT-E3 / 45 | - | ![]() | 6069 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-3 | Mbr20 | Schottky | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 35 V | 10A | 630 mV @ 10 a | 100 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | GLL4762-E3 / 97 | 0 2970 | ![]() | 5159 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-213AB, MELF | Gll4762 | 1 W | Melf do-213ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 5 µA @ 62,2 V | 82 V | 200 ohms | ||||||||||||||
![]() | V20pwm10-m3 / i | 0,9300 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP®, TMBS® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | V20pwm10 | Schottky | Slimdpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 900 mV @ 20 A | 200 µA à 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 20A | 1575pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||
![]() | Vs-25ets12strlpbf | - | ![]() | 7974 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | 25ETS12 | Standard | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Vs25ets12strlpbf | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 1,14 V @ 25 A | 100 µA à 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 25A | - | |||||||||||
Vs-15eth06-m3 | 1.1400 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Fred PT® | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | 15eth06 | Standard | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 2.2 V @ 15 A | 29 NS | 50 µA à 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||||||
![]() | GDZ12B-E3-08 | 0,2700 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | GDZ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-76, SOD-323 | GDZ12 | 200 MW | SOD-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 100 na @ 9 V | 12 V | 30 ohms | ||||||||||||||
![]() | GDZ24B-E3-08 | 0,0360 | ![]() | 4636 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | GDZ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-76, SOD-323 | GDZ24 | 200 MW | SOD-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 100 na @ 19 V | 24 V | 120 ohms | ||||||||||||||
![]() | MMSZ5259B-G3-08 | 0,0409 | ![]() | 3014 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-123 | MMSZ5259 | 500 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 100 na @ 30 V | 39 V | 80 ohms | ||||||||||||||
![]() | SMAZ5923B-E3 / 5A | 0.1218 | ![]() | 9015 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-214AC, SMA | SMAZ5923 | 500 MW | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1,5 V @ 200 mA | 10 µA @ 6,5 V | 8.2 V | 5 ohms | |||||||||||||
![]() | V40pwm153c-m3 / i | 1.2900 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Schottky | Slimdpak | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 20A | 1.04 V @ 20 A | 150 µA à 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||
![]() | S1PM-M3 / 85A | 0,0592 | ![]() | 4334 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-220AA | S1p | Standard | DO-220AA (SMP) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1.1 V @ 1 A | 1,8 µs | 1 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | VS-VSKJ71 / 14 | 36.0820 | ![]() | 5535 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Add-a-pak (3) | VSKJ71 | Standard | Add-a-pak® | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VSVSKJ7114 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 1400 V | 40a | 10 ma @ 1400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | BZG05C51-HM3-08 | 0,4200 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,88% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | BZG05C51 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 500 | 1,2 V @ 200 mA | 500 na @ 39 V | 51 V | 115 ohms | |||||||||||||
![]() | BZG05B16-HM3-18 | 0.2079 | ![]() | 1837 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZG05B-M | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | BZG05B16 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 na @ 12 V | 16 V | 15 ohms | |||||||||||||
![]() | G3SBA60-E3 / 51 | 0,8303 | ![]() | 8158 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, GBU | G3SBA60 | Standard | GBU | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 600 V | 2.3 A | Monophasé | 600 V | |||||||||||||
![]() | US1D-E3 / 5AT | 0,3800 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | US1D | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz |
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