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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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![]() | V10P45-M3 / 86A | 0,8100 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP®, TMBS® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | V10p45 | Schottky | À 277a (SMPC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 45 V | 570 MV @ 10 A | 800 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 4.4a | - | ||||||||||||
![]() | 30EPF06 | - | ![]() | 1533 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 247-2 | 30EPF06 | Standard | À 247AC Modifié | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,41 V @ 30 A | 160 ns | 100 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 30A | - | |||||||||||
![]() | V6pwm10c-m3 / i | 0 2940 | ![]() | 9998 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Schottky | Slimdpak | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 112-V6PWM10C-M3 / ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 3A | 730 MV @ 3 A | 80 µA à 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||
![]() | 80cpq020 | - | ![]() | 2535 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 247-3 | 80cpq | Schottky | À 247AC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 20 V | 40a | 460 MV @ 40 A | 5,5 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | TZM5259F-GS18 | - | ![]() | 7113 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | TZM5259 | 500 MW | SOD-80 MINMEL | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,1 V @ 200 mA | 100 na @ 30 V | 39 V | 800 ohms | ||||||||||||||
![]() | VS-EPH3007L-N3 | 2.9600 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-2 | Eph3007 | Standard | À 247ad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 650 V | 2.1 V @ 30 A | 37 ns | 30 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | |||||||||||
![]() | SMZJ3806BHE3 / 52 | - | ![]() | 8974 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-214AA, SMB | Smzj38 | 1,5 w | DO-214AA (SMBJ) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 38,8 V | 51 V | 70 ohms | ||||||||||||||
![]() | TLZ3V6B-GS18 | 0,0335 | ![]() | 5834 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Tlz | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Tlz3v6 | 500 MW | SOD-80 MINMEL | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 V | 60 ohms | |||||||||||||
![]() | GLL4754-E3 / 96 | 0,3053 | ![]() | 2610 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-213AB, MELF | GLL4754 | 1 W | Melf do-213ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 500 | 5 µA à 29,7 V | 39 V | 60 ohms | ||||||||||||||
![]() | Byg20j-m3 / tr | 0,1518 | ![]() | 5367 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Byg20 | Avalanche | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,4 V @ 1,5 A | 75 ns | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | |||||||||||
![]() | VS-6EWL06FN-M3 | 0,9200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Fred PT® | Tube | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | 6ewl06 | Standard | D-pak (à 252aa) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VS-6EWL06FN-M3GI | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,25 V @ 6 A | 154 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | ||||||||||
MMBZ4708-G3-08 | - | ![]() | 1224 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4708 | 350 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 10 na @ 16,7 V | 22 V | ||||||||||||||||
![]() | Bzd27b4v7p-he3-08 | 0.1238 | ![]() | 5578 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZD27B | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | Bzd27b4v7 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 30 000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 4.7 V | 7 ohms | |||||||||||||
VS-309UR250 | - | ![]() | 1235 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | Soutien | DO-205AB, DO-9, Stud | 309ur250 | Polateté Standard et inverse | DO-205AB (DO-9) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VS309UR250 | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 2500 V | 1 46 V @ 942 A | -40 ° C ~ 180 ° C | 300A | - | |||||||||||||
![]() | Tzx9v1e-tap | 0,0287 | ![]() | 1552 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, TZX | Tape & Box (TB) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Tzx9v1 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 30 000 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA @ 6,8 V | 9.1 V | 20 ohms | |||||||||||||
![]() | SMAZ5919B-E3 / 61 | 0,3900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-214AC, SMA | SMAZ5919 | 500 MW | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 1,5 V @ 200 mA | 200 µA @ 3 V | 5.6 V | 5 ohms | |||||||||||||
![]() | SE20AFGHM3 / 6A | 0.1210 | ![]() | 5926 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-221AC, SMA PLATS À PLAT | SE20 | Standard | DO-221AC (SLIMSMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 2 A | 1,2 µs | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.3a | 12pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
MMBZ5260B-G3-08 | - | ![]() | 2496 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5260 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 100 na @ 33 V | 43 V | 93 ohms | |||||||||||||||
![]() | Gp10j-086m3 / 54 | - | ![]() | 2172 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | GP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1.1 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | Bym12-50he3_a / h | - | ![]() | 8817 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-213AB, MELF (VERRE) | BYM12 | Standard | DO-213AB | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | Bym12-50he3_b / h | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
GSIB15A80N-M3 / 45 | 1 6650 | ![]() | 1807 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, GSIB-5S | GSIB15 | Standard | GSIB-5S | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 200 | 1 V @ 7,5 A | 10 µA @ 800 V | 15 A | Monophasé | 800 V | ||||||||||||||
![]() | VB20150S-E3 / 8W | 1 5500 | ![]() | 6317 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | TMBS® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | VB20150 | Schottky | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 1,43 V @ 20 A | 250 µA à 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||||||
BAS19-G3-18 | 0,0353 | ![]() | 5038 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS19 | Standard | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 100 V | 1,25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 na @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200m | 5pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||
Bywe29-150-e3 / 45 | - | ![]() | 7432 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-2 | Bywe29 | Standard | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 1,3 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 8a | 45pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||
![]() | Plz2v7b-hg3_a / h | 0,3600 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, PLZ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 3,93% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Do-219AC | Plz2v7 | 960 MW | DO-219AC (microsmf) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 4 500 | 900 mV @ 10 mA | 100 µA @ 1 V | 2,8 V | 100 ohms | |||||||||||||
![]() | MMSZ4702-HE3-08 | 0,2800 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-123 | MMSZ4702 | 500 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 50 na @ 11,4 V | 15 V | |||||||||||||||
![]() | BYM10-50-E3 / 96 | 0,4100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-213AB, MELF (VERRE) | BYP10 | Standard | DO-213AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||
![]() | BZG03C10-M3-18 | 0,5000 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzg03c-m | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | BZG03C10 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1,2 V @ 500 mA | 10 µA à 7,5 V | 10 V | 4 ohms | |||||||||||||
![]() | VS-MBRS340-M3 / 9AT | 0,4200 | ![]() | 4905 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | MBRS340 | Schottky | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 525 MV @ 3 A | 2 ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 230pf @ 5v, 1MHz | ||||||||||||
MMBZ5228C-E3-08 | - | ![]() | 2560 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5228 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 10 µA @ 1 V | 3,9 V | 23 ohms |
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