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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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BZX84C56-HE3-18 | 0,0323 | ![]() | 6246 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bzx84c56 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 50 na @ 39,2 V | 56 V | 200 ohms | |||||||||||||
![]() | BZG05B82-M3-08 | 0.1980 | ![]() | 5180 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzg05b-m | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | BZG05B82 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 na @ 62 V | 82 V | 200 ohms | |||||||||||
![]() | Bzx55c2v7-tap | 0,2300 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Ruban de Coupé (CT) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx55c2v7 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 2,7 V | 85 ohms | |||||||||||
![]() | SMZJ3793BHE3 / 5B | - | ![]() | 1586 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-214AA, SMB | SMZJ37 | 1,5 w | DO-214AA (SMBJ) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 200 | 5 µA @ 11,4 V | 15 V | 9 ohms | ||||||||||||
![]() | V3n103hm3 / i | 0,4100 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Soutien de la surface, flanc Mouillable | 2-VDFN | V3N103 | Schottky | DFN3820A | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 14 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 660 mV @ 3 a | 200 µA à 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1.8a | 410pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BZD27B15P-M3-18 | 0,1155 | ![]() | 6618 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzd27b-m | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 11 V | 15 V | 10 ohms | |||||||||||
![]() | S5ghe3 / 9at | - | ![]() | 4424 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-214AB, SMC | S5G | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,15 V @ 5 A | 2,5 µs | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 40pf @ 4v, 1mhz | |||||||||
![]() | Tzmb22-gs08 | 0,3100 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, TZM | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Tzmb22 | 500 MW | SOD-80 MINMEL | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1,5 V @ 200 mA | 100 na @ 16 V | 22 V | 55 ohms | |||||||||||
![]() | BYT53B | 0,2772 | ![]() | 7016 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | SOD-57, axial | BYT53 | Avalanche | SOD-57 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1.1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.9A | - | |||||||||
![]() | Byg10yhe3_a / h | 0,4200 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | BYG10 | Avalanche | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1600 V | 1,15 V @ 1,5 A | 4 µs | 1 µA à 1600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | |||||||||
MMBZ4689-HE3-08 | - | ![]() | 8921 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4689 | 350 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 10 µA @ 3 V | 5.1 V | ||||||||||||||
![]() | BA158GP-E3 / 54 | 0.1822 | ![]() | 2459 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | BA158 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||
![]() | 1N4942GP-E3 / 73 | - | ![]() | 1097 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4942 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,3 V @ 1 A | 150 ns | 1 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||
![]() | BZG05C24-M3-08 | 0,3900 | ![]() | 1532 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzg05c-m | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,83% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | BZG05C24 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 500 | 1,2 V @ 200 mA | 500 na @ 18 V | 24 V | 25 ohms | |||||||||||
![]() | BYM10-600HE3 / 96 | - | ![]() | 7076 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-213AB, MELF (VERRE) | BYP10 | Standard | DO-213AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | BYM10-600HEH3_A / H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4v, 1mhz | |||||||||
![]() | VS-1N2138RA | - | ![]() | 5576 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N2138 | Polateté Standard et inverse | DO-203AB (DO-5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,3 V @ 188 A | 10 mA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 60A | - | ||||||||||
1N5821-E3 / 54 | 0.4400 | ![]() | 55 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | 1N5821 | Schottky | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1400 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 500 mV @ 3 a | 2 ma @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | |||||||||||
VS-19TQ015PBF | - | ![]() | 9381 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 | 19TQ015 | Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 15 V | 360 MV @ 19 A | 1,5 Ma @ 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 19A | - | |||||||||||
![]() | EGP10FE-E3 / 54 | - | ![]() | 6691 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | EGP10fe | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | 1 (illimité) | 112-EGP10FE-E3 / 54TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 1,25 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
VS-150U100DL | 35.5104 | ![]() | 7334 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | Châssis, montage | DO-205AA, DO-8, Stud | 150U100 | Standard | DO-205AA (DO-8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VS150U100DL | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1 47 V @ 600 A | -40 ° C ~ 180 ° C | 150a | - | |||||||||||
![]() | 1N4752A-TAP | 0,3600 | ![]() | 38 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban de Coupé (CT) | Actif | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4752 | 1,3 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 25,1 V | 33 V | 45 ohms | |||||||||||
![]() | GPP20K-E3 / 73 | - | ![]() | 1470 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | Gpp20 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1.1 V @ 2 A | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||
![]() | BZX384C6V8-E3-18 | 0 2400 | ![]() | 5938 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | BZX384 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-76, SOD-323 | Bzx384c6v8 | 200 MW | SOD-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 2 µA @ 4 V | 6,8 V | 15 ohms | ||||||||||||
BAS40-06-G3-08 | 0,0594 | ![]() | 1728 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 15 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire Commune d'anode | 40 V | 200m | 1 V @ 40 Ma | 5 ns | 100 na @ 30 V | 125 ° C (max) | ||||||||||
![]() | U10CCT-E3 / 4W | - | ![]() | 5821 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-3 | U10 | Standard | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 5A | 1.1 V @ 5 A | 25 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | Gib2403he3_a / i | 1.2800 | ![]() | 2212 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Gib2403 | Standard | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 16A | 975 MV @ 8 A | 35 ns | 50 µA à 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | BYQ28EB-150-E3 / 81 | - | ![]() | 2438 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | BYQ28 | Standard | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 5A | 1.1 V @ 5 A | 25 ns | 10 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | S4pmhm3_b / h | - | ![]() | 5482 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | S4 H | Standard | À 277a (SMPC) | télécharger | 112-S4PMHM3_B / HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1.1 V @ 4 A | 2,5 µs | 10 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 30pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | Vs-e5ph7506lhn3 | 4.9700 | ![]() | 400 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tube | Actif | Par le trou | À 247-2 | VS-E5 | Standard | À 247ad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 112-VS-E5PH7506LHN3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 75 A | 57 ns | 25 µA à 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 75a | - | ||||||||
![]() | Ss12p4chm3_a / h | 0,4892 | ![]() | 2008 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | SS12P4 | Schottky | À 277a (SMPC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 40 V | 6A | 520 MV @ 6 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C |
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