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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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![]() | Tzx3v6b-tap | 0,0290 | ![]() | 2819 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, TZX | Tape & Box (TB) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Tzx3v6 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 30 000 | 1,5 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 V | 100 ohms | |||||||||||||
![]() | S1B-E3 / 61T | 0,3700 | ![]() | 72 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | S1B | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1.1 V @ 1 A | 1,8 µs | 1 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 12pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | SS12HE3 / 61T | - | ![]() | 9777 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-214AC, SMA | SS12 | Schottky | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 500 mV @ 1 a | 200 µA @ 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||||
![]() | RS2A-E3 / 5BT | 0,4200 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | Rs2a | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 200 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1,3 V @ 1,5 A | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 20pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | TZM5221F-GS08 | - | ![]() | 7870 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | TZM5221 | 500 MW | SOD-80 MINMEL | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1,1 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 2,4 V | 1200 ohms | ||||||||||||||
Bzt52b6v2-he3_a-18 | 0,0533 | ![]() | 5377 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | télécharger | 112-BZT52B6V2-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 100 na @ 2 V | 6.2 V | 10 ohms | ||||||||||||||||||
![]() | EGP10AHM3 / 54 | - | ![]() | 7036 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | EGP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 22pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | Bzg03b33-hm3-18 | 0,2310 | ![]() | 5284 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZG03B-M | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | Bzg03b33 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 24 V | 33 V | 15 ohms | |||||||||||||
VS-MBR1635-M3 | 0 7077 | ![]() | 4287 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | MBR1635 | Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 35 V | 630 MV @ 16 A | 200 µA à 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | 1400pf @ 5v, 1MHz | |||||||||||||
Bzx584c3v6-hg3-08 | 0,3400 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZX584C | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | Bzx584c | 200 MW | SOD-523 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 8 000 | 5 µA @ 1 V | 3,6 V | 85 ohms | |||||||||||||||
![]() | VS-42HFR80 | 8.4000 | ![]() | 8090 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | 42hfr80 | Polateté Standard et inverse | DO-203AB (DO-5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,3 V @ 125 A | -65 ° C ~ 190 ° C | 40a | - | |||||||||||||
![]() | BZD27B51P-E3-18 | 0,1155 | ![]() | 9308 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | BZD27B | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD27B51 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 39 V | 51 V | 60 ohms | |||||||||||||
![]() | 2KBP08M-E4 / 45 | - | ![]() | 8372 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbpm | 2KBP08 | Standard | Kbpm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 1,1 V @ 3,14 A | 5 µA @ 800 V | 2 A | Monophasé | 800 V | |||||||||||||
![]() | S8GS-E3 / I | 0,5700 | ![]() | 7128 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | S8g | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 3 500 | Norme de récupération> 500ns,> 2a (IO) | 400 V | 985 MV @ 8 A | 3,4 µs | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.6a | 63pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||
![]() | Bzg05b36-e3-tr3 | - | ![]() | 4932 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | BZG05B | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | Bzg05 | 1,25 W | DO-214AC | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 na @ 27 V | 36 V | 40 ohms | ||||||||||||||
![]() | Ssa34he3_a / i | 0,5000 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | SSA34 | Schottky | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 490 MV @ 3 A | 200 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||
![]() | MMSZ4702-HE3_A-08 | 0,0533 | ![]() | 9570 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | télécharger | 112-MMSZ4702-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 11,4 V | 15 V | |||||||||||||||||
Vs-110mt120kpbf | 83.4400 | ![]() | 9926 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module mt-k | 110mt120 | Standard | Mt-k | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VS110MT120KPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 110 A | Triphasé | 1,2 kV | |||||||||||||||
![]() | MMSZ4711-E3-08 | 0,0360 | ![]() | 7321 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-123 | MMSZ4711 | 500 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 10 na @ 20,4 V | 27 V | |||||||||||||||
![]() | As1fdhm3 / i | 0,1125 | ![]() | 3260 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Avalanche | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 112-AS1FDHM3 / ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,15 V @ 1,5 A | 1,3 µs | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 8,8pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BZT52B39-G3-08 | 0,0483 | ![]() | 7545 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt52-g | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-123 | BZT52B39 | 410 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 100 na @ 29 V | 39 V | 50 ohms | ||||||||||||||
![]() | VS-16CDU06HM3 / I | 1.6400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, Variante d²pak (2 leads + onglet) | 16CDU06 | Standard | À 263AC (SMPD) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 600 V | 8a | 1,4 V @ 8 A | 70 ns | 5 µA @ 600 V | 175 ° C (max) | |||||||||||
![]() | GLL4738-E3 / 97 | 0 2970 | ![]() | 6875 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-213AB, MELF | Gll4738 | 1 W | Melf do-213ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 10 µA @ 6 V | 8.2 V | 4,5 ohms | ||||||||||||||
![]() | MMSZ5233B-E3-18 | 0,0360 | ![]() | 1433 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-123 | MMSZ5233 | 500 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 5 µA à 3,5 V | 6 V | 7 ohms | ||||||||||||||
![]() | UH3C-M3 / 9AT | - | ![]() | 3793 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-214AB, SMC | Uh3 | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 1.05 V @ 3 A | 40 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2.5a | 42pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | CSA2D-E3 / I | 0,3200 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-214AC, SMA | CSA2 | Standard | DO-214AC (SMA) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,15 V @ 2 A | 2,1 µs | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.6a | 11pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | MMSZ5254C-HE3-18 | 0,0454 | ![]() | 3870 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-123 | MMSZ5254 | 500 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 100 na @ 21 V | 27 V | 41 ohms | ||||||||||||||
![]() | SRP100D-E3 / 73 | - | ![]() | 1127 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Srp100 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,3 V @ 1 A | 100 ns | 10 µA @ 200 V | -50 ° C ~ 125 ° C | 1A | 12pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | Tzx6v2a-tr | 0,2300 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, TZX | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Tzx6v2 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA @ 3 V | 6.2 V | 15 ohms | |||||||||||||
![]() | V2pm12lhm3 / i | 0,0903 | ![]() | 3547 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-220AA | V2pm12 | Schottky | DO-220AA (SMP) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 112-V2PM12LHM3 / ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 120 V | 620 mV @ 1 a | 200 µA à 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 1.8a | 180pf @ 4V, 1MHz |
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