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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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BZX584C3V9-VG-08 | - | ![]() | 2759 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzx584c-vg | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-79, SOD-523 | Bzx584c | 200 MW | SOD-523 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 3 µA @ 1 V | 3,9 V | 90 ohms | ||||||||||||||
MMBZ5250B-G3-18 | - | ![]() | 6784 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5250 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 100 na @ 15 V | 20 V | 25 ohms | ||||||||||||||
![]() | Bzx55f4v7-tap | - | ![]() | 5225 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 1% | 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx55 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 200 mA | 500 na @ 1 V | 4.7 V | 60 ohms | ||||||||||||
![]() | AU2PM-M3 / 87A | 0,3300 | ![]() | 2220 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | Au2 | Avalanche | À 277a (SMPC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 2,5 V @ 2 A | 75 ns | 10 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.3a | 29pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
![]() | Tzx27x-tap | 0,0273 | ![]() | 7979 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, TZX | Tape & Box (TB) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Tzx27 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 30 000 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA @ 21 V | 27 V | 80 ohms | ||||||||||||
![]() | Bzm55c3v0-tr | 0,2800 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZM55 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | 2-md, pas d'Avance | BZM55C3V0 | 500 MW | Micro-paramétre | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1,5 V @ 200 mA | 4 µA @ 1 V | 3 V | 600 ohms | ||||||||||||
![]() | BZD27B110P-M3-18 | 0,1155 | ![]() | 3119 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzd27b-m | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD27B110 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 82 V | 110 V | 250 ohms | ||||||||||||
![]() | SMZJ3801B-E3 / 5B | 0,1546 | ![]() | 9120 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-214AA, SMB | SMZJ3801 | 1,5 w | DO-214AA (SMBJ) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 200 | 5 µA @ 25,1 V | 33 V | 33 ohms | |||||||||||||
Bzx84c6v2-he3_a-18 | 0,0498 | ![]() | 1564 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | 112-BZX84C6V2-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohms | |||||||||||||||||
![]() | Vs-g491ur | - | ![]() | 1415 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | - | 112-VS-G491ur | OBSOLÈTE | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5223B-TR | 0,2700 | ![]() | 42 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | - | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 1N5223 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,1 V @ 200 mA | 75 µA @ 1 V | 2,7 V | 30 ohms | ||||||||||||
AZ23C12-E3-08 | 0,3100 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | AZ23 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C12 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 paire Commune d'anode | 100 na @ 9 V | 12 V | 20 ohms | |||||||||||||
![]() | 121NQ040 | - | ![]() | 6949 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | D-67 Half-Pak | 121NQ040 | Schottky | D-67 Half-Pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * 121NQ040 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 650 MV @ 120 A | 10 ma @ 40 V | 120a | 5200pf @ 5v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | VS-VSKJ71 / 04 | 36.5930 | ![]() | 7205 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Add-a-pak (3) | VSKJ71 | Standard | Add-a-pak® | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VSVSKJ7104 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 400 V | 40a | 10 ma @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | Vs-10ets12strrpbf | - | ![]() | 3489 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | 10ets12 | Standard | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Vs10ets12strrpbf | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 1.1 V @ 10 A | 50 µA à 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||
![]() | GLL4740A-E3 / 96 | 0,3256 | ![]() | 6067 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-213AB, MELF | GLL4740 | 1 W | Melf do-213ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 500 | 10 µA à 7,6 V | 10 V | 7 ohms | |||||||||||||
![]() | VT2060G-M3 / 4W | 0,6331 | ![]() | 5077 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | VT2060 | Schottky | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VT2060GM34W | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 10A | 580 MV @ 10 A | 2 Ma @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
RGP30J-E3 / 73 | - | ![]() | 4783 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | RGP30 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,3 V @ 3 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||
![]() | VSKDL240-14S20 | - | ![]() | 8912 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | 3-magn-a-pak ™ | VSKDL240 | Standard | Magn-a-pak® | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 1400 V | 250a | 1,57 V @ 800 A | 2 µs | 50 ma @ 1400 V | |||||||||||
![]() | RGL41MHE3 / 96 | - | ![]() | 2331 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-213AB, MELF (VERRE) | RGL41 | Standard | DO-213AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA à 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
VS-12TQ035-M3 | 0,5470 | ![]() | 7785 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | 12TQ035 | Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 35 V | 710 MV @ 30 A | 1,75 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | 900pf @ 5v, 1MHz | ||||||||||||
Vs-MBR1635pbf | - | ![]() | 6981 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 | MBR16 | Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 35 V | 630 MV @ 16 A | 200 µA à 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||||
MMBZ5225B-HE3-08 | - | ![]() | 3083 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5225 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 50 µA @ 1 V | 3 V | 30 ohms | ||||||||||||||
![]() | Uh3che3_a / h | 0,2640 | ![]() | 6020 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | Uh3 | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 1.05 V @ 3 A | 40 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | Ss34-3he3 / 9at | - | ![]() | 5069 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | SS34 | Schottky | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 500 mV @ 3 a | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | |||||||||||
![]() | 150cmq045 | - | ![]() | 2377 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 249aa (Modifié), D-60 | 150cmq | Schottky | D-60 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * 150cmq045 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 150a | 870 MV @ 150 A | 5 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | Bzg03c51tr | - | ![]() | 1151 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzg03c | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-214AC, SMA | Bzg03 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 39 V | 51 V | 60 ohms | ||||||||||||
![]() | SL42-E3 / 57T | 0,9100 | ![]() | 440 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | SL42 | Schottky | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 420 MV @ 4 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 4A | - | |||||||||||
![]() | V8p15-m3 / i | 0 2475 | ![]() | 2358 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP®, TMBS® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | V8p15 | Schottky | À 277a (SMPC) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 1.08 V @ 8 A | 150 µA à 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||||||
![]() | BZD27C110P-E3-18 | 0,1155 | ![]() | 5477 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | BZD27C | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD27C110 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 82 V | 110 V | 250 ohms |
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