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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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![]() | BZT52B6V8-HE3-18 | 0,0436 | ![]() | 4496 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-123 | Bzt52b6v8 | 410 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 100 na @ 3 V | 6,8 V | 4,5 ohms | |||||||||||||||
![]() | VS-80-6917 | - | ![]() | 2976 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Acheter la Dernière | 80-6917 | - | 112-VS-80-6917 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SE20FGHM3 / H | 0.1058 | ![]() | 3709 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SE20 | Standard | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 2 A | 920 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.7A | 13pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||
![]() | Uh6pdhm3 / 87a | - | ![]() | 2973 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | Uh6 | Standard | À 277a (SMPC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1.05 V @ 6 A | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | |||||||||||||
![]() | 8ews12strl | - | ![]() | 6269 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | 8ews12 | Standard | D-pak (à 252aa) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 1.1 V @ 8 A | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | |||||||||||||
![]() | V12p8-m3 / 86a | 0,3797 | ![]() | 4565 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP®, TMBS® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | V12p8 | Schottky | À 277a (SMPC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 80 V | 660 MV @ 12 A | 1 ma @ 80 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 4.3a | - | |||||||||||||
KBU4B-E4 / 51 | 3.3700 | ![]() | 499 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbu | Kbu4 | Standard | Kbu | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 100 V | 4 A | Monophasé | 100 V | |||||||||||||||
![]() | SBYV26C-5001M3 / 73 | - | ![]() | 2843 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Sbyv26 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 2,5 V @ 1 a | 30 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 45pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||
![]() | MBRB25H35CTHE3 / 45 | - | ![]() | 5184 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Abandonné à sic | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRB25 | Schottky | À 263ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 35 V | 15A | 640 MV @ 15 A | 100 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||
![]() | Vs-e5tx2112s2lhm3 | 2.6900 | ![]() | 840 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® G5 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Standard | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 3,6 V @ 20 A | 115 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 20A | - | ||||||||||||||
![]() | GLL4760A-E3 / 96 | 0,3256 | ![]() | 2445 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-213AB, MELF | Gll4760 | 1 W | Melf do-213ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 500 | 5 µA @ 51,7 V | 68 V | 150 ohms | |||||||||||||||
DZ23C4V3-G3-08 | 0,0483 | ![]() | 3301 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Dz23-g | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 1 paire la commune de cathode | 4.3 V | 95 ohms | ||||||||||||||||
![]() | MSQ1PJ-M3 / H | 1.2800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | MicroSMP | Msq1 | Standard | MicroSMP (DO-219AD) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,2 V @ 1 A | 650 ns | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 4pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||
![]() | Bzg05c20tr | - | ![]() | 2755 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | - | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-214AC, SMA | Bzg05 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 na @ 15 V | 20 V | 600 ohms | ||||||||||||||
![]() | Df01strr16 | - | ![]() | 4485 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Digi-reel® | Obsolète | Support de surface | 4 sous-marins | Df01 | DFS | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1250 | Monophasé | 100 V | |||||||||||||||||||
![]() | VS-30CTQ045PBF | - | ![]() | 7457 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-3 | 30CTQ045 | Schottky | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 15A | 620 MV @ 15 A | 2 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||
![]() | KBP02M / 1 | - | ![]() | 7975 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbpm | Kbp02 | Standard | Kbpm | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 200 V | 1,5 A | Monophasé | 200 V | ||||||||||||||
![]() | VS-40HFR60 | 8.1300 | ![]() | 78 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | 40HFR60 | Polateté Standard et inverse | DO-203AB (DO-5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,3 V @ 125 A | 9 ma @ 600 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 40a | - | |||||||||||||
![]() | 15CTQ045STRL | - | ![]() | 1781 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | 15CTQ | Schottky | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 7.5a | 550 MV à 7,5 A | 800 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
![]() | S1PK-M3 / 85A | 0,0592 | ![]() | 2850 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-220AA | S1p | Standard | DO-220AA (SMP) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1.1 V @ 1 A | 1,8 µs | 1 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | MBRB1650-E3 / 45 | - | ![]() | 3197 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRB16 | Schottky | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 750 MV @ 16 A | 1 ma @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | |||||||||||||
![]() | MBRB25H50CTHE3 / 81 | - | ![]() | 4981 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRB25 | Schottky | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 50 V | 15A | 700 mV @ 15 A | 100 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||
![]() | BZT52B8V2-HE3-18 | 0,0436 | ![]() | 3773 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-123 | Bzt52b8v2 | 410 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 100 na @ 6 V | 8.2 V | 4,5 ohms | |||||||||||||||
![]() | Fesf8gt-e3 / 45 | 0,6320 | ![]() | 7490 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | Par le trou | To-220-2 EXCEPLAGE, ONGLET ISOLÉ | FESF8 | Standard | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||||||
Mbr16h50he3 / 45 | - | ![]() | 4051 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-2 | MBR16 | Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 730 MV @ 16 A | 100 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 16A | - | ||||||||||||||
![]() | MMSZ4697-HE3_A-08 | - | ![]() | 9813 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | télécharger | 112-MMSZ4697-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 1 µA à 7,6 V | 10 V | ||||||||||||||||||
![]() | MMSZ4681-HE3-18 | 0,0378 | ![]() | 5248 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-123 | MMSZ4681 | 500 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 2 µA @ 1 V | 2,4 V | ||||||||||||||||
![]() | Tzx7v5c-tap | 0,0287 | ![]() | 5946 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, TZX | Tape & Box (TB) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Tzx7v5 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 30 000 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA @ 5 V | 7,5 V | 15 ohms | ||||||||||||||
![]() | SS8P3CL-M3 / 87A | 0,2749 | ![]() | 2641 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | SS8P3 | Schottky | À 277a (SMPC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 30 V | 4A | 540 MV @ 4 A | 300 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
SB060-E3 / 73 | - | ![]() | 6811 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | MPG06, axial | SB060 | Schottky | Mpg06 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 700 mV à 600 mA | 500 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 600mA | - |
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