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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-15EWX06FN-M3 | 1.3100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Fred PT® | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | 15ewx06 | Standard | D-pak (à 252aa) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 3,2 V @ 15 A | 22 ns | 200 µA à 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||||
![]() | VS-1N3890R | 6.9900 | ![]() | 60 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N3890 | Polateté Standard et inverse | DO-203AA (DO-4) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,4 V @ 12 A | 300 ns | 25 µA à 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | ||||||||||
![]() | BZT52C5V1-G3-08 | 0,3100 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt52-g | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-123 | Bzt52c5v1 | 410 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 100 na @ 800 mV | 5.1 V | 30 ohms | |||||||||||||
![]() | VS-VSUD200CH40PBF | 37.5095 | ![]() | 6231 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | * | En gros | Actif | Vsud200 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VSVSUD200CH40PBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | |||||||||||||||||||||
![]() | RGF1KHE3 / 67A | - | ![]() | 7116 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214BA | RGF1 | Standard | DO-214BA (GF1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8,5pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N5059TAP | 0,2178 | ![]() | 5756 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | SOD-57, axial | 1N5059 | Avalanche | SOD-57 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,15 V @ 2,5 A | 4 µs | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 40pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||
![]() | BZT52C5V6-E3-18 | 0,0360 | ![]() | 4532 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt52 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-123 | Bzt52c5v6 | 410 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 100 na @ 1 V | 5.6 V | 10 ohms | |||||||||||||
![]() | MBRF1090-E3 / 4W | 0,6961 | ![]() | 7722 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | TMBS® | Tube | Actif | Par le trou | To-220-2 EXCEPLAGE, ONGLET ISOLÉ | MBRF1090 | Schottky | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 90 V | 800 mV @ 10 a | 100 µA @ 90 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||
![]() | BZX384C51-G3-18 | 0,0389 | ![]() | 6880 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzx384-g | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-76, SOD-323 | Bzx384c51 | 200 MW | SOD-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 50 na @ 35.7 V | 51 V | 180 ohms | |||||||||||||
![]() | Vs-hfa08pb60pbf | - | ![]() | 1278 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Hexfred® | Tube | Obsolète | Par le trou | À 247-2 | HFA08 | Standard | À 247AC Modifié | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 8 A | 55 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||||
![]() | BZD17C12P-E3-18 | 0,5400 | ![]() | 8176 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 000 | 1,2 V @ 200 mA | 3 µA @ 9,1 V | 12 V | |||||||||||||
![]() | Zpy62-Tap | 0,0545 | ![]() | 5154 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Tape & Box (TB) | Actif | ± 5% | 175 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Zpy62 | 1,3 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Zpy62tap | EAR99 | 8541.10.0050 | 25 000 | 500 na @ 47 V | 62 V | 60 ohms | ||||||||||||
AZ23C10-HE3-08 | 0,0436 | ![]() | 4928 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C10 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 1 paire Commune d'anode | 100 na @ 7,5 V | 10 V | 15 ohms | |||||||||||||
![]() | Nsf8mthe3_b / p | - | ![]() | 3464 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Obsolète | Par le trou | To-220-2 EXCEPLAGE, ONGLET ISOLÉ | NSF8 | Standard | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1.1 V @ 8 A | 10 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 55pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | TZX15B-TAP | 0,2300 | ![]() | 112 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, TZX | Ruban de Coupé (CT) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Tzx15 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA @ 11,5 V | 15 V | 40 ohms | ||||||||||||
![]() | V20100SG-E3 / 4W | 1.1800 | ![]() | 815 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | TMBS® | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | V20100 | Schottky | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1.07 V @ 20 A | 350 µA à 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||||
![]() | 80eps12 | - | ![]() | 6221 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 247-3 | 80eps12 | Standard | À 247AC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 1.17 V @ 80 A | 100 µA à 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 80A | - | |||||||||||
![]() | VSKEL240-20S30 | - | ![]() | 3219 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | 3-magn-a-pak ™ | VSKEL240 | Standard | Magn-a-pak® | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 2000 V | 3 µs | 50 ma @ 2000 V | 240a | - | ||||||||||||
![]() | By07-100he3_a / h | - | ![]() | 1156 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Do-213aa (verre) | BY07 | Standard | DO-213AA (GL34) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | By07-100he3_b / h | EAR99 | 8541.10.0070 | 2 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,25 V @ 500 mA | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 7pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
![]() | VS-12TQ045SPBF | - | ![]() | 2095 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Abandonné à sic | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | 12TQ045 | Schottky | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 45 V | 560 MV @ 15 A | 1,75 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | 900pf @ 5v, 1MHz | |||||||||||
P300M-E3 / 54 | 0 4700 | ![]() | 6511 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | P300 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1400 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,2 V @ 3 A | 2 µs | 5 µA à 1000 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | UF1007-E3 / 73 | - | ![]() | 5946 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | UF1007 | Standard | DO-204AL (DO-41) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
VS-81CNQ045APBF | - | ![]() | 1088 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | D-61-8 | 81CNQ045 | Schottky | D-61-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 40a | 740 MV @ 80 A | 5 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | VS-48CTQ060-1PBF | - | ![]() | 9248 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | 48CTQ060 | Schottky | À 262-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 60 V | 20A | 610 MV @ 20 A | 2 ma @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | VS-6FLR80S05 | 5.7283 | ![]() | 4702 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | 6flr80 | Polateté Standard et inverse | DO-203AA (DO-4) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,4 V @ 6 A | 500 ns | 50 µA à 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 6A | - | ||||||||||
![]() | EGP20DHE3 / 54 | - | ![]() | 7271 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | EGP20 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 950 MV @ 2 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 70pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
![]() | Ptv9.1b-m3 / 84a | 0.1721 | ![]() | 1751 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-220AA | PTV9.1 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,5 V @ 200 mA | 20 µA @ 6 V | 9.7 V | 6 ohms | ||||||||||||
Fes8at-e3 / 45 | 0,5618 | ![]() | 2527 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | Fes8 | Standard | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 950 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | |||||||||||
![]() | V20pwm12-m3 / i | 0,9300 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP®, TMBS® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | V20pwm12 | Schottky | Slimdpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 120 V | 1.02 V @ 20 A | 500 µA à 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 20A | 1350pf @ 4v, 1MHz | |||||||||||
![]() | Murd620cttrr | - | ![]() | 2514 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Murd620 | Standard | D-pak (à 252aa) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 3A | 1,2 V @ 3 A | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C |
Volume de RFQ moyen quotidien
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