SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Vitre Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type de diode Tension - Pic inverse (max) Tension - Zener (NOM) (VZ) Impédance (max) (ZZT)
NZX27C,133 Nexperia USA Inc. NZX27C, 133 0,0263
RFQ
ECAD 6257 0,00000000 Nexperia USA Inc. Nzx Tape & Box (TB) Actif ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Nzx27 500 MW Alf2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 934062006133 EAR99 8541.10.0050 10 000 1,5 V @ 200 mA 50 na @ 18,9 V 27,9 V 80 ohms
JANTXV1N6081/TR Microchip Technology Jantxv1n6081 / tr 51.3300
RFQ
ECAD 7765 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/503 Ruban Adhésif (tr) Actif Par le trou G, axial Standard G, axial - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-jantxv1n6081 / tr EAR99 8541.10.0080 1 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 150 V 1,5 V @ 37,7 A 30 ns 1 µA à 150 V -65 ° C ~ 155 ° C 2A -
UFS160G/TR13 Microchip Technology UFS160G / TR13 0,8250
RFQ
ECAD 9389 0,00000000 Technologie des micropuces - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface DO-215AA, Aile de Mouette SMB Polateté Standard et inverse SMBG (DO-215AA) - Atteindre non affecté 150-UFS160G / TR13TR EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,2 V @ 1 A 60 ns 20 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
ES5G-T Taiwan Semiconductor Corporation ES5G-T 0,2874
RFQ
ECAD 8644 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface DO-214AB, SMC Standard DO-214AB (SMC) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-ES5G-TTR EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,3 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 123pf @ 4v, 1MHz
BAS70-05W-QF Nexperia USA Inc. BAS70-05W-QF 0,0434
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ECAD 3503 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 BAS70 Schottky SOT-323 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1727-BAS70-05W-QFTR EAR99 8541.10.0070 10 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 1 paire la commune de cathode 70 V 70mA (DC) 1 V @ 15 mA 10 µA @ 70 V 150 ° C
JANS1N5712UR-1 Microchip Technology Jans1n5712ur-1 -
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ECAD 3245 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/444 En gros Actif Support de surface Do-213aa Schottky Do-213aa - Atteindre non affecté 150-Jans1n5712ur-1 EAR99 8541.10.0070 50 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 16 V 1 V @ 35 Ma 150 na @ 16 V -65 ° C ~ 150 ° C 75mA 2pf @ 0v, 1mhz
FS1AFL-TP Micro Commercial Co Fs1afl-tp 0,0511
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ECAD 7517 0,00000000 Micro Commercial Co - En gros Actif Support de surface DO-221AC, SMA PLATS À PLAT FS1A Standard DO-221AC (SMA-FL) télécharger 353-fs1afl-tp EAR99 8541.10.0080 1 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 50 V 1.1 V @ 2 A 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4v, 1mhz
VS-HFA25TB60-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA25TB60-M3 1.8900
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ECAD 7 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Hexfred® Tube Actif Par le trou À 220-2 HFA25 Standard À 220AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 2 V @ 50 A 75 ns 20 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
S24F Yangjie Technology S24f 0,0350
RFQ
ECAD 300 0,00000000 Technologie Yangjie - Ruban Adhésif (tr) Actif - Rohs conforme Atteindre non affecté 4617-s24ftr EAR99 3 000
SBYV28-150-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBYV28-150-E3 / 73 -
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ECAD 4741 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes - Tape & Box (TB) Actif Par le trou DO-201D, axial Sbyv28 Standard Do-201Dad télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 150 V 1,1 V @ 3,5 A 20 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 3.5a 20pf @ 4v, 1mhz
689-6 Microchip Technology 689-6 280.3200
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ECAD 6272 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif Soutenir de châssis Nd 689-6 Standard Nd télécharger Atteindre non affecté 150-689-6 EAR99 8541.10.0080 1 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 indépendant 600 V 15A 1,2 V @ 10 A 500 ns 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C
RGP30D NTE Electronics, Inc RGP30D 0,7000
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ECAD 120 0,00000000 NTE Electronics, Inc RGP30 Sac Actif Par le trou DO-201D, axial Standard Do-201Dad télécharger Rohs non conforme 2368-RGP30D EAR99 8541.10.0080 1 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 200 V 1,3 V @ 3 A 150 ns 5 µA @ 200 V - 3A 60pf @ 4V, 1MHz
MSASC150H45LR Microchip Technology MSASC150H45LR -
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ECAD 9282 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif Support de surface Thinkey ™ 3 Schottky, polaté inversée Thinkey ™ 3 - Atteindre non affecté 150-MSASC150H45LR EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 45 V 600 mV @ 150 A 10 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 150a -
BZX55B24 Taiwan Semiconductor Corporation Bzx55b24 0,0301
RFQ
ECAD 2480 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Bzx55 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BZX55B24TR EAR99 8541.10.0050 10 000 1 V @ 100 mA 100 na @ 18 V 24 V 80 ohms
S4J R6 Taiwan Semiconductor Corporation S4J R6 -
RFQ
ECAD 8412 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic Support de surface DO-214AB, SMC Standard DO-214AB (SMC) - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 1801-S4JR6TR EAR99 8541.10.0080 3 000 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,15 V @ 4 A 1,5 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 60pf @ 4V, 1MHz
BZX84C3V6Q Yangjie Technology Bzx84c3v6q 0,0280
RFQ
ECAD 300 0,00000000 Technologie Yangjie - Ruban Adhésif (tr) Actif - Rohs conforme Atteindre non affecté 4617-BZX84C3V6QTR EAR99 3 000
MM3Z3V6T1G onsemi MM3Z3V6T1G 0,1500
RFQ
ECAD 126 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Support de surface SC-76, SOD-323 MM3Z3 300 MW SOD-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 900 mV @ 10 mA 5 µA @ 1 V 3,6 V 90 ohms
MBRS1645 Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1645 0,6433
RFQ
ECAD 4025 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MBRS1645 Schottky À-263ab (d2pak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-MBRS1645TR EAR99 8541.10.0080 1 600 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 45 V 630 MV @ 16 A 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
MBRF1060CT_HF Diodes Incorporated MBRF1060CT_HF -
RFQ
ECAD 7730 0,00000000 Les diodes incorporent Automobile, AEC-Q101 En gros Obsolète Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé MBRF106 Schottky ITO-220AB télécharger 31-MBRF1060CT_HF OBSOLÈTE 1 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 60 V 5A 750 mV @ 5 a 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
VBO125-18NO7 IXYS VBO125-18NO7 -
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ECAD 7544 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis PWS-C VBO125 Standard PWS-C télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 10 1,3 V @ 150 A 300 µA à 1800 V 124 A Monophasé 1,8 kV
RFS30TZ6SGC13 Rohm Semiconductor RFS30TZ6SGC13 6.1700
RFQ
ECAD 600 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Actif Par le trou À 247-2 RFS30 Standard À 247ge télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-RFS30TZ6SGC13 EAR99 8541.10.0080 30 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 650 V 2.3 V @ 30 A 35 ns 5 µA @ 650 V 175 ° C 30A -
PZU5.6B,115 Nexperia USA Inc. PZU5.6b, 115 0,3500
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automobile, AEC-Q100 Ruban Adhésif (tr) Actif ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Support de surface SC-90, SOD-323F Pzu5.6 310 MW SOD-323F télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 1,1 V @ 100 mA 1 µA @ 2,5 V 5.6 V 40 ohms
UF1DLW Taiwan Semiconductor Corporation Uf1dlw 0,0907
RFQ
ECAD 6839 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOD-123W Standard SOD-123W télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-uf1dlwtr EAR99 8541.10.0080 20 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 200 V 950 mV @ 1 a 20 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 40pf @ 4v, 1mhz
ESH1BH Taiwan Semiconductor Corporation ESH1BH 0,0926
RFQ
ECAD 4970 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface DO-214AC, SMA Standard DO-214AC (SMA) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-ESH1BHTR EAR99 8541.10.0080 15 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 100 V 900 mV @ 1 a 15 ns 1 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 16pf @ 4v, 1mhz
1N2982R Solid State Inc. 1N2982R 6.5000
RFQ
ECAD 100 0,00000000 Solid State Inc. - Boîte Actif ± 20% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutien DO-203AA, DO-4, Stud 1N2982 10 W Do-4 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini 2383-1n2982r EAR99 8541.10.0080 10 1,5 V @ 2 A 18 V 4 ohms
RS1KLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1klshrvg 0,0909
RFQ
ECAD 1084 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOD-123H Rs1k Standard SOD-123HE télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 800 V 1,3 V @ 1,2 A 300 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.2A -
PU1JLS Taiwan Semiconductor Corporation Pu1jls 0,0978
RFQ
ECAD 7340 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOD-123H PU1J Standard SOD-123H télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 1801-pu1jlstr EAR99 8541.10.0080 20 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,5 V @ 1 A 28 ns 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4v, 1mhz
VS-80-7897 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-7897 -
RFQ
ECAD 2930 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes - En gros Acheter la Dernière 80-7897 - 112-VS-80-7897 1
BZT52C13 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C13 RHG 0,0412
RFQ
ECAD 4070 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Sod-123f BZT52C 500 MW Sod-123f télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 1 V @ 10 mA 90 na @ 8 V 13 V 30 ohms
SMBJ5926C/TR13 Microchip Technology SMBJ5926C / TR13 2.0850
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ECAD 7289 0,00000000 Technologie des micropuces - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Support de surface DO-214AA, SMB SMBJ5926 2 W SMBJ (DO-214AA) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 1,2 V @ 200 mA 1 µA @ 8,4 V 11 V 5,5 ohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock