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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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![]() | SR503-TP | 0.1372 | ![]() | 4796 | 0,00000000 | Micro Commercial Co | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | SR503 | Schottky | Do-201Dad | télécharger | 353-SR503-TP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 550 mV @ 5 a | 1 ma @ 30 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 5A | 200pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||
![]() | FR2D_R1_00001 | 0,0594 | ![]() | 9946 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | FR2D | Standard | SMB (DO-214AA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 60 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,3 V @ 2 A | 150 ns | 1 µA @ 200 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 2A | 40pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
BZX84-C9V1,215 | 0,1600 | ![]() | 134 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84-C9V1 | 250 MW | À 236ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 15 ohms | ||||||||||||||
![]() | VS-8EWH06FN-M3 | 1.0600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Fred PT® | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | 8ewh06 | Standard | D-pak (à 252aa) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 2,4 V @ 8 A | 25 ns | 50 µA à 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 8a | - | |||||||||||
![]() | Ss13he3_b / i | 0,4300 | ![]() | 4797 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | SS13 | Schottky | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 500 mV @ 1 a | 200 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||||
![]() | PMEG3010BEA / 6X | - | ![]() | 4997 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 560 mV @ 1 a | 150 µA @ 30 V | 150 ° C | 1A | 55pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||
FR85JR05 | 27.9100 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,4 V @ 85 A | 500 ns | 25 µA à 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 85a | - | ||||||||||||||
![]() | Vs-8ewf10strlpbf | - | ![]() | 3884 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | 8ewf10 | Standard | D-pak (à 252aa) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,3 V @ 8 A | 270 ns | 100 µA à 1000 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | |||||||||||
![]() | CDS945B-1 | - | ![]() | 7241 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | * | En gros | Actif | - | Atteindre non affecté | 150-CDS945B-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CD1005-Z8V2 | - | ![]() | 2523 | 0,00000000 | Bourns Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 1005 (2512 MÉTrique) | CD1005 | 200 MW | 1005 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 4 000 | 100 na @ 6 V | 8.2 V | 7 ohms | ||||||||||||||
![]() | RB218T-30NZC9 | 1.5400 | ![]() | 990 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 EXCHET | RB218 | Schottky | À 220fn | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 30 V | 20A | 720 MV @ 10 A | 5 µA @ 30 V | 150 ° C | ||||||||||||
![]() | BAS281-GS08 | 0,3600 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Variante SOD-80 | BAS281 | Schottky | SOD-80 Quadromelf | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 2 500 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 40 V | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 200 V | 125 ° C (max) | 30m | 1,6pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||
![]() | DZ23C33Q | 0,0460 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Technologie Yangjie | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Rohs conforme | Atteindre non affecté | 4617-DZ23C33QTR | EAR99 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||
1N753A / TR | 2.3400 | ![]() | 3670 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Atteindre non affecté | 150-1N753A / TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 404 | 1,1 V @ 200 mA | 5 µA à 3,5 V | 6.2 V | 7 ohms | ||||||||||||||||
![]() | VS-74-7374 | - | ![]() | 2132 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Acheter la Dernière | 74-7374 | - | 112-VS-74-7374 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5265BUR-1 / TR | 3.7400 | ![]() | 2938 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 264 | 1,1 V @ 200 mA | 100 na @ 47 V | 62 V | 185 ohms | |||||||||||||||||
![]() | Hzs20nb1td-e | 0,1500 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NTE5075A | 0,6000 | ![]() | 457 | 0,00000000 | NTE Electronics, Inc | - | Sac | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 1 W | Do-35 | télécharger | Rohs non conforme | 2368-nte5075a | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 16 V | 16 ohms | |||||||||||||||||
![]() | PPS1045-3G | 0,3122 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur de diotec | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | Schottky | À 277-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2796-PPS1045-3GTR | 8541.10.0000 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 45 V | 490 MV @ 10 A | 300 µA @ 45 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||||||
![]() | UF4002GP-TP | 0,0876 | ![]() | 2460 | 0,00000000 | Micro Commercial Co | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | UF4002 | Standard | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | GBJ30D | 1.1205 | ![]() | 7632 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, GBJ | GBJ30 | Standard | GBJ | télécharger | Rohs3 conforme | 1242-GBJ30D | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05 V @ 15 A | 5 µA @ 200 V | 30 A | Monophasé | 200 V | ||||||||||||||
![]() | BYC8DX-600,127 | 0,4100 | ![]() | 4 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Standard | À 220f | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 740 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 2,9 V @ 8 A | 20 ns | 40 µA @ 600 V | 150 ° C (max) | 8a | - | |||||||||||||||
MMSZ5242B | 0,0160 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Technologie Yangjie | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | - | Rohs conforme | Atteindre non affecté | 4617-MMSZ5242BTR | EAR99 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 1 µA @ 9,1 V | 12 V | 30 ohms | ||||||||||||||||
1N962A | 2.0700 | ![]() | 3533 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | En gros | Actif | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N962 | 500 MW | Do-7 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 5 µA @ 8,4 V | 11 V | 9,5 ohms | ||||||||||||||
![]() | 1N914BW | 0,0268 | ![]() | 7253 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-90, SOD-323F | 1N914 | Standard | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-1N914BWSTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 9 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 100 V | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 150m | 4pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||
BR84 | 0,8910 | ![]() | 1683 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, BR-8 | Standard | BR-8 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | BR84GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | 8 A | Monophasé | 400 V | |||||||||||||||
![]() | Jantx1n4966d | 29.4600 | ![]() | 7223 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/435 | En gros | Actif | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | E, axial | 1N4966 | 5 W | E, axial | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 A | 2 µA @ 16,7 V | 22 V | 5 ohms | |||||||||||||
![]() | GBU10V06-TU | 0,8400 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Les diodes incorporent | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, GBU | Standard | GBU | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 31-GBU10V06-TU | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 920 MV @ 5 A | 5 µA @ 600 V | 10 a | Monophasé | 600 V | |||||||||||||
BAS16-HE3-08 | 0 2200 | ![]() | 21 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS16 | Standard | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 75 V | 1,25 V @ 150 Ma | 6 ns | 1 µA @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 150m | 4pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||
BZD27C180P R3G | 0.1676 | ![]() | 3840 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,4% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA à 130 V | 179,5 V | 450 ohms |
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