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Transistors (13833)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tension - note Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Fréquence Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Condition de test Current - Test Puisance - Sortie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Silhouette Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Tension - test COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2) Figure de Bruit (db typ @ f)
IRF300P226 Infineon Technologies IRF300P226 9.8900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Strongirfet ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IRF300 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 300 V 100A (TC) 10V 19MOHM @ 45A, 10V 4V @ 270µA 191 NC @ 10 V ± 20V 10030 pf @ 50 V - 556W (TC)
IPS60R360PFD7SAKMA1 Infineon Technologies IPS60R360PFD7SAKMA1 1.4100
RFQ
 ECAD 982 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ PFD7 Tube Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa Ips60r MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 251-3 télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 650 V 10A (TC) 10V 360 MOHM @ 2,9A, 10V 4,5 V @ 140µA 12.7 NC @ 10 V ± 20V 534 PF @ 400 V - 43W (TC)
IPZA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies Ipza60r099p7xksa1 6.6000
RFQ
 ECAD 5587 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-4 Ipza60 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à247-4 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 240 Canal n 600 V 31A (TC) 10V 99MOHM @ 10.5A, 10V 4V @ 530µA 45 NC @ 10 V ± 20V 1952 PF @ 400 V - 117W (TC)
IRFR3711ZPBF Infineon Technologies Irfr3711zpbf -
RFQ
 ECAD 4241 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté SP001564900 EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 20 V 93a (TC) 4,5 V, 10V 5,7MOHM @ 15A, 10V 2 45 V @ 250µA 27 NC @ 4,5 V ± 20V 2160 PF @ 10 V - 79W (TC)
IPB110N20N3LFATMA1 Infineon Technologies IPB110N20N3LFATMA1 9.7000
RFQ
 ECAD 5194 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IPB110 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 263-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 200 V 88A (TC) 10V 11MOHM @ 88A, 10V 4.2 V @ 260µA 76 NC @ 10 V ± 20V 650 pf @ 100 V - 250W (TC)
BCR133E6433HTMA1 Infineon Technologies BCR133E6433HTMA1 0,0495
RFQ
 ECAD 9471 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Acheter la Dernière Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR133 200 MW PG-Sot23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 10 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 10mA 30 @ 5mA, 5V 130 MHz 10 kohms 10 kohms
IPA65R099C6XKSA1 Infineon Technologies Ipa65r099c6xksa1 -
RFQ
 ECAD 7366 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET Ipa65r MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-111 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 650 V 38A (TC) 10V 99MOHM @ 12.8A, 10V 3,5 V @ 1,2MA 127 NC @ 10 V ± 20V 2780 PF @ 100 V - 35W (TC)
BCX5316H6433XTMA1 Infineon Technologies BCX5316H6433XTMA1 0.1920
RFQ
 ECAD 1574 0,00000000 Infineon Technologies Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Acheter la Dernière 150 ° C (TJ) Support de surface À 243aa BCX5316 2 W PG-Sot89 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 4 000 80 V 1 a 100NA (ICBO) Pnp 500 mV à 50ma, 500mA 100 @ 150mA, 2V 125 MHz
IRFH8337TRPBF Infineon Technologies Irfh8337trpbf -
RFQ
 ECAD 4620 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) PQFN (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 30 V 12A (TA), 35A (TC) 4,5 V, 10V 12.8MOHM @ 16.2A, 10V 2,35 V @ 25µA 10 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 10 V - 3.2W (TA), 27W (TC)
IRFH4210DTRPBF Infineon Technologies Irfh4210dtrpbf 2.5800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN IRFH4210 MOSFET (Oxyde Métallique) PQFN (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 25 V 44A (TA) 4,5 V, 10V 1,1MOHM @ 50A, 10V 2,1 V @ 100µA 77 NC @ 10 V ± 20V 4812 PF @ 13 V - 3,5W (TA), 125W (TC)
IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies IPB029N06NF2SATMA1 1.9100
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 Infineon Technologies Strongirfet ™ 2 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IPB029 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 263-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 60 V 26A (TA), 120A (TC) 6v, 10v 2,9MOHM @ 70A, 10V 3,3 V @ 80µA 102 NC @ 10 V ± 20V 4600 PF @ 30 V - 3.8W (TA), 150W (TC)
IRFZ48NSTRRPBF Infineon Technologies Irfz48nstrrpbf -
RFQ
 ECAD 9545 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 55 V 64a (TC) 10V 14MOHM @ 32A, 10V 4V @ 250µA 81 NC @ 10 V ± 20V 1970 PF @ 25 V - 3.8W (TA), 130W (TC)
BFR 380T E6327 Infineon Technologies BFR 380T E6327 -
RFQ
 ECAD 3033 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic 150 ° C (TJ) Support de surface SC-75, SOT-416 BFR 380 380mw PG-SC-75 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 12,5 dB 9v 80m NPN 60 @ 40mA, 3V 14 GHz 1,1 dB à 1,8 GHz
IRF7470PBF Infineon Technologies Irf7470pbf -
RFQ
 ECAD 4054 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-so télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 95 Canal n 40 V 10A (TA) 2,8 V, 10V 13MOHM @ 10A, 10V 2V à 250µA 44 NC @ 4,5 V ± 12V 3430 PF @ 20 V - 2.5W (TA)
SPW07N60CFDFKSA1 Infineon Technologies SPW07N60CFDFKSA1 -
RFQ
 ECAD 8173 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 SPW07N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à247-3-1 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 240 Canal n 650 V 6.6a (TC) 10V 700mohm @ 4.6a, 10v 5V à 300 µA 47 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 25 V - 83W (TC)
IRF7526D1TR Infineon Technologies Irf7526d1tr -
RFQ
 ECAD 1153 0,00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-TSSOP, 8 MSOP (0,118 ", 3,00 mm de grand) MOSFET (Oxyde Métallique) Micro8 ™ télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal p 30 V 2a (ta) 4,5 V, 10V 200 mohm @ 1,2a, 10v 1V @ 250µA 11 NC @ 10 V ± 20V 180 pf @ 25 V Diode Schottky (isolé) 1.25W (TA)
IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies IPB020N10N5LFATMA1 8.4300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ -5 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IPB020 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 263-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 100 V 120A (TC) 10V 2MOHM @ 100A, 10V 4.1 V @ 270µA 195 NC @ 10 V ± 20V 840 PF @ 50 V - 313W (TC)
AUIRLR024NTRL Infineon Technologies Auirlr024ntrl -
RFQ
 ECAD 5810 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté SP001517694 EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 55 V 17A (TC) 4V, 10V 65MOHM @ 10A, 10V 2V à 250µA 15 NC @ 5 V ± 16V 480 pf @ 25 V - 45W (TC)
BF998E6327 Infineon Technologies BF998E6327 -
RFQ
 ECAD 4284 0,00000000 Infineon Technologies - En gros Actif 12 V Support de surface À 253-4, à 253aa 1 GHz Mosfet SOT143 (SC-61) télécharger EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 15m 10 mA - 28 dB 2,8 dB 8 V
BSP62E6327HTSA1 Infineon Technologies BSP62E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 7905 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa Bsp62 1,5 w PG-Sot223-4 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 1 000 80 V 1 a 10 µA PNP - Darlington 1,8 V @ 1MA, 1A 2000 @ 500mA, 10V 200 MHz
IRF7205TRPBF Infineon Technologies Irf7205trpbf 0,9700
RFQ
 ECAD 53 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) IRF7205 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-so télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal p 30 V 4.6a (TA) 4,5 V, 10V 70MOHM @ 4.6A, 10V 3V à 250µA 40 NC @ 10 V ± 20V 870 pf @ 10 V - 2,5W (TC)
BSS83PE6327 Infineon Technologies BSS83PE6327 -
RFQ
 ECAD 7719 0,00000000 Infineon Technologies Sipmos® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Oxyde Métallique) PG-Sot23 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 60 V 330mA (TA) 4,5 V, 10V 2OHM @ 330mA, 10V 2V @ 80µA 3,57 NC @ 10 V ± 20V 78 PF @ 25 V - 360MW (TA)
IPB120N04S4L02ATMA1 Infineon Technologies IPB120N04S4L02ATMA1 3 4000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IPB120 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 263-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 40 V 120A (TC) 4,5 V, 10V 1,7MOHM @ 100A, 10V 2,2 V @ 110µA 190 NC @ 10 V + 20V, -16V 14560 pf @ 25 V - 158W (TC)
BC 807-40W E6433 Infineon Technologies BC 807-40W E6433 -
RFQ
 ECAD 1330 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC 807 250 MW PG-Sot323 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 10 000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) Pnp 700 mV à 50ma, 500mA 250 @ 100mA, 1V 200 MHz
BSM35GD120DN2E3224BPSA1 Infineon Technologies BSM35GD120DN2E3224BPSA1 136.8500
RFQ
 ECAD 2504 0,00000000 Infineon Technologies - Plateau Acheter la Dernière 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module BSM35G 280 W Standard AG-ECONO2B - Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 15 Achèvement Pont - 1200 V 50 a 3,2 V @ 15V, 35A 1 mA Non 2 nf @ 25 V
IHD06N60RA Infineon Technologies IHD06N60RA -
RFQ
 ECAD 3414 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Standard 88 W PG à252-3-11 télécharger 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 400V, 6A, 14,7 ohms, 15v Tranché 600 V 12 A 18 a 1,9 V @ 15V, 6A 150 µJ 42 NC 25ns / 125ns
IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies IKW30N60TFKSA1 5.1400
RFQ
 ECAD 7882 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tube Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IKW30N60 Standard 187 W PG à247-3-1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10,6 ohms, 15v 143 ns Arête du Champ de Tranché 600 V 60 a 90 A 2.05V @ 15V, 30A 1.46MJ 167 NC 23ns / 254ns
BCX6925H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX6925H6327XTSA1 0,3105
RFQ
 ECAD 7967 0,00000000 Infineon Technologies Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Acheter la Dernière 150 ° C (TJ) Support de surface À 243aa BCX6925 3 W PG-Sot89 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 1 000 20 V 1 a 100NA (ICBO) Pnp 500 MV à 100MA, 1A 160 @ 500mA, 1V 100 MHz
IPP065N06LGAKSA1 Infineon Technologies Ipp065n06lgaksa1 -
RFQ
 ECAD 4808 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ipp065n MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-1 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 60 V 80A (TC) 4,5 V, 10V 6,5 mohm @ 80a, 10v 2V à 180µA 157 NC @ 10 V ± 20V 5100 pf @ 30 V - 250W (TC)
IPD90R1K2C3ATMA1 Infineon Technologies IPD90R1K2C3ATMA1 0,8583
RFQ
 ECAD 7116 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ipd90 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 252-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 900 V 5.1a (TC) 10V 1,2 ohm @ 2,8a, 10v 3,5 V @ 310µA 28 NC @ 10 V ± 20V 710 PF @ 100 V - 83W (TC)
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    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

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    Unité de produit standard

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AD9208BBPZ-3000

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