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Transistors (13833)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
IHW40N60RFKSA1	3.6808	RFQ	8745	Infineon Technologies	Trenchstop®	Tube	Acheter la Dernière	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IHW40	Standard		305 W		PG à247-3-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	240			400V, 40A, 5,6 ohms, 15v												Tranché	600 V	80 A	120 A	2.05V @ 15V, 40A	750µJ (off)	223 NC	- / 193ns
BC 846B E6327	-	RFQ	5419	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BC 846			330 MW		PG-Sot23	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000																65 V	100 mA						15NA (ICBO)	NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2MA, 5V	250 MHz
Spa20n60c3	-	RFQ	3680	Infineon Technologies	CoolMos ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à220-3-111	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1		Canal n			600 V	20,7a (TC)		190mohm @ 13.1a, 10v	3,9 V @ 1MA	114 NC @ 10 V	± 20V	2400 pf @ 25 V	-	34,5W (TC)
BC817K40WH6327XTSA1	0,0634	RFQ	4975	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323	BC817			250 MW		PG-Sot323	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000																45 V	500 mA						100NA (ICBO)	NPN	700 mV à 50ma, 500mA	100 @ 100mA, 1v	170 MHz
Irfz48zspbf	-	RFQ	6918	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n			55 V	61a (TC)	10V	11MOHM @ 37A, 10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	± 20V	1720 pf @ 25 V	-	91W (TC)
FF800R17KF6CB2NOSA2	-	RFQ	1023	Infineon Technologies	Ihm-a	Plateau	Obsolète				FF800R17				-		-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.39.0001	2	-														-				-
BC 808-40 B6327	-	RFQ	8129	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BC 808			330 MW		PG-Sot23	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	30 000																25 V	500 mA						100NA (ICBO)	Pnp	700 mV à 50ma, 500mA	250 @ 100mA, 1V	200 MHz
BSC079N10NSGATMA1	2.8700	RFQ	4	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	BSC079		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG-TDSON-8-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal n			100 V	13.4A (TA), 100A (TC)	10V	7,9MOHM @ 50A, 10V	4V à 110µA	87 NC @ 10 V	± 20V	5900 pf @ 50 V	-	156W (TC)
Irfc4568ef	-	RFQ	5595	Infineon Technologies	-	En gros	Obsolète										télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1						-
BCX6925E6327HTSA1	0,5100	RFQ	183	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 243aa	BCX69			3 W		PG-Sot89	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1 000																20 V	1 a						100NA (ICBO)	Pnp	500 MV à 100MA, 1A	160 @ 500mA, 1V	100 MHz
Ipp06n03la	-	RFQ	8836	Infineon Technologies	Optimos ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ipp06n		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à 220-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500		Canal n			25 V	50A (TC)	4,5 V, 10V	6,2MOHM @ 30A, 10V	2v @ 40µa	22 NC @ 5 V	± 20V	2653 PF @ 15 V	-	83W (TC)
BFR 705L3RH E6327	-	RFQ	1213	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-101, SOT-883	BFR 705			40 MW		PG-TSLP-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	15 000				25 dB												4.7 V	10m							NPN		160 @ 7mA, 3V	39 GHz	0,5 dB ~ 0,8 dB à 1,8 GHz ~ 6 GHz
Irf6637tr1pbf	-	RFQ	7733	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	MP Isométrique DirectFet ™			MOSFET (Oxyde Métallique)			MP DirectFet ™	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n			30 V	14A (TA), 59A (TC)	4,5 V, 10V	7,7MOHM @ 14A, 10V	2,35 V @ 250µA	17 NC @ 4,5 V	± 20V	1330 pf @ 15 V	-	2.3W (TA), 42W (TC)
Irll024npbf	-	RFQ	2926	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Abandonné à sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-223	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001550452	EAR99	8541.29.0095	80		Canal n			55 V	3.1A (TA)	4V, 10V	65MOHM @ 3.1A, 10V	2V à 250µA	15,6 NC @ 5 V	± 16V	510 PF @ 25 V	-	1W (ta)
BSC882N03MSGATMA1	-	RFQ	9172	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG-TDSON-8-1	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal n			34 V	22A (TA), 100A (TC)	4,5 V, 10V	2,6MOHM @ 30A, 10V	2V à 250µA	55 NC @ 10 V	± 20V	4300 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 69W (TC)
IRL3202PBF	-	RFQ	3653	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220ab	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n			20 V	48A (TC)	4,5 V, 7V	16MOHM @ 29A, 7V	700 mV à 250 µA (min)	43 NC @ 4,5 V	± 10V	2000 pf @ 15 V	-	69W (TC)
IPI90N06S404AKSA1	-	RFQ	4086	Infineon Technologies	Optimos ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	Ipi90n		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à 262-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500		Canal n			60 V	90a (TC)	10V	4MOHM @ 90A, 10V	4V @ 90µA	128 NC @ 10 V	± 20V	10400 pf @ 25 V	-	150W (TC)
IPC60R070C6UNSAWNX6SA1	-	RFQ	2698	Infineon Technologies	-	En gros	Obsolète				Ipc60r						-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP000910382	OBSOLÈTE	0000.00.0000	1						-
BSP316PL6327	1 0000	RFQ	5758	Infineon Technologies	Sipmos®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG-Sot223-4-21	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal p			100 V	680mA (TA)	4,5 V, 10V	1,8 ohm @ 680mA, 10V	2V à 170µA	6,4 NC @ 10 V	± 20V	146 pf @ 25 V	-	1.8W (TA)
IPL60R2K1C6SATMA1	-	RFQ	5346	Infineon Technologies	CoolMos ™ C6	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	IPL60R		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG-TSON-8-2	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal n			600 V	2.3A (TC)	10V	2.1OHM @ 760mA, 10V	3,5 V @ 60µA	6,7 NC @ 10 V	± 20V	140 PF @ 100 V	-	21.6W (TC)
FS800R07A2E3B31BOSA1	-	RFQ	3881	Infineon Technologies	*	Plateau	Obsolète				FS800R07						télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3
Auirfp1405-203	-	RFQ	5788	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète										-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE		1						160a (TC)
IPB80N04S4L04ATMA1	2.1400	RFQ	958	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IPB80N		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à263-3-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n			40 V	80A (TC)	4,5 V, 10V	4MOHM @ 80A, 10V	2,2 V @ 35µA	60 NC @ 10 V	+ 20V, -16V	4690 pf @ 25 V	-	71W (TC)
Ipp80p03p405aksa1	-	RFQ	8112	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ipp80p		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à220-3-1	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500		Canal p			30 V	80A (TC)	10V	5MOHM @ 80A, 10V	4V @ 253µA	130 NC @ 10 V	± 20V	10300 pf @ 25 V	-	137W (TC)
IRF540ZL	-	RFQ	5797	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 262	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRF540ZL	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n			100 V	36a (TC)	10V	26,5MOHM @ 22A, 10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1770 pf @ 25 V	-	92W (TC)
Irf540zspbf	-	RFQ	8346	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Abandonné à sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n			100 V	36a (TC)	10V	26,5MOHM @ 22A, 10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1770 pf @ 25 V	-	92W (TC)
Irf7433trpbf	-	RFQ	7855	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)			8-so	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000		Canal p			12 V	8.9a (TA)	1,8 V, 4,5 V	24MOHM @ 8.7A, 4,5 V	900 mV à 250 µA	20 NC @ 4,5 V	± 8v	1877 PF @ 10 V	-	2.5W (TA)
IMT65R163M1HXUMA1	7.7100	RFQ	1981	Infineon Technologies	Coolsic ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-	Support de surface	8 Powersfn			Sicfet (carbure de silicium)			Pg-hsof-8-1	-	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		-			650 V	-	18V	-	-		-		-	-
Ips60r650ceakma1	-	RFQ	9236	Infineon Technologies	CoolMos ™	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	IPS60R650		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à 251-3	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 500		Canal n			600 V	9.9a (TJ)	10V	650 mohm @ 2,4a, 10v	3,5 V @ 200µA	20,5 NC @ 10 V	± 20V	440 PF @ 100 V	-	82W (TC)
SPD07N60C3	-	RFQ	7670	Infineon Technologies	CoolMos ™	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	SPD07N		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à 252-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP000077605	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n			600 V	7.3a (TC)	10V	600mohm @ 4.6a, 10v	3,9 V @ 350µA	27 NC @ 10 V	± 20V	790 pf @ 25 V	-	83W (TC)

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