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Transistors (13833)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Condition de test	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
BCX5616H6327XTSA1	0.1920	RFQ	1015	Infineon Technologies	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 243aa	BCX5616				2 W		PG-Sot89	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1 000																				80 V	1 a					100NA (ICBO)			NPN	500 mV à 50ma, 500mA	100 @ 150mA, 2V	100 MHz
IPD26N06S2L35ATMA1	-	RFQ	8863	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ipd26n			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à252-3-11	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n						55 V	30a (TC)	4,5 V, 10V	35MOHM @ 13A, 10V	2V @ 26µA	24 NC @ 10 V	± 20V	621 PF @ 25 V	-	68W (TC)
BFP490E6327	0,6000	RFQ	4	Infineon Technologies	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-80					1W		PG-SCD80-2	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0075	1							8,5 dB													4,5 V	600mA								NPN		50 @ 200mA, 3V	17,5 GHz	3,3 dB à 1,8 GHz
Irfts8342trpbf	0,5900	RFQ	4252	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6	Irfts8342			MOSFET (Oxyde Métallique)			6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n						30 V	8.2a (TA)	4,5 V, 10V	19MOHM @ 8.2A, 10V	2,35 V @ 25µA	4,8 NC @ 4,5 V	± 20V	560 pf @ 25 V	-	2W (ta)
SPW20N60CFDFKSA1	4.7528	RFQ	8177	Infineon Technologies	CoolMos ™	Tube	Pas de designs les nouveaux		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	SPW20N60			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à247-3-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	240		Canal n						650 V	20,7a (TC)	10V	220mohm @ 13.1a, 10v	5V @ 1MA	124 NC @ 10 V	± 20V	2400 pf @ 25 V	-	208W (TC)
Ipp90n06s4l04aksa2	-	RFQ	1068	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ipp90n			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à220-3-1	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001028752	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n						60 V	90a (TC)	4,5 V, 10V	3,7MOHM @ 90A, 10V	2,2 V @ 90µA	170 NC @ 10 V	± 16V	13000 pf @ 25 V	-	150W (TC)
SPB70N10L	-	RFQ	3325	Infineon Technologies	Sipmos®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	SPB70N			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à263-3-2	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n						100 V	70A (TC)	4,5 V, 10V	16MOHM @ 50A, 10V	2v @ 2mA	240 NC @ 10 V	± 20V	4540 pf @ 25 V	-	250W (TC)
Irlz44z	-	RFQ	4375	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab				MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRLZ44ZS	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						55 V	51A (TC)	4,5 V, 10V	13,5MOHM @ 31A, 10V	3V à 250µA	36 NC @ 5 V	± 16V	1620 PF @ 25 V	-	80W (TC)
SPP12N50C3XKSA1	-	RFQ	5456	Infineon Technologies	CoolMos ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Spp12n			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à220-3-1	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500		Canal n						500 V	11.6a (TC)	10V	380MOHM @ 7A, 10V	3,9 V @ 500µA	49 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	125W (TC)
IRlr3114ztrpbf	1.5200	RFQ	7	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRLR3114			MOSFET (Oxyde Métallique)			D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n						40 V	42A (TC)	4,5 V, 10V	4,9MOHM @ 42A, 10V	2,5 V @ 100µA	56 NC @ 4,5 V	± 16V	3810 PF @ 25 V	-	140W (TC)
FF1400R17IP4PBOSA1	895.4200	RFQ	3	Infineon Technologies	PrimePack ™ 3	Plateau	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C	Soutenir de châssis	Module	FF1400					Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3	2 indépendant																		Arête du Champ de Tranché	1700 V	1400 A	2.2 V @ 15V, 1400A				5 mA	Oui	110 nf @ 25 V
Irfs4310trrpbf	-	RFQ	4598	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab				MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001557384	EAR99	8541.29.0095	800		Canal n						100 V	130a (TC)	10V	7MOHM @ 75A, 10V	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	± 20V	7670 PF @ 50 V	-	300W (TC)
Ipw65r065c7xksa1	10.6800	RFQ	7100	Infineon Technologies	CoolMos ™ C7	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ipw65r065			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n						650 V	33A (TC)	10V	65MOHM @ 17.1A, 10V	4V à 850µA	64 NC @ 10 V	± 20V	3020 PF @ 400 V	-	171W (TC)
IRL3303L	-	RFQ	5852	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa				MOSFET (Oxyde Métallique)			À 262	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRL3303L	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						30 V	38A (TC)	4,5 V, 10V	26MOHM @ 20A, 10V	1V @ 250µA	26 NC @ 4,5 V	± 16V	870 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 68W (TC)
IRl2203nstrrpbf	-	RFQ	7063	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab				MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001576488	EAR99	8541.29.0095	800		Canal n						30 V	116a (TC)	4,5 V, 10V	7MOHM @ 60A, 10V	3V à 250µA	60 NC @ 4,5 V	± 16V	3290 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 180W (TC)
Spa08n50c3xkas1	1 0000	RFQ	4176	Infineon Technologies	CoolMos ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET				MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à220-3-111	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						560 V	7.6a (TC)	10V	600mohm @ 4.6a, 10v	3,9 V @ 350µA	32 NC @ 10 V	± 20V	750 pf @ 25 V	-	32W (TC)
IPD70N10S312ATMA1	2.4900	RFQ	25	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ipd70			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à252-3-11	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n						100 V	70A (TC)	10V	11.1MOHM @ 70A, 10V	4V @ 83µA	65 NC @ 10 V	± 20V	4355 PF @ 25 V	-	125W (TC)
IPD80R2K4P7ATMA1	1.0600	RFQ	2	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ipd80r2			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à 252-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n						800 V	2.5a (TC)	10V	2,4 ohm @ 800mA, 10V	3,5 V @ 40µA	7,5 NC @ 10 V	± 20V	150 pf @ 500 V	-	22W (TC)
Irf3000pbf	-	RFQ	3125	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)				MOSFET (Oxyde Métallique)			8-so	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	* Irf3000pbf	EAR99	8541.29.0095	95		Canal n						300 V	1.6A (TA)	10V	400MOHM @ 960MA, 10V	5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	± 30V	730 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
IPL70R2K1CESATMA1	-	RFQ	3637	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic					IPL70R							télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001409154	EAR99	8541.29.0095	5 000									2.3A (TC)
Irgc50b120ub	-	RFQ	1732	Infineon Technologies	-	En gros	Obsolète		-	Support de surface	Mourir		Standard					Mourir	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE		1				-															NPT	1200 V	50 a	3,5 V @ 15V, 50A	-	-
Irf8304mtr1pbf	-	RFQ	2593	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	DIRECTFET ™ ISOMÉTRIQUE MX	IRF8304			MOSFET (Oxyde Métallique)			DIRECTFET ™ MX	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n						30 V	28a (Ta), 170a (TC)	4,5 V, 10V	2,2MOHM @ 28A, 10V	2,35 V @ 100µA	42 NC @ 4,5 V	± 20V	4700 pf @ 15 V	-	2.8W (TA), 100W (TC)
Sipc10s2n06lx2la1	-	RFQ	1403	Infineon Technologies	-	En gros	Obsolète		-						-				-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		-							-	-	-	-		-		-	-
Irfu7740pbf	-	RFQ	2429	Infineon Technologies	Hexfet®, Strongirfet ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	IRFU7740			MOSFET (Oxyde Métallique)			Ipak (à-251aa)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001573600	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n						75 V	87a (TC)	6v, 10v	7,2MOHM @ 52A, 10V	3,7 V @ 100µA	126 NC @ 10 V	± 20V	4430 pf @ 25 V	-	140W (TC)
BC850BWE6327HTSA1	-	RFQ	4507	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323	BC850				250 MW		PG-Sot323	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000																				45 V	100 mA					15NA (ICBO)			NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2MA, 5V	250 MHz
BF2040E6814HTSA	0,0900	RFQ	6	Infineon Technologies	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif	8 V		Support de surface	À 253-4, à 253aa			1 GHz	Mosfet			PG-Sot143-4	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0095	3 000	Canal n		50 µA		15 mA	-	23 dB											1,6 dB							5 V
BSS138WH6327XTSA1	0,4200	RFQ	1384	Infineon Technologies	Sipmos®	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323	BSS138			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG-Sot323	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal n						60 V	280mA (TA)	4,5 V, 10V	3,5 ohm @ 200mA, 10v	1,4 V @ 26µA	1,5 NC @ 10 V	± 20V	43 PF @ 25 V	-	500mw (TA)
IPLU300N04S41R1XTMA1	5.7000	RFQ	9	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8 Powersfn	IPLU300			MOSFET (Oxyde Métallique)			Pg-hsof-8-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n						40 V	300A (TC)	10V	1,15MOHM @ 100A, 10V	4V @ 125µA	151 NC @ 10 V	± 20V	12090 pf @ 25 V	-	300W (TC)
IPC100N04S5L1R9ATMA1	1.7200	RFQ	69	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	IPC100			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG-TDSON-8-34	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal n						40 V	100A (TC)	4,5 V, 10V	1,9MOHM @ 50A, 10V	2V @ 50µA	81 NC @ 10 V	± 16V	4310 PF @ 25 V	-	100W (TC)
Irf7303trpbfxtma1	0,3549	RFQ	1630	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)				MOSFET (Oxyde Métallique)	2W (ta)		PG-DSO-8-902	-	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	4 000	2 N-Canal							30V	4.9a (TA)		50 mohm @ 2,4a, 10v	1V @ 250µA	25nc @ 10v		520pf @ 25v	Standard

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