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Transistors (13833)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
IRG4BC20FD-Strr	-	RFQ	4583	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		Standard		60 W		D2pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800			480v, 9a, 50 ohms, 15v												37 ns	-	600 V	16 A	64 A	2V @ 15V, 9A	250 µJ (ON), 640µJ (OFF)	27 NC	43ns / 240ns
IRL7833LPBF	-	RFQ	4311	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 262	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n			30 V	150a (TC)	4,5 V, 10V	3,8MOHM @ 38A, 10V	2,3 V @ 250µA	47 NC @ 4,5 V	± 20V	4170 PF @ 15 V	-	140W (TC)
Ff650r17ie4bosa1	479.3900	RFQ	3	Infineon Technologies	PrimePack ™ 2	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C	Soutenir de châssis	Module	FF650R17			4150 W	Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3	2 indépendant															-	1700 V			2,45 V @ 15V, 650A				5 mA	Oui	54 NF @ 25 V
Irf3515strl	-	RFQ	2595	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n			150 V	41A (TC)	10V	45MOHM @ 25A, 10V	4,5 V @ 250µA	107 NC @ 10 V	± 30V	2260 pf @ 25 V	-	200W (TC)
94-3412pbf	-	RFQ	9007	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IRF7811		MOSFET (Oxyde Métallique)			8-so	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	95		Canal n			30 V	14A (TA)	4,5 V	12MOHM @ 15A, 4,5 V	1V @ 250µA	33 NC @ 5 V	± 12V	2335 PF @ 16 V	-	3.1W (TA)
BSP149 E6906	-	RFQ	4699	Infineon Technologies	Sipmos®	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG-Sot223-4	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n			200 V	660mA (TA)	0v, 10v	1,8 ohm @ 660mA, 10V	1V @ 400µA	14 NC @ 5 V	± 20V	430 pf @ 25 V	Mode d'Épuiment	1.8W (TA)
BCX5416H6327XTSA1	0.1920	RFQ	4134	Infineon Technologies	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 243aa	BCX5416			2 W		PG-Sot89	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1 000																	45 V	1 a						100NA (ICBO)			NPN	500 mV à 50ma, 500mA	100 @ 150mA, 2V	100 MHz
BFP 196R E6501	-	RFQ	4254	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 253-4, à 253aa	BFP 196			700mw		PG-SOT-143-3D	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000				10,5 dB ~ 16,5 dB													12V	150m									NPN		70 @ 50mA, 8V	7,5 GHz	1,3 dB ~ 2,3 dB à 900 MHz ~ 1,8 GHz
BSZ110N08NS5ATMA1	1.1600	RFQ	92	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	BSZ110		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG-TSDSON-8-FL	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal n			80 V	40A (TC)	6v, 10v	11MOHM @ 20A, 10V	3,8 V @ 22µA	18,5 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 40 V	-	50W (TC)
SGW30N60FKSA1	5.3094	RFQ	7225	Infineon Technologies	-	Tube	Acheter la Dernière	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Sgw30n	Standard		250 W		PG à247-3-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	240			400V, 30A, 11OHM, 15V													NPT	600 V	41 A	112 A	2,4 V @ 15V, 30A	1 29MJ	140 NC	44ns / 291ns
IKD15N60RFATMA1	2.0500	RFQ	2	Infineon Technologies	Trenchstop®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IKD15N	Standard		250 W		PG à 252-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			400V, 15A, 15OHM, 15V												74 ns	Arête du Champ de Tranché	600 V	30 A	45 A	2,5 V @ 15V, 15A	270 µJ (ON), 250 µJ (OFF)	90 NC	13ns / 160ns
IRF7705	-	RFQ	5309	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)			MOSFET (Oxyde Métallique)			8-TSSOP	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRF7705	EAR99	8541.29.0095	95		Canal p			30 V	8A (TC)	4,5 V, 10V	18MOHM @ 8A, 10V	2,5 V @ 250µA	88 NC @ 10 V	± 20V	2774 PF @ 25 V	-	1,5 W (TC)
SPD07N60C2	-	RFQ	7898	Infineon Technologies	CoolMos ™	En gros	Actif	-	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			-			PG à 252-3-1	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	2 500		-				7.3a	-	-	-		-		-	-
MMBT2907ALT1HTSA1	0,3800	RFQ	69	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT2907			330 MW		PG-Sot23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000																	60 V	600 mA						10NA (ICBO)			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	200 MHz
Bts113ae3045antma1	-	RFQ	7158	Infineon Technologies	Tempfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220ab	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n			60 V	11.5A (TC)	4,5 V	170MOHM @ 5.8A, 4,5 V	2,5 V @ 1MA		± 10V	560 pf @ 25 V	-	40W (TC)
IPG20N04S4L11AATMA1	1.2600	RFQ	5435	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutien de la surface, flanc Mouillable	8 powervdfn	Ipg20n		MOSFET (Oxyde Métallique)	41w		PG-TDSON-8-10	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000	2 Canaux N (double)				40V	20A		11.6MOHM @ 17A, 10V	2,2 V @ 15µA	26nc @ 10v		1990pf @ 25v	Porte de Niveau Logique
Ikd04n60raatma1	-	RFQ	7332	Infineon Technologies	TRENCHSTOP ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		Standard		75 W		PG à 252-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			400V, 4A, 43OHM, 15V												43 NS	Tranché	600 V	8 A	12 A	2.1V @ 15V, 4A	90 µJ (ON), 150 µJ (off)	27 NC	14ns / 146ns
ICA21V01X1SA1	-	RFQ	8672	Infineon Technologies	*	En gros	Obsolète										télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001035636	OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
BFR 182 B6663	-	RFQ	6676	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BFR 182			250mw		PG-Sot23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	30 000				12db ~ 18db													12V	35mA									NPN		70 @ 10mA, 8v	8 GHz	0,9 dB ~ 1,3 dB à 900 MHz ~ 1,8 GHz
IPB100N08S2L07ATMA1	-	RFQ	8598	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IPB100		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à263-3-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n			75 V	100A (TC)	4,5 V, 10V	6,5 mohm @ 80a, 10v	2V à 250µA	246 NC @ 10 V	± 20V	5400 pf @ 25 V	-	300W (TC)
PTRA093302DC V1 R250	-	RFQ	9299	Infineon Technologies	*	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète										télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	250
IPI120N06S402AKSA1	-	RFQ	4842	Infineon Technologies	Optimos ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	IPI120N		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à262-3-1	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500		Canal n			60 V	120A (TC)	10V	2,8MOHM @ 100A, 10V	4V @ 140µA	195 NC @ 10 V	± 20V	15750 pf @ 25 V	-	188W (TC)
Irfr3710ztrr	-	RFQ	8926	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)			D-pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001575918	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n			100 V	42A (TC)	10V	18MOHM @ 33A, 10V	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	± 20V	2930 pf @ 25 V	-	140W (TC)
Irfl4310tr	-	RFQ	1456	Infineon Technologies	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète		Support de surface	À 261-4, à 261aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-223	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n			100 V	1.6A (TA)		200 mohm @ 1,6a, 10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V		330 pf @ 25 V	-
Ipp026n10nf2sakma1	5.7700	RFQ	1	Infineon Technologies	Strongirfet ™ 2	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ipp026n		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n			100 V	27a (Ta), 184a (TC)	6v, 10v	2,6MOHM @ 100A, 10V	3,8 V @ 169µA	154 NC @ 10 V	± 20V	7300 pf @ 50 V	-	3.8W (TA), 250W (TC)
SPB100N03S2-03	-	RFQ	6740	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	SPB100N		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à263-3-2	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n			30 V	100A (TC)	10V	3MOHM @ 80A, 10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	± 20V	7020 PF @ 25 V	-	300W (TC)
Ipa60r060c7xksa1	6.1961	RFQ	7355	Infineon Technologies	CoolMos ™ C7	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	Ipa60r060		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à 220-FP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500		Canal n			600 V	16A (TC)	10V	60mohm @ 15,9a, 10v	4V à 800 µA	68 NC @ 10 V	± 20V	2850 pf @ 400 V	-	34W (TC)
Irf3305pbf	-	RFQ	5819	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220ab	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n			55 V	75A (TC)	10V	8MOHM @ 75A, 10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	± 20V	3650 pf @ 25 V	-	330W (TC)
Irfs4610pbf	-	RFQ	2252	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n			100 V	73A (TC)	10V	14MOHM @ 44A, 10V	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V	± 20V	3550 pf @ 50 V	-	190W (TC)
Irfb7430gpbf	-	RFQ	1882	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète	-	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220ab	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001554620	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n			40 V	195a (TC)	6v, 10v	1,3MOHM @ 100A, 10V	3,9 V @ 250µA	460 NC @ 10 V	± 20V	14240 PF @ 25 V	-	-

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