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Transistors (13833)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Figure de Bruit (db typ @ f)
BCR133E6393HTSA1	-	RFQ	4115	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR133			200 MW		PG-Sot23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP000010758	EAR99	8541.21.0075	3 000																50 V	100 mA						100NA (ICBO)			NPN - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	30 @ 5mA, 5V	130 MHz	10 kohms	10 kohms
FS400R07A3E3H6BPSA1	818.1363	RFQ	1080	Infineon Technologies	HybridPack ™	Plateau	Acheter la Dernière	175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	FS400R07				Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	16	Onduleur Triphasé														-	650 V	400 A		-					Oui
Irf7306tr	-	RFQ	2490	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IRF73		MOSFET (Oxyde Métallique)	2W		8-so	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001551228	EAR99	8541.29.0095	4 000	2 Canal P (double)				30V	3.6a		100 mohm @ 1,8a, 10v	1V @ 250µA	25nc @ 10v		440pf @ 25v	Porte de Niveau Logique
Auirll014NTR	-	RFQ	4920	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG-Sot223-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n			55 V	2a (ta)	4V, 10V	140mohm @ 2a, 10v	2V à 250µA	14 NC @ 10 V	± 16V	230 pf @ 25 V	-	1W (ta)
Irfr3504pbf	-	RFQ	9281	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)			D-pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	600		Canal n			40 V	30a (TC)	10V	9.2MOHM @ 30A, 10V	4V @ 250µA	71 NC @ 10 V	± 20V	2150 pf @ 25 V	-	140W (TC)
Irfr3710zpbf	-	RFQ	4894	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)			D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n			100 V	42A (TC)	10V	18MOHM @ 33A, 10V	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	± 20V	2930 pf @ 25 V	-	140W (TC)
IPD60R600P6ATMA1	1.7400	RFQ	2	Infineon Technologies	CoolMos ™ P6	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ipd60r		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à 252-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n			600 V	7.3a (TC)	10V	600 mOhm @ 2,4a, 10v	4,5 V @ 200µA	12 NC @ 10 V	± 20V	557 pf @ 100 V	-	63W (TC)
Irfz48zl	-	RFQ	4116	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 262	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* Irfz48zl	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n			55 V	61a (TC)	10V	11MOHM @ 37A, 10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	± 20V	1720 pf @ 25 V	-	91W (TC)
BCR119SH6433XTMA1	-	RFQ	2863	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic		Support de surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR119			250mw		Pg-sot363-po	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	10 000																50v	100 mA						-			2 npn - Pré-biaisé (double)	300 mV à 500 µA, 10mA	120 @ 5mA, 5V	150 MHz	4,7 kohms	-
Smbt3904upne6327htsa1	0.1205	RFQ	2581	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-74, SOT-457	SMBT 3904			330mw		PG-SC74-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000																40V	200m						50NA (ICBO)			Npn, pnp	400 MV à 5MA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	250 MHz
BSC057N03LSGATMA1	0,9700	RFQ	8	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	BSC057		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG-TDSON-8-5	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal n			30 V	17A (TA), 71A (TC)	4,5 V, 10V	5,7MOHM @ 30A, 10V	2,2 V @ 250µA	30 NC @ 10 V	± 20V	2400 pf @ 15 V	-	2,5W (TA), 45W (TC)
IRF100B201	2.9700	RFQ	3540	Infineon Technologies	Hexfet®, Strongirfet ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	IRF100		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n			100 V	192a (TC)	10V	4.2MOHM @ 115A, 10V	4V @ 250µA	255 NC @ 10 V	± 20V	9500 pf @ 50 V	-	441W (TC)
ICA37V01X1SA1	-	RFQ	6347	Infineon Technologies	*	En gros	Obsolète										télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001346206	OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
Auirf1404	-	RFQ	7628	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Auirf1404		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001522606	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n			40 V	160a (TC)	10V	4MOHM @ 121A, 10V	4V @ 250µA	196 NC @ 10 V	± 20V	5669 PF @ 25 V	-	333W (TC)
Irf3707zlpbf	-	RFQ	2482	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 262	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n			30 V	59a (TC)	4,5 V, 10V	9.5MOHM @ 21A, 10V	2,25 V @ 25µa	15 NC @ 4,5 V	± 20V	1210 PF @ 15 V	-	57W (TC)
BFP 196R E6327	-	RFQ	1084	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 253-4, à 253aa	BFP 196			700mw		PG-SOT-143-3D	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000				10,5 dB ~ 16,5 dB												12V	150m									NPN		70 @ 50mA, 8V	7,5 GHz			1,3 dB ~ 2,3 dB à 900 MHz ~ 1,8 GHz
Spp21n50c3hksa1	-	RFQ	2699	Infineon Technologies	CoolMos ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Spp21n		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à220-3-1	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500		Canal n			560 V	21A (TC)	10V	190mohm @ 13.1a, 10v	3,9 V @ 1MA	95 NC @ 10 V	± 20V	2400 pf @ 25 V	-	208W (TC)
IRlr3410pbf	-	RFQ	3715	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Abandonné à sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)			D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75		Canal n			100 V	17A (TC)	4V, 10V	105MOHM @ 10A, 10V	2V à 250µA	34 NC @ 5 V	± 16V	800 pf @ 25 V	-	79W (TC)
Irf7755gtrpbf	-	RFQ	6359	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète		Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	IRF775		MOSFET (Oxyde Métallique)	1W		8-TSSOP	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000	2 Canal P (double)				20V	3.9a		51MOHM @ 3,7A, 4,5 V	1,2 V à 250µA	17nc @ 4,5 V		1090pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
Irfr3504ztrrpbf	-	RFQ	6618	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)			D-pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	6 000		Canal n			40 V	42A (TC)	10V	9MOHM @ 42A, 10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	± 20V	1510 PF @ 25 V	-	90W (TC)
Irlz44nl	-	RFQ	9966	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 262	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* Irlz44nl	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n			55 V	47a (TC)	4V, 10V	22MOHM @ 25A, 10V	2V à 250µA	48 NC @ 5 V	± 16V	1700 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 110W (TC)
Irfh8330tr2pbf	-	RFQ	8798	Infineon Technologies	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète		Support de surface	8-PowerTDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)			PQFN (5x6)	télécharger		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	400		Canal n			30 V	17A (TA), 56A (TC)		6,6MOHM @ 20A, 10V	2,35 V @ 25µA	20 nc @ 10 V		1450 pf @ 25 V	-
Bsz15dc02kdhxtma1	1.3100	RFQ	9356	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	BSZ15DC02		MOSFET (Oxyde Métallique)	2,5 W		PG-TSDSON-8-FL	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000	N et p-canal p Complémentaire				20V	5.1a, 3.2a		55MOHM @ 5.1A, 4,5 V	1,4 V @ 110µA	2.8nc @ 4,5 V		419pf @ 10v	Porte de Niveau Logique, Lecenteur de 2,5 V
BCR 199f E6327	-	RFQ	2820	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic		Support de surface	SOT-723	BCR 199			250 MW		PG-TSFP-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000																50 V	70 mA						100NA (ICBO)			PNP - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	120 @ 5mA, 5V	200 MHz	47 kohms
Ipa60r600p7xksa1	1.7600	RFQ	1	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	IPA60R600		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à 220-FP	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n			600 V	6A (TC)	10V	600 mOhm @ 1,7a, 10v	4V @ 80µA	9 NC @ 10 V	± 20V	363 PF @ 400 V	-	21W (TC)
BSM10GP60BOSA1	-	RFQ	4772	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C	Soutenir de châssis	Module	BSM10G			80 W	Redredeur de pont en trois phases	Module	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Onduleur Triphasé														-	600 V	20 a		2,35 V @ 15V, 10A				500 µA	Oui	600 pf @ 25 V
BCR 503 B6327	-	RFQ	6516	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR 503			330 MW		PG-Sot23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	30 000																50 V	500 mA						100NA (ICBO)			NPN - Pré-biaisé	300 mV à 2,5 mA, 50mA	40 @ 50mA, 5V	100 MHz	2,2 kohms	2,2 kohms
SGD02N120BUMA1	1 0075	RFQ	3345	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	SGD02N	Standard		62 W		PG à252-3-11	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			800V, 2A, 91OHM, 15V												NPT	1200 V	6.2 A	9.6 A	3.6V @ 15V, 2A	220 µJ	11 NC	23ns / 260ns
IPC60R360P7X7SA1	-	RFQ	1968	Infineon Technologies	-	En gros	Actif				Ipc60r						-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001681342		0000.00.0000	1						-
BFP640FE6327	-	RFQ	1886	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	4 mm, plombes plombes	BFP640			200 MW		4-TSFP	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000				23 dB												4,5 V	50m									NPN		110 @ 30mA, 3V	40 GHz			0,65 dB ~ 1,2 dB @ 1,8 GHz ~ 6 GHz

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