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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Fréquence | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Condition de test | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Temps de réménage inversé (TRR) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Capacité d'entrée (cies) @ vce | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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Ipi070n08n3 g | - | ![]() | 9613 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | IPI070N | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 262-3 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 80 V | 80A (TC) | 6v, 10v | 7MOHM @ 73A, 10V | 3,5 V @ 73µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 3840 PF @ 40 V | - | 136W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB65R050CFD7AATMA1 | 12.9500 | ![]() | 4433 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Ipb65r | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 263-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 650 V | 45A (TC) | 10V | 50MOHM @ 24.8A, 10V | 4,5 V @ 1,24mA | 102 NC @ 10 V | ± 30V | 4975 PF @ 400 V | - | 227W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS816NWH6327XTSA1 | 0,4200 | ![]() | 74 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BSS816 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG-Sot323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 1.4A (TA) | 1,8 V, 2,5 V | 160MOHM @ 1,4A, 2,5 V | 750 mV à 3,7µA | 0,6 NC à 2,5 V | ± 8v | 180 pf @ 10 V | - | 500mw (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR120Z | - | ![]() | 9413 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFR120Z | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 100 V | 8.7A (TC) | 10V | 190mohm @ 5.2a, 10v | 4V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 310 PF @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irgs4610dpbf | - | ![]() | 2190 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Standard | 77 W | D2pak | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 6A, 47OHM, 15V | 74 ns | - | 600 V | 16 A | 18 a | 2V @ 15V, 6A | 56µJ (ON), 122µJ (OFF) | 13 NC | 27NS / 75NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfz44zl | - | ![]() | 3287 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 262 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfz44zl | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 55 V | 51A (TC) | 10V | 13.9MOHM @ 31A, 10V | 4V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 1420 pf @ 25 V | - | 80W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irf7904trpbf-1 | - | ![]() | 3098 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | IRF7904 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.4W, 2W | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001555688 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 000 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 7.6a, 11a | 16.2MOHM @ 7.6A, 10V | 2,25 V @ 25µa | 11nc @ 4,5 V | 910pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGP06N60TXKSA1 | 1,6000 | ![]() | 493 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop® | Tube | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Igp06n60 | Standard | 88 W | PG à220-3-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 400V, 6A, 23OHM, 15V | Arête du Champ de Tranché | 600 V | 12 A | 18 a | 2.05V @ 15V, 6A | 200 µJ | 42 NC | 9NS / 130NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKB20N60H3ATMA1 | 2.7900 | ![]() | 990 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IKB20N60 | Standard | 170 W | PG à 263-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | 400V, 20A, 14,6ohm, 15v | 112 ns | Arête du Champ de Tranché | 600 V | 40 A | 80 A | 2,4 V @ 15V, 20A | 690µj | 120 NC | 16NS / 194NS | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ff600r12ke4ebosa1 | 322.8400 | ![]() | 5380 | 0,00000000 | Infineon Technologies | C | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C | Soutenir de châssis | Module | FF600R12 | Standard | Module | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Demi-pont | Arête du Champ de Tranché | 1200 V | 600 A | 2.2 V @ 15V, 600A | 5 mA | Non | 38 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ipd60r800ceauma1 | 0,8900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ ce | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Ipd60r | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à252-3-344 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 600 V | 8.4a (TC) | 10V | 800MOHM @ 2A, 10V | 3,5 V @ 170µA | 17.2 NC @ 10 V | ± 20V | 373 PF @ 100 V | - | 74W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irf7604tr | - | ![]() | 8032 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | Support de surface | 8-TSSOP, 8 MSOP (0,118 ", 3,00 mm de grand) | MOSFET (Oxyde Métallique) | Micro8 ™ | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 000 | Canal p | 20 V | 3.6A (TA) | 90MOHM @ 2,4A, 4,5 V | 700 mV à 250 µA (min) | 20 NC @ 4,5 V | 590 pf @ 15 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC 807-25 E6433 | - | ![]() | 8373 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC 807 | 330 MW | PG-Sot23 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 10 000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 700 mV à 50ma, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irf3000pbf | - | ![]() | 3125 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-so | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irf3000pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | Canal n | 300 V | 1.6A (TA) | 10V | 400MOHM @ 960MA, 10V | 5V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 730 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Auirfr4105z | - | ![]() | 1493 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001520528 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 55 V | 20A (TC) | 10V | 24,5 mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 740 PF @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irf7379tr | - | ![]() | 8800 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | IRF737 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2,5 W | 8-so | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 000 | Canal n et p | 30V | 5.8a, 4.3a | 45MOHM @ 5.8A, 10V | 1V @ 250µA | 25nc @ 10v | 520pf @ 25v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfr3103tr | - | ![]() | 4923 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 400 V | 1.7A (TA) | 10V | 3,6 ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD60R400CEATMA1 | - | ![]() | 2286 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ ce | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Ipd60r | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 252-3 | télécharger | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 600 V | 10.3a (TC) | 10V | 400mohm @ 3,8a, 10v | 3,5 V @ 300µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 100 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRl6342trpbf | 0,5900 | ![]() | 43 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | IRL6342 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 000 | Canal n | 30 V | 9.9A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 14.6MOHM @ 9.9A, 4,5 V | 1,1 V @ 10µA | 11 NC @ 4,5 V | ± 12V | 1025 PF @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPS50R520CPAKMA1 | - | ![]() | 7632 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | Ips50r | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 251-3 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001130978 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 500 V | 7.1a (TC) | 10V | 520 mohm @ 3,8a, 10v | 3,5 V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 680 PF @ 100 V | - | 66W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ipd06p007natma1 | - | ![]() | 1877 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Ipd06p | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 252-3 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001661938 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 60 V | 4.3A (TC) | 10V | 400mohm @ 4.3a, 10v | 4V @ 166µA | 6,7 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 30 V | - | 19W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFA181001HL V1 R250 | - | ![]() | 3319 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 65 V | Support de surface | 2-flatpack, nageoirs en ête, à mariée | PTFA181001 | 1,88 GHz | LDMOS | PG-64248-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 1 µA | 750 mA | 100W | 16,5 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BDP953E6327HTSA1 | - | ![]() | 6545 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | BDP953 | 5 W | PG-Sot223-4-10 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 000 | 100 V | 3 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500 MV @ 200mA, 2A | 100 @ 500mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD90N03S4L02ATMA1 | 2.5300 | ![]() | 7660 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Ipd90 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à252-3-11 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 90a (TC) | 4,5 V, 10V | 2,2MOHM @ 90A, 10V | 2,2 V @ 90µA | 140 NC @ 10 V | ± 16V | 9750 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGP01N120H2 | 0,5500 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Standard | 28 W | PG à220-3-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 800V, 1A, 241OHM, 15V | - | 1200 V | 3.2 A | 3,5 A | 2,8 V @ 15V, 1A | 140 µJ | 8.6 NC | 13ns / 370ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IHP10T120 | - | ![]() | 4952 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop® | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Standard | 138 W | PG à220-3-1 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000683048 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 610V, 10A, 81OHM, 15V | 115 ns | Arête du Champ de Tranché | 1200 V | 16 A | 24 A | 2.2V @ 15V, 10A | 1.46MJ | 53 NC | 45ns / 520ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD50N06S409ATMA2 | 1.2600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Ipd50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à252-3-11 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 50A (TC) | 10V | 9MOHM @ 50A, 10V | 4V @ 34µA | 47.1 NC @ 10 V | ± 20V | 3785 PF @ 25 V | - | 71W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB083N15N5LFATMA1 | 6.7300 | ![]() | 6968 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IPB083 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 263-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 150 V | 105A (TC) | 10V | 8,3MOHM @ 100A, 10V | 4,9 V @ 134µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 210 pf @ 75 V | - | 179W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF 5020 E6327 | - | ![]() | 6162 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 8 V | Support de surface | À 253-4, à 253aa | BF 5020 | 800 MHz | Mosfet | PG-SOT-143-3D | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 25m | 10 mA | - | 26 dB | 1,2 dB | 5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBT3904SE6327HTSA1 | - | ![]() | 8418 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | SMBT 3904 | 330mw | Pg-sot363-po | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 40V | 200m | 50NA (ICBO) | 2 npn (double) | 300 MV à 5MA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 300 MHz |
Volume de RFQ moyen quotidien
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